中压固体绝缘开关柜（SIS）

日本东芝公司最新研制出中压固体绝缘开关柜(SIS)。该柜具有三个特点：一、对真空灭弧空采用相柱固封技术；二、对真空断路器和真空隔离开关的可动件采用复合绝缘；三、作为操动机构，采用最新研制的永磁机构。     

透射电子显微镜高压电源箱气体绝缘技术及充气工艺

本文通过比较高压系统常用气态绝缘介质的性能,对比影响气体绝缘性能的关键参数,给出了透射电子显微镜高压电源箱绝缘材料的优化选择,介绍了六氟化硫(SF6)气体在透射电子显微镜高压电源绝缘中的应用,计算了充SF6绝缘气体的高压电源箱,并给出了透射电子显微镜高压箱的绝缘充SF6气体工艺。     

透射电子显微镜高压电源箱气体绝缘技术及充气工艺

本文通过比较高压系统常用气态绝缘介质的性能,对比影响气体绝缘性能的关键参数,给出了透射电子显微镜高压电源箱绝缘材料的优化选择,介绍了六氟化硫(SF6)气体在透射电子显微镜高压电源绝缘中的应用,计算了充SF6绝缘气体的高压电源箱,并给出了透射电子显微镜高压箱的绝缘充SF6气体工艺.     

TF800型真空灭弧室

TF800型真空灭弧室配套ZFW□—40．5真空负荷隔离开关，用于50Hz、40．5kV级电力系统，主要用来开断、关合负荷电流，关合短路电流。该灭弧室是户外产品，使用时必须安装在充满绝缘介质(硅脂或者SFl6)的绝缘筒内。     

隔离型矿物绝缘电缆在舰船中的应用

隔离型矿物绝缘电缆由于具有传统橡塑电缆不可替代的防火功能,同时过载能力大、使用寿命长、综合性能优异,广泛用于特级防火等级的重要场所。鉴于舰船使命,电力系统防火设计攸关重要,基于舰船电气设备使用环境条件和电缆选择原则,隔离型矿物绝缘电缆具有明显优势,应用前景广阔。     

限流电路的概念与测量

电流通过人体会引起病理生理效应,通常毫安级的电流就会对人体产生危害,更大的电流甚至会造成人的死亡。因此,在各类电子电气设备的安全设计中防触电保护是一个很重要的内容。产生电击危险的原因有:触及带电件正常情况下带危险电压零部件和可触及的导电零部件(或带非危险电压的电路)之间的隔离用的绝缘击穿     

诱人的性能价格比——BJ10

产品名称型号价格(元) 1.BjloA通用智能仪表板(基本型) 2.BJloSD自开发型通用智能仪表板(自开发型) 3.BJl0B自开发型通用智能仪表板(用户型) 4.BJlOC通用智能仪表板(简化型) 5.BJlOD通用智能仪表板(光电隔离型)’ 6.BJlOx通用智能仪表板(最小型). (1)BJ一113三位半A/D选件板 (2)BJ一1132二个三位半A/D选件板 (3)BJ～114四位半A/D选件板 (4)BJ一118八路八位A/D选件板 (5)BJ一121一路八位D/A 10mA输出 (6)BJ一122二路八位D/A选件板 (7)BJ一10574高速A/D选件板、 (8)BJ一10574D高速A/D D/A选件板 (9)BJ一10K31单端三十…     

应用光电耦合器必知的系统设计规范

设计牢靠的电子系统是一件极具挑战性的任务。所相中的元器件必需满足环境条件的苛刻要求,其中可能包括电磁干扰、静电放电、共模瞬变和高压。通过提供信号隔离及高压绝缘功能,光电耦合器解决了所有这些挑战。     

超声波清洗机隔声箱

南京无线电元件十七厂为消除超声波清洗机产生的噪声污染,集中力量试制成了一种隔声箱。这种隔声箱结构简单,省工省料,效果显著。经有关部门测定,隔声后噪声强度由原来的103dB(A),下降到67dB(A),比国家规定的标准低13dB(A)。 为摸清超声波清洗机的噪声特点,设计出较理想的隔声箱,研制小组对H661和CFS-1000-3型超声波清洗机的频谱用精密声级计作了现场测试,结果说明,这种噪声源的能量主要集中在4k～10kHz频率范围内。据此,设计时必须满足三个要求:(1)操作方便;(2)易于散热;(3)耐腐蚀。由于这里的噪声是清洗机上的超声换能器的辐射所致,所以采用隔声箱将声波传播通道切断。箱上盖板能够活动,便于     

首款电容式数字隔CAN收发器简化系统设计与布局

德州仪器(TI)最近推出首款单芯片隔离式控制器区域网络(CAN)收发器-IS01050.TI(上海)模拟器件事业部业务拓展工程师王胜说,ISO1050最大的特点就在于隔离式,以往市场上CAN都是不带隔离器的,要达到CAN和隔离的效果,需要二个芯片才能实现.     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.     

VIP50工艺技术为后盾 NS大幅提升各种放大器性能

VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片能在0.9V～12V之间的供电电压范围内操作.     

InSb质子轰击损伤的隔离效应

本文研究了高能质子对InSb轰击所引起的损伤的绝缘隔离效应,并将这一效应用于解决InSb红外探测器的光敏面扩大及多元列阵的串音问题.试验是在能量为40keV—2MeV,剂量为10~(13)-10~(16)/厘米~2范围内分别在离子注入机或静电加速器中对 InSb 进行室温下的质子注入.用双晶衍射仪、直径为100微米的小光点设备、串音的电学法测试及高帧速成象仪上检测了损伤隔离效应.实验结果证明了质子轰击损伤隔离是一种优良的电隔离技术,不仅可用于解决InSb红外探测器光敏面扩大及多元列阵探测器的电学串音问题,也是制备平面型器件的优良方法.     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.     

一种IGBT热阻测试系统的研制

为了解决国内绝缘栅双极型晶体管(IGBT)生产和使用中热阻测试问题,采用电学法的测量原理并与嵌入式技术相结合的方式,设计了一种以现场可编程门阵列(FPGA)为控制核心的IGBT自动测试系统.该系统采用模块化的设计思想,各模块间进行隔离设计,其中14 bit隔离型高速数据采集卡可以快速采集IGBT温度敏感参数的变化,从而使系统可以快速可靠的工作.使用该测试系统对IGBT器件的热特性进行测试,将测试数据与美国生产的Phase1 1热特性分析仪进行对比,测试结果经过修正后误差约为1％.验证了该热阻测试系统可用于测试IGBT器件的热特性,并具有速度快、稳定性好等优点,对我国功率器件的可靠性技术研究具有重要意义.     

基于2ED020I12-F2的IGBT驱动电路设计

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动电路的设计是保证系统可靠运行的重要环节。文中基于英飞凌的磁隔离驱动芯片2ED020I12-F2进行IGBT驱动电路的设计,对2ED020I12-F2的工作过程进行了分析,研究了芯片对IGBT的开通关断及过压过流保护等的工作原理。并运用2ED020I12-F2及其他器件设计了带有变压器隔离与自给电源功能的IGBT驱动电路,且通过实际试验证明了驱动电路设计的正确性与可靠性。     

小功率光伏并网逆变器中的绝缘设计

绝缘的可靠性问题是光伏逆变器设计中非常重要的技术课题。本文讨论了单相小功率光伏并网逆变器中的绝缘与隔离技术,包括IGBT模块驱动电路中的绝缘隔离、驱动电源的绝绦设计以及检測电路设计中的绝绛考虑,并给出了在实际设计应用中的測试波形。     

电子元器件实用知识讲座(4)

<正> 第四讲 电容器 电容器(简称电容)也是一种基本电子(电气)元件。两个相互靠近、彼此绝缘的金属电极就能构成一个最简单的电容。两个电极间的绝缘物质称为电容的介质。电容的基本功能是贮存电荷(电能)。它在电子电气电路中用得十分广泛,主要用作交流耦合、隔离直流、滤波、交流或脉冲旁路、RC定时、LC谐振选频等。     

东芝公司应用新的器件隔离技术试制1M位动态RAM 东芝公司由于采用了1.2μm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的1M位动态随机存取存贮器。 为了在与原来相同大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求:(1)最小设计

东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求: (1)最小设计线宽为1～1.5#m的微细加工技术, (2)相邻元件之间能良好绝缘、隔离的器件隔离技术, (3)能够存贮仅能抗软误差电荷的电容器结构等新的器件、电路设计和制造技术。 公司为了满足上述要求,首先就采用了高性能的反应离子腐蚀工艺等,以形成线宽1.2/zm的微细加工技术,采用在硅基片上形成隔离槽的技术,此隔离槽用于元件…     

模拟器件

ISO5500:隔离式栅极驱动器德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO₂）隔离层隔开,与其光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长1倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。