世界最小型1兆位DRAM

三菱电机公司研制成功世界最小的1兆位DRAM(动态随机存取存储器)已投放市场。该存储器采用三菱电机公司独自的极小封装技术,体积仅为以前的1兆位DRAM的四分之一,堪称是面向办公室自动化设备和书本型个人计算机等市场的战略商品。这一称作“VSOP封装”的新产品由于采用了比以往产品高一级的0.9μm处理工艺,既达到超薄型的封     

512M快闪存储器

<正> 据报道,三星电子公司已开始生产 NAND 型的512M 快闪存储器。采用0.15μm工艺,与原来产品比较,数据写入时间减少了30％,而且还实现了低功耗。     

0.09μm工艺缩小快闪存储器尺寸

美国加州圣尼维尔（Sunnyvale）的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺，从而使二元和多级元（Multi-levelcell,MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。新的工艺将使目前0.13μm工艺产品的存储容量提高一倍，并且使产品体积缩小，生产成本降低。两公司在发展计划中提出未来存储产品的容量将进一步提升，包括 2Gb和4Gb MLC NAND快闪存储器。在单片存储卡上集成多个闪存芯片，将使手持设备能够存储数十分钟长度的DVD视频，成千上万的高分辨率图像，超过30小时的数字音乐，或者数千兆的数…     

集成电路

集成有快闪存储器和EEPROM的μP变体 Motorola Semiconductor公司推出一种16位68HC912B32μC,其特点是,有一个32K字节快闪存储器、一个768字节EEPROM、一个1k字节SRAM和一组外围设备(定时器、ADC以及串行和I/O)端口)。这种μC由于有快闪存储器和EEPROM,所以能在生产线的终端定制产品,并易于进行现场升级。采用80脚QFP封装。电视:(852)2666-8333 传真:(852)2666-6015     

快闪存储器伴你行

市场和应用世界快闪存储器市场将以每年大约２５％的速度持续增长，从１９９７年的３０亿美元提高到２０００年的６０亿美元。产品主要应用于大哥大、数字静止照相机和网络设备等。尤其是大哥大，各公司正竞相开发以８／１６兆位为中心的低电压超小超薄型封装产品。为降低...     

串行快闪存储器AT45D041及其应用

AT45D041是一由单5V供电、带串行接口的快闪存储器,该芯片特别适合于在系统反复编程,其4兆位的存储容量被分为2048页,每页264个字节。除了主存储页外,AT45D041还包含2个SRAM数据缓冲区,每个区的容量均为264个字节,当主存储页正在编程时,缓冲区可接收外部数据。传统快闪存储器往     

1G快闪存储器

<正> 目前,三星电子公司开发出了一种1G 的 NARD 型快闪存储器。该产品采用了0.12μm 工艺,电源电压为3.3V,实现了8位的目标。现有样品出厂,预计2002年初开始批量出厂。另外,据说该公司在2002年还将开发出电源电压为1.8V,16位的产品。该公司的1G 快闪存储器将在3G,携带信息终端,硅声频,数字照像机等各种领域得到应用。     

内置大容量快闪存储器的16位微型机

日立制作所已制出了内置大容量快闪存储器的Ｆ-ＺＡＴ微型机“Ｈ8/3052Ｆ(512位)/3064Ｆ(256ｋ位)/3022Ｆ(256ｋ位)”的新产品。该产品的制作过程是采用了035μｍＡｌ3层布线ＣＭＯＳ工艺,内置了512ｋ位、256ｋ位的单电源快闪存储器和8ｋ位的ＲＡＭ。另外,在ＬＳＩ内部还内置了升压电路,实现了以单电源的快闪存储器擦除、写入工作。内置大容量快闪存储器的16位微型机@辛     

ISSI推出高速快闪式存储器

1996年3月27日在上海世博会大酒店举办的1996年国际集成电路研讨会及展示会(IIC’96)上,来自美国的ISSI宣布并展示了该公司新近推出的高速快闪式存储器产品IS28F010。这是该公司与英特尔(Intel)公司签订快闪式存储器使用协议一周后宣布的。 ISSI的英文全名是In-tegrated Silicon SolutionInc,同时ISSI也是该公司产品的商标。ISSI总部设在美国硅谷的Sunnyvale市,在香港、台湾和苏州各设一子公司。在日本及欧洲各国     

简讯

手机有了专用游览器美国ＰＩＸＯ公司最近推出电话手机专用ＷＷＷ游览器软件“ＳＭＡＲＴＰＨＯＮＥ”,使用该软件可以在手机显示屏上直接显示ＨＴＭＬ文件。与ＷＡＰ不同的是,网页的制作者不必采用手机专用的语言来改写网页内容;通信服务商也不必使用专用的服务器以及相应的软件,ＷＷＷ的运营成本也可下降。据该公司介绍,已经有数家手机制造商表示要预载该软件。该软件除了ＷＷＷ游览器功能以外,还附带日历、电子邮件、名册簿、游戏等１０多种功能。英特尔推出快闪存储器新方案英特尔公司最近推出英特尔１．８伏双独立读写平面快…     

快闪存储器前途无量

一、全球快闪存储器市场 正当全球半导体市场面临货源短缺而厂商将发展的关注焦点集中到动态存储器上时,快闪存储器(Flash memory)也面临了市场需求殷切所产生短缺的问题。但由于快闪存储器的产品发展技术与特性都与动态存储器有相当大的差异,因此在市场竞争厂商不多的状况下,所引起的关注也就不像动态存储器那样引人注目。     

英特尔和意法半导体统一NOR闪存规范

意法半导体(ST)与英特尔公司日前公布了一个公用存储器子系统规范，以帮助手机OEM制造商降低产品开发成本，以最快的时间将功能丰富的产品投放市场。为了简化手机存储器的设计，两家公司将提供基于公用标准的软硬件兼容的存储器产品。因此，手机制造商的开发时间将会缩短，制造成本应将会降低，并能够以低廉的成本快速过渡到两家公司开发的下一代NOR闪存产品。     

SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性

采用1.2μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入(SCDI)快闪存储器件,该种器件具有良好的器件特性.在Vg＝6V,Vd＝5V的编程条件下,SCDI器件的编程速度是42μs,在Vg＝8V,Vs＝8V的擦除条件下,SCDI器件的擦除速度是24ms.与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比,SCDI器件的特性得到了显著地提高.在制作SCDI器件的工艺中,关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶,同时减少在制作Si3N4侧墙的刻蚀损伤.     

英特尔技术开发（上海）有限公司设立

5月12日，英特尔技术开发(上海)有限公司在上海浦东外高桥正式落成，总投资3900万美元。技术开发中心将为英特尔的快闪存储器事业部、封装技术研发部、用户平台研发部以及封装设备开发部开发尖端技术，并为中国用户提供客户服务支持。     

存储器

512Mb的NOR闪存芯片 AMD与富士通公司合资经营的FASL LLC日前推出业界首款512Mb的NOR闪存芯片Spansion S29GL512N。这是第一款采用130/110nm第二代MirrorBit工艺技术制造的Spansion快闪芯片。这款容量最高的单芯片快闪产品可为多种不同的嵌入式及无线解决方案提供支持。 Spansion闪存采用MirrorBit技术,使存储器的管芯体积大幅缩小,而芯片生产     

Intel中国封装技术研发中心成立专家阐述行业现状与趋势

<正>5月12日,Intel中国封装技术研发中心与英特尔技术开发(上海)有限公司同时宣布成立,Intel中国封装技术研发中心成为英特尔技术开发(上海)有限公司三个同时宣布成立的研发中心的重要组成部分。这三个研发中心分别是快闪存储器研发中心、封装技术研发中心和用户平台研发中心。     

浅析集成电路产业现状与对策

未来全球半导体90nm、65nm和45nm技术进入量产,其芯片尺寸缩小40％、功耗减少30％、速度加快20％。酷睿Ⅱ4核CPU芯片的晶体管已达到8．2亿只。动态存储器将发展到DDR3,其容量已提升至4Gb。NAND Flash和NOR Flash的存储容量已达到16Gb。32nm工艺技术生产的32Gb快闪存储器也成为现实,西欧、中东晶圆厂新增计划6项,投资过60亿美元。东南亚等区域计划投资16项。国内集成电路产量和销售年均增长30％,制造技术进入90nm,12英寸生产已进入批量生产阶段。设计达到0．18μm,少数达到0．13μm技术。08年产值同比增长8．3％,但第三季度增长下降。     

分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,因其具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。但由于快闪存储器产品规则的阵列排列方式,高速的编程能力也带来了容易出现编程干扰的问题,成为了制约其实际应用的关键因素。从工艺优化方面探讨在编程过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的抗编程干扰性能。通过实验发现通过整合改进工艺流程中调节字线阈值电压的离子注入方式的方法,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的抗编程干扰性能。     

0.18微米嵌入式快闪存储器技术及其应用

快闪存储器最初是在PC中用作BIOS存储器,如今已广泛地用于GSM电话,数字照相机、CD-ROM、智能卡等产品。在需要经常更新软件以提供新服务的应用,都广泛地使用快闪存储器。它能够以电写入的方式在现场更新存储内容,因此颇受欢迎。     

光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

<正> 微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。