微量RE对CuCr25触头材料组织与性能的影响

在中频感应炉中用大气熔铸方法制备了CuCr25以及CuCr25RE合金触头材料,利用扫描电镜对其铸态及锻态的显微组织进行了观察和比较,并探讨了微量稀土对CuCr25电导率及软化温度的影响.结果表明合金经锻造后可以获得均匀的组织分布,但添加稀土后Cr颗粒明显细化;合金添加稀土元素并经950℃×1h固溶,再在不同温度下进行时效处理,可有效地提高合金的电导率;对固溶后的CuCr25、CuCr25RE合金施以40%冷变形再进行480℃时效处理,其电导率较固溶后直接时效处理的有显著提高;添加微量稀土元素对合金的抗软化性能有所改善,使CuCr25合金的软化温度提高了约25℃.     

微量RE对CuCr25触头材料组织与性能的影响

在中频感应炉中用大气熔铸方法制备了CuCr25以及CuCr25RE合金触头材料,利用扫描电镜对其铸态及锻态的显微组织进行了观察和比较,并探讨了微量稀土对CuCr25电导率及软化温度的影响。结果表明:合金经锻造后可以获得均匀的组织分布,但添加稀土后Cr颗粒明显细化;合金添加稀土元素并经950℃×1h固溶,再在不同温度下进行时效处理,可有效地提高合金的电导率;对固溶后的CuCr25、CuCr25RE合金施以40%冷变形再进行480℃时效处理,其电导率较固溶后直接时效处理的有显著提高;添加微量稀土元素对合金的抗软化性能有所改善,使CuCr25合金的软化温度提高了约25℃。     

Ni或Co的加入对CuCr25合金组织与性能的影响

研究了Ni或Co的加入对真空感应熔炼制备的CuCr25合金的组织形貌和物理性能的影响。结果表明：加入Ni或Co后可以明显改善CuCr25合金的显微组织,避免出现Cr的宏观偏析,大大提高了成品率,提高了合金的耐电压强度和硬度,合金的电导率有所降低。真空感应熔法制备的CuCr25合金达到了常规方法制备的CuCr50的技术要求。     

热处理对含多元合金元素CuCr合金电导率的影响

本文借助于金相显微镜、TEM、SEM／EDS及电导仪研究了热处理对含Ni、Al合金元素CuCr合金电导率的影响。结果表明：热处理能提高该合金的导电性能，当该材料经980℃固溶1h后500℃时效4h可获得较高的电导率，其原因主要归于固溶于铜基体中铬原子减少。     

激光重熔CuCr40-RE合金的组织及性能

为减小Cr偏析,提高CuCr40合金的使用性能,制备了添加稀土Ce的CuCr40合金,对激光重熔表面处理的合金组织和导电性、耐磨耐腐蚀性进行研究。结果表明,稀土Ce抑制Cr颗粒偏析,且随Ce含量增加,细化作用更显著;激光重熔处理大幅减小了合金中Cr颗粒尺寸,随稀土含量增加,组织更加均匀,孔隙率降低;重熔层中的相组成、晶粒取向不发生变化,电导率较CuCr40合金降幅不大,仍具有良好的电学特性;重熔层的摩擦系数较低,适当提高稀土Ce含量可改善重熔层的耐磨性;在1 mol/L H2SO4溶液条件下,CuCr40-0.3Ce合金重熔层的耐腐蚀性较CuCr40合金提高了0.7倍,CuCr40-0.6Ce合金重熔层的耐腐蚀性较CuCr40合金提高了1.5倍。     

石墨烯强化CuCr25合金的制备与性能

采用高压低温SPS烧结的新工艺制备了高硬度高电导率的CuCr25/石墨烯复合材料。X射线衍射(XRD)和拉曼分析(Raman)揭示石墨烯在新合金的制备过程中并未变性亦无新相产生,利用扫描电镜(SEM)以及能谱仪(EDS)进行形貌分析显示石墨烯在新合金中分散均匀。性能测试结果显示,在600℃,300 MPa条件下经SPS烧结后制得的CuCr25/石墨烯合金,与对比试验中采用相同工艺制得的未添加石墨烯的CuCr25合金相比,硬度提高了11.3%,电导率下降了4.2%;而与传统工艺制备的CuCr25合金相比,其电导率和硬度则分别提高了35%和48%,表明成分和工艺的改进对性能的提高均有贡献。     

CuCr25合金的机械变形及性能

采用真空熔炼制备的CuCr25合金，在低应变速率下冷轧变形，研究了组织及性能变化。结果表明：CuCr25合金的电导率随着轧制变形程度的增大，开始略有上升，然后不断下降，经过一定量的大变形后，电导率又有上升；CuCr25合金的硬度不断上升，CuCr25合金硬度的上升主要是由于Cu基硬度的上升；经过大量的冷轧变形后，Cr相成纤维状和条带状，并有空洞生成；CuCr25合金在室温下具有超塑性。     

CuCr合金触头材料的研究现状

CuCr合金触头材料具有良好的力学和电学性能,广泛应用于真空开关。本文综述了不同Cr含量对CuCr触头材料开断能力、截流值、耐电压强度和抗熔焊性等性能的影响,并总结了添加其它新组分对其性能的作用。针对目前CuCr合金存在的问题,提出严格控制原材料成分及杂质含量、添加新组分,是目前改善或获得高性能CuCr触头材料的发展方向之一。     

La1＋xMg2-xNi9（x=0，0．5，1．0，1．5）合金的储氢性能及电化学性能研究

利用高频熔炼方法制备了La1＋xMg2-xNi9（x=0，0．5，1．0，1．5）系列合金，并对其进行了XRD分析和储氢容量及电化学性能测定。结果表明：随着La含量增大，合金中LaNi5和（La，Mg）Ni3相转变为LaNi3相，且Mg2Ni相出现，晶胞体积也增大，合金的储氢容量和电化学性能提高；当x=1．5时，Mg2Ni相消失，合金的储氢性能有所下降。当x=1．0时，即La2MgNi9合金具有较好的储氢容量及电化学容量。     

不同Cr含量CuCr触头材料的组织与性能对比(英文)

为研究Cr含量对CuCr触头材料组织和性能的影响,采用真空熔铸法制备三种(CuCr25、CuCr30、CuCr40)不同Cr含量的触头材料,并对这3种材料的显微组织、物理性能及电流开断性能进行对比研究。结果表明:随着Cr含量的增加,CuCr材料微观组织的致密度提高,Cr颗粒得到细化,但是Cu基体中固溶的Cr含量增加;材料的电导率和密度均降低,硬度增加,抗拉强度呈线性增加;CuCr25和CuCr30的电流开断能力相当,CuCr40较低。     

MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF CuCr25 ALLOYS WITH DIFFERENT Ni CONTENT

CuCr25 alloys containing different Ni content were prepared by vacuum induction melting (VIM). The micro structure and properties were tested. The results show that with the increase of Ni content in CuCr25 alloys, the Cr phase changed from developed dendrite into nodular grains and was drastically refined; the electrical conductivity significantly decrease, but still reach the level of conventional CuCr50 when the Ni content is below 0.5%. The Ni content had little influence on their breakdown strength. The first breakdown sites transferred to the boundary of Cu and Cr phase for CuCr25Ni compared to the Cr phase for CuCr25 without Ni.     

Preparation of CuCr25 alloys through vacuum arc-smelting and their properties

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＣｕＣｒａｌｌｏｙｓａｒｅｉｍｐｏｒｔａｎｔｃｏｎｔａｃｔｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｖａｃｕｕｍｉｎｔｅｒｒｕｐｔｅｒｓａｎｄａｒｅｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｆｏｒｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｔｈｅｉｒｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅｈｉｇｈｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｎｇａｂｉｌｉｔｙａｎｄｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｗｉｔｈｓｔａｎｄｉｎｇｓｔｒｅｓｓ[1].Ｐｒｅｓｅｎｔｌｙ ,ｔｈｅｍａｉｎｍｅｔｈｏｄｓｏｆｐｒｅｐａｒｉｎｇＣｕＣｒａｌｌｏｙｓｉｎｃｌｕｄｅ…     

Deoxidization of CuCr25 alloys prepared by vacuum induction melting

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＬｏｗ ｇａｓｃｏｎｔｅｎｔｉｓｔｈｅｂａｓｉｃｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｆｏｒＣｕＣｒ2 5ｃｏｎｔａｃｔｍａｔｅｒｉａｌｉｎｖａｃｕｕｍｉｎｔｅｒｒｕｐｔｅｒｓ.Ｂｅ ｃａｕｓｅｔｈｅｒｅｌｅａｓｅｄｇａｓｄｕｒｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎｃｏｕｌｄｉｎｄｕｃｅｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｎｇｆａｉｌｕｒｅ[1] .Ｓｏｔｈｅｏｘｙｇｅｎｃｏｎｔｅｎｔｍｕｓｔｂｅｌｏｗｅｒｔｈａｎ 0 .0 5% ,ａｎｄｎｉｔｒｏｇｅｎｃｏｎｔｅｎｔｍｕｓｔｂｅｌｏｗｅｒｔｈａｎ 0 .0 0 5%ａｃｃ…     

冷却速度对CuCr25合金凝固过程的影响

研究了不同冷却速度下CuCr25合金的微观组织和凝固过程。随着冷却速度的增加，CuCr25合金的微观组织将变得越来越细。当冷却速度达到10^7K／s时，可获得纳米结构的微观组织。当冷却速度〈10^3K／s时，CuCr25合金的凝固过程为普通凝固过程：如果冷却速度〉10^4K／s，其凝固过程为液相分解凝固过程。在快速凝固过程中，CuCr25合金中没有新相形成。但是，Cu在富Cr相中和Cr在富Cu相中的溶解度有所增加。     

CuCr触头材料小电流下阴极斑点与截流值研究

研究了在峰值电流分别为10A和80A的小击穿电流下，CuCr25与CuCr50合金阴极斑点蚀坑形貌的差异。通过比较阴极斑点蚀坑的大小和分布，分析了CuCr触头材料显微组织中Cr相尺寸的大小对阴极斑点运动和蚀坑形貌的影响。采用示波器直接测量出截流值和电弧寿命，结合CuCr合金阴极斑点蚀坑形貌的分布，从现象和机理上解释了CuCr25合金截流值低于CuCr50合金的原因。这些结果对通过优化CuCr合金的显微组织以降低触头材料的截流值提供了有力的依据。     

CuCr25W1Col合金的性能研究

为节约Ｃｒ资源,提高ＣｕＣｒ触头材料的耐电击穿性能并满足其大规模生产的需要,根据Ｗ、Ｃｏ的选择相强化作用,以钝Ｃｕ、Ｃｒ块为原料,采用Ａｒ气保护熔炼法制备ＣｕＣｒ２５Ｗ１Ｃｏｌ头合金,并对其性能进行研究。实验结果表明,该合金晶粒尺寸细小,含气量低,耐电压强度已达到常规头材料的水平。     

CuCr25纳米晶化对真空电弧阴极斑点扩散的影响

采用氩气保护气氛高能球磨和真空热压技术制备了致密度大于98％的纳米晶CuCr25合金，并在真空室内进行击穿试验。采用扫描电镜对纳米晶和粗晶CuCr25合金阴极斑点蚀坑形貌进行观察。结果表明：粗晶CuCr25合金真空电弧阴极斑点扩散表现为原地重复燃烧或整体的跳跃式移动，且有选择地分布在Cr相。而纳米晶CuCr25合金由于晶粒细化（〈50nm），为电子发射提供了优越条件，阴极斑点的扩散表现为次级斑点的此起彼伏的准连续移动，击穿相均匀分布在整个阴极表面。     

W或C添加剂对优化CuCr25合金显微组织的作用

采用真空感应熔炼法制备CuCr25（W），与Cr25（C）合金，研究不同合金元素W，C对CuCr触头微观组织的影响，研究结果表明，W和C能够显著细化Cr相晶粒，W对Cr相晶粒还有球化作用，同时对Cr相进行了强化，使合金整体性能得到提高，其中耐电压强度得到显著提高。     

Alloying Effect Of Ni And Cr On The Ttability Of Copper On W Substrate

By the sessile drop technique, the wettability of Cu/W systems with the additions of Ni and Cr has been studied under vacuum atmosphere. Effects of Ni and Cr contents and wetting temperatures on the wettability and the wetting mechanisms of copper on W substrate have been investigated in detail. The results show that the wetting angles of Cu on the W substrate are decreased with an increase in the content of Ni or Cr, and also decrease with raising the wetting temperatures. SEM, EPMA, and X-ray diffraction have been used to analyze the interracial characteristics of the CuNi/W and CuCr/W systems. The results reveal that there is a transition layer about 2- 3μm in the interface of Cu-4.0 wt pct Ni/W, in which the interrnetallic phase Ni4W is precipitated. As to CuCr/W system, no reaction occurs at the interface. The two factors are that the contents of Cr and Ni and the infiltration temperature must be chosen appropriately in order to control the interfacial dissolution and reaction when the Cu- W alloys are prepared by the infiltration method.