添加剂对Bi_(3.5)La_(0.5)Ti_3O_(12)材料的显微结构及铁电性能的影响

为制备致密化Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷材料,本文采用共沉淀法合成了Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷粉体,以无定形SiO2为添加剂,在不同烧结工艺条件下制备了Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷,并分析了烧结添加剂对材料的相对理论密度、显微结构及铁电性能的影响。分析结果表明,烧结添加剂促进了晶粒的生长速度,在烧结时间进一步延长时,晶粒由片状向近球状晶粒形状发展;电滞回线测量表明,在1 060℃烧结2h的条件下,加入SiO2,制备的Bi3.5La0.5Ti3O12陶瓷的剩余极化强度Pr值为9.8μC/cm2,矫顽场强度Ec值为63.7kV/cm。该研究为制备致密化的钛酸镧铋陶瓷提供了理论参考。     

Bi0．5Na0．5TiO3无铅压电陶瓷的结构有序化控制

以片状SrTiO3晶粒作为模板,使用模板晶粒生长法（TGG）控制制备[001]取向的有序化Bi0.5Na0.5TiO3压电陶瓷,同时研究了过量Bi2O3烧结温度以及掺MnO对Bi0.5,Na0.5TiO3有序度的影响．研究结果表明,过量Bi2O3的最佳掺入量为BNT粉料质量的1％;1190℃是合适的烧结温度,在1190℃下,BNT-1试样的有序度相对较高,有序度为88．2％;MnO的加入有效地提高了试样的有序度,并且降低了试样的烧结温度,同时也使得烧结温度范围变窄．在烧结温度为1170℃下,掺质量分数为0．3％MnO的BNT-1试样的有序度为91．1％．     

(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)弛豫铁电陶瓷的制备工艺及其性能

利用短时研磨(粗磨,2 h)和长时研磨(细磨,48 h)两种不同的研磨工艺并结合B位复合陶瓷制备的一步法工艺流程,制备并研究了铅基钙钛矿弛豫铁电陶瓷(1-x)Pb(Ta0.5Sc0.5)O3-xPb(Zr0.52Ti0.48)O3(0.1≤x≤0.5)(PSTZT)。由细磨工艺制备的陶瓷在1 200℃下烧结2 h获得了纯钙钛矿相;细磨工艺PSTZT陶瓷表面平整、晶粒细小、致密性高,其介电与压电性能、热释电性能等全面优于粗磨工艺陶瓷。     

二次烧结对KNN-LS-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相烧结法和二次烧结工艺制备了xBi(Mg0.5Ti0.5)O3-0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3(xBMT-KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了二次烧结工艺对xBMT-KNN-LS陶瓷性能的影响。结果表明:采用传统的陶瓷烧结工艺所得到的性能为压电常数d33=220 pC/N、平面机电耦合系数kp=39.6%、介电损耗tanδ=6.38%。而采用二次陶瓷烧结工艺得到的最佳性能为d33=254 pC/N、kp=37.8%、tanδ=4.81%,因此,二次烧结对该体系的压电性能有显著的影响。     

(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3基无铅压电陶瓷压电常数的研究

针对目前无铅压电陶瓷的压电常数d33偏小的情况,采用传统的烧结方法制备了(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷(Na0.5K0.45Li0.05)Nb0.95-xSbxTa0.05O3(x=0.03,0.06,0.09,0.12),研究了在Li和Ta含量固定的情况下,Sb元素的添加量和烧结温度对陶瓷的压电常数的影响.研究结果表明,适量Sb元素的掺杂可以大幅度提高陶瓷的压电常数d33,陶瓷样品的压电常数d33随着Sb含量的增加先增大后减小.烧结温度可以影响陶瓷的密度,进而影响其压电常数.在1130℃的最佳烧结温度下,Sb含量x=0.09时,陶瓷样品表现出最佳的压电性能,压电常数d33=328 pC/N.     

层状钴酸锶铋热电陶瓷制备的研究

实验采用熔融法和普通固相烧结法制备镧掺杂钴酸锶铋陶瓷．利用TG—DSC,XRD和SEM等测试方法对陶瓷样品热分解过程、物相和形貌进行表征．实验结果表明：熔融法能够更好的制备出致密度高、晶粒发育完整、片层结构明显、晶粒具有一定取向的陶瓷样品．制备工艺对样品的显微结构和热电性能有重要影响．     

Nd_(8.5)Fe_(84)Nb_(0.5)Zr_(0.5)B_6Cu_(0.5)稀土永磁合金磁性能的研究

采用熔体快淬法制备出了不同快淬速度(铜轮转速)的Nd8.5Fe84Nb0.5Zr0.5B6Cu0.5稀土永磁合金条带,研究了制备工艺和晶化工艺对该合金磁性能的影响.研究结果表明:快淬速度对该合金的磁性能有很大的影响,合金在20 m/s快淬时磁性能最佳;晶化温度过高或者晶化时间过长,都会造成晶粒尺寸过大,其比表面积减小;晶化温度过低或者晶化时间过短,晶化不完全,造成软、硬磁性相析出较少和大量非晶相的存在,都阻碍软、硬磁性之间的交换耦合作用,影响合金磁性能的提高.经最佳晶化工艺处理后合金在20 m/s快淬时具有最佳磁性能,即剩余磁饱和强度Br=0.72 T、矫顽力Hc=380.98 k A/m和最大磁能积(BH)max=103.72 k J/m3.     

K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)纳米粉体的复合聚合法制备及表征

为了探究烧结温度与柠檬酸添加量对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)(KBT)陶瓷结构及性能的影响,文中采用复合聚合法制备K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)(KBT)纳米粉体,对KBT纳米粉体进行了X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)以及会聚束电子衍射(CBED)等测试,以观察分析其形貌和结构;采用热重及热同步分析仪(TGA)以微商热重法(DTG)对凝胶的组分和热稳定性进行了分析.结果表明:在500℃以下时可通过复合聚合法制备纯的KBT纳米粉体,温度超过600℃时则会检测出第二相(Bi_2O_3);增大柠檬酸的添加量或提高烧结温度,都会增大KBT粉体的晶粒尺寸及其各向异性.     

(Ba,Eu)TiO_3细晶粒陶瓷制备中的影响因素

采用冷压陶瓷技术,分别在1 400℃和1 300℃制备了具有四方结构的(Ba_(1-x)Eu_x)TiO_3和(Ba_(1-x)Eu_x)Ti_(1-x/8)O_3陶瓷.应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究Eu含量、Ti空位缺陷和陶瓷化烧结温度的变化对制备(Ba,Eu)TiO_3细晶粒陶瓷的影响因素.结果表明:当x=0.05时,1 300℃制备的(Ba_(1-x)Eu_x)Ti_(1-x/8)O_3陶瓷细化到平均晶粒尺寸小于1μm,1 400℃制备的(Ba_(1-x)Eu_x)TiO_3陶瓷却畸变生长到5μm.而x=0.03时,(Ba_(1-x)Eu_x)TiO_3陶瓷仍能细化到1μm.说明较高的陶瓷化烧结温度并不是晶粒生长的主要原因,Ti空位的存在起到抑制晶粒生长的作用.x≥0.07时,(Ba_(1-x)Eu_x)TiO_3陶瓷为大于5μm的粗晶粒陶瓷,说明Eu含量的继续增加不能抑制晶粒生长.     

Li元素对Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷压电性能的影响

针对目前无铅压电陶瓷的压电常数d33偏小的情况,采用传统的固相反应烧结方法制备得到了高压电性能的Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷Bi0.5(Na0.7K0.3-xLix)0.5TiO3(x=0.04,0.08,0.12,0.16,0.20),研究了Li元素的添加量对陶瓷的烧结温度以及压电性能的影响.研究结果表明,Li元素对K的替代可以降低陶瓷的烧结温度,提高样品致密度,适量的Li可以大幅度提高陶瓷的压电性能.陶瓷样品的压电常数d33和平面机电耦合系数kp随着Li含量的增加先增大后减小,在1 090 ℃的烧结温度下,Li含量x=0.08时的陶瓷样品表现出最佳的压电性能,压电常数d33=212 pC/N,平面机电耦合系数kp=33%.     

异形BaTiO3晶粒的制备与表征

为了获得片状BaTiO3陶瓷模板,在KF-NaF-BaTiO3伪三元体系中采用凝固法制备了异形BaTiO3晶粒粉体,表征了该粉体的结构和形貌.研究结果表明：不同原料配比制得的BaTiO3晶粒的大小、形态和相的纯度有显著的区别;以97.8（3KF-NaF）-2.2BaTiO3原料配比制备的粉体中BaTiO3含量高,BaTiO3晶粒形态大多呈片状,晶粒尺寸分布均匀.     

包覆MgO对BaTiO3基陶瓷性能的影响

采用均匀沉淀法将MgO均匀地包覆在BaTiO3基陶瓷粉体表面,制备包覆MgO的BaTiO3基陶瓷复合粒子,研究了不同包覆量对BaTiO3基陶瓷的微观结构、微观形貌、介电性能、绝缘性能和击穿电压的影响。实验表明：包覆剂MgO能有效抑制晶粒长大,从而获得晶粒均匀的陶瓷,此细晶效应是由于晶界区MgO的抑制作用;MgO有助于形成“壳-芯”结构晶粒,降低并展宽BaTiO3基陶瓷的ε峰,增加电阻率和击穿电压强度。     

0．992K0．5Na0．5NbO3-0．008BiFeO3无铅压电陶瓷制备及压电性能研究

以水热法制备的0．992K0．5Na0．5NbO3（BF）粉体等为原料,采用常压烧结法在1065℃下烧结2h制备了0．992K0．5Na0．5NbO3-0．008BiFe03无铅压电陶瓷,并研究了BiFeO3掺杂对0．992K0．5Na0．5NbO3-0．008BiFeO3无铅压电陶瓷结构和压电的影响．研究结果表明：BiFeO3掺杂使K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷正交相减弱,晶粒尺寸由6／2m减小到1μm;压电性能有一定提高,压电常数（d33）、机电耦合系数（kp）分别达到120pC／N和37．8,居里温度Tc由444．4℃减少至420．6℃．     

Electric characteristics of Nd_2O_3 doped BaTiO_3 ceramics

0　INTRODUCTIONBaTiO3hasbeenextensivelystudiedandwidelyuti lizedasaceramicmaterialforelectronicapplications .TheuseofadditivespermitsvaryingoftheCurietemperatureandpresentsapeculiarvariationoftheresistancewithtemperature[1,2 ] .Commonadditivesaredopantionssuchasyttrium ,whichsubstituteforbariumandpromotean typesemiconductivity .Therare earthelementsinBa TiO3ceramicscouldlowertheresistivitiy ,improvethedi electriccharacteristicsanddecreasethesinteringtempera turenoticeably[3,4 ] ,sotheim…     

钡钙锶共掺杂钛酸铋钠无铅压电陶瓷的制备及性能

采用溶胶-凝胶法制备工艺制备了（1-x）（Na0.5Bi0.5）TiO3-xBa0.092Ca0.03Sr0.05TiO3（x=0.04、0.06、0.07、0.08）系无铅压电陶瓷。研究了陶瓷的铁电、压电性能和显微结构。结果表明,该体系陶瓷在x=0.06时,其压电常数d33,机电耦合系数kp,厚度耦合系数kt,相对介电常数rε,介质损耗tgδ,分别为152,0.24,0.47,1 250,0.04。     

溶胶-凝胶法制备 Ni0.5Zn0.5Fe2O4纳米材料特性的研究

利用溶胶．凝聚法制备了Ni0.5Zn0.5Fe2O4粉末材料,烧结温度范围600℃-950℃。对材料的结构、红外、磁学和微波吸收特性进行了研究。材料的XRD图谱和原子力显微镜形貌观察表明,材料在纳米尺度范围之内。在500cm-1--600cm-1波数范围内,材料具有明显的红外吸收特性。材料的晶粒尺寸随着烧结温度的提高而增加,且较高温度烧结的材料具有相对低的矫顽力和饱和磁场。利用反射衰减实验研究材料在6GHz--10GHz波段范围的吸波特性,结果表明,0．33mm厚度的样品在常温下的反射衰减达到1．8dBm。     

Microstructure, crystalline phase and electrical properties of Li0.06（Na0.5K0.5）0.94Nb（1-2x/5）MgxO3 lead-free piezoelectric ceramics

MgO-modified Li0.06(Na0.5K0.5)0.94NbO3(L6NKN) lead-free piezoelectric ceramics were synthesized by normal sintering at a relatively low temperature of 1000°C.The crystalline phase,microstructure,and electrical properties of the ceramics were investigated with a special emphasis on the influence of MgO content.The addition of MgO effectively improves the sinterability of the L6NKN ceramics.X-ray diffraction analysis indicates that the morphotropic phase boundary(MPB) separating orthorhombic and tetragonal ph...     

Synthesis and Piezoelectric Properties of Lead-free (Bi_(0.5)Na_ (0.5))_ 1-x(Ba_aSr_b)_xTiO_3 Ceramics

planarelectromechanicalcouplingfactor;piezoelectricchargeconstant1Introduction Leadoxide basedpiezoelectricceramics,suchasPb(Ti,Zr)O3(PZT),arenowwidelyusedinvariousappli cationssuchastransducers,filters,oscillatorsandactua torsbecauseoftheirsuperiorpiezoe…