微带巴仑双极PIN管电调衰减器分析与设计

本文分析了一种具有微带已仑结构的双极PIN管电调衰减器，该衰减器结构合理，衰减动态范围大，并可以实现双极衰减特性。文中给出了设计方法和实验结果。实验表明，该衰减器在2.10～2.30GHZ电调范围±5V内最大衰减可达35dB。     

CATV放大器工作原理及应用(3) 放大器的衰减器

(上接第 19期 )衰减器在ＣＡＴＶ系统具有广泛的用途 ,在放大器中 ,用衰减器调节增益输出 ,在分支分配中用衰减器增大衰减量 ,以适应特殊的线路要求 ,可以说正是由于衰减器的存在 ,才使得系统调试变得得心应手 ,我们可以想像得出 ,如果没有衰减器系统将会如何。衰减器常由电阻组成 ,这种网络没有电抗元件 ,因此只有幅度的衰减 ,没有相移 ,所以衰减器能在很宽的频率范围内工作。1　衰减器的分类按大的分类 ,衰减器分为有源衰减和无源衰减器 ,有源衰减器也叫电调衰减器 ,它是通过控制电压的变换改变可调元件的阻值的变化 ,从而得到变化的衰减…     

最大衰减90分贝的PIN电调衰减器—调制器

<正> 本文给出L波段薄膜微带吸收型PIN电调衰减器—调制器的设计。该衰减器—调制器在超过工作频率700—1400MHz的整个倍频程范围内,衰减量随偏置电流的变化具有良好的线性,其最大衰减可达90dB、插入损耗小于2dB、输入电压驻波比小于1.6。本文给出两种PIN二极管的衰减特性,     

吸收式低相移电调衰减器

南京电子器件研究所研制成功了ＷＳＢ１００１型吸收式低相移电调衰减器。研制中提出了一种简便的实现低相移的方法。将衰减器与移相器技术结合起来，通过计算机优化设计，保证了衰减器在偏置电流加大、衰减量连续增加下，在整个动态范围内，任意态相对初始态的相位变化很...     

0.5～10GHz小型微波电调衰减器

本文介绍一种小型微波电调衰减器。电路采用微型器件,结构紧凑,尺寸小,工作频带宽,插入损耗小,电调衰减量适中,非常适用于微波平面电路系统。也可装上同轴接头,构成小型同轴电调衰减器。     

电调衰减器驱动电路的设计

自动电平控制系统是微波信号源等信号发生设备中用于保证输出信号快速、稳定达到设定功率的关键电路，其中电调衰减器是自动电平稳幅电路中用于连续、单调调节通道增益、信号幅度的重要器件。电调衰减器在良好驱动信号的激励下，衰减量可以连续、线性单调变化，并能提供射频通道的良好匹配。本文根据自动电平稳幅设计的需要，结合电调衰减器驱动信号的特点，介绍了一种电调衰减器驱动电路的设计方法，通过该方法设计的驱动电路能够准确的模拟电调衰减器驱动信号的特征，且电路简单、成本较低，方便调试与实现。     

一种双极性电调衰减器的设计

电调衰减器作为一种重要的有源控制器件,被广泛应用于射频微波电路中,其中PIN二极管电调衰减器最为常见.该文在理论研究的基础上,设计了一个工作在V/UHF波段的双极性电调衰减器.该电调衰减器的工作频段为30MHz ～ 512MHz,波段系数较高,属于超宽带微波器件,电调衰减器采用双极性结构设计,在工作频带内,电调衰减器的动态范围大,可达60dB以上,同时带内平坦度≤±0.5dB,与市场上同类产品相比,该双极性电调衰减器的性能极具优势.     

宽频带毫米波匹配型PIN衰减器

<正>PIN电调衰减器可分匹配型和反射型二种.常用的是匹配型衰减器;而反射型衰减器一般要配有隔离元件才能使用,所以实用价值较小.有关毫米波段PIN电调衰减器,迄今虽未见有产品报道;但实验型毫米波段的PIN电调衰减器已有报道,其结构均是采用鳍线插入单脊或双脊波导中.对毫米波段匹配型PIN衰减器,文献[1]作了尝试;采用了双向鳍线结构,将衰减管与匹配管分别接于鳍线的两面;这种结构的衰减器,其缺点是衰减量受到限制.这是由于微波能量不可能集中到双向鳍线的一个侧面的衰减管上.文献[1]所报导的典型结果是:工作频带为28—40千兆赫,零偏插损     

1-18GHz GaAs单片集成电调衰减器

本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1～18GHz范围内,插入损耗为2.0～2.7dB,各衰减状态下的输入和输出电压驻波比≤2.0,最大衰减量达20dB.在9GHz下的1dB插入压缩点功率为300mW.     

程控衰减器设计技术

程控衰减器采用数字控制和电调衰减器相结合的方法, 电路的衰减量随数字量的大小呈线性变化。本文主要介绍电路设计和温度补偿技术。     

一款高精度大衰减量单片数控衰减器

介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3～100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5～63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。     

高功率微波可变衰减器

介绍了高功率微波可变衰减器的设计和测量结果.刀形衰减器的衰减片由通水的聚四氟乙烯制成,利用槽波导技术和截止波导技术,降低了衰减器的漏能。衰减量的变化范围是0-10dB。在工作频段内除少数测量点之外，驻波比小于1.1，可以安全使用。     

太赫兹波导固定衰减器的设计

随着太赫兹技术的迅速发展,太赫兹系统中使用的波导衰减器也成为研究热点。波导衰减器可以对太赫兹信号实现精确衰减和控制功率传输,在解决损耗、辐射和干扰等一系列问题中,具有特殊意义和不可替代的地位。而目前的波导衰减器将衰减片平行于电场放置在矩形波导内,破坏矩形波导传输线,容易造成射频泄露。本文基于吸收式波导衰减器工作原理,提出了一种衰减片垂直于矩形波导电场的波导固定衰减器,通过将衰减片贴在波导内壁,保证传输线完整。使用高频电磁仿真软件HFSS,通过改变衰减片的形状、位置等参数,优化回波损耗、衰减精确度等指标,最终完成110~170 GHz波导固定衰减器的研制。在110~170 GHz频率范围内,衰减器的回波损耗小于-27.5 dB,在20 dB的衰减时,衰减精确度小于±2 dB。     

激光损伤测试系统衰减片参数的改进遗传算法优化

光学元件激光损伤测试系统中的轮盘式衰减器衰减片参数的选取直接影响测试精度。本文采用遗传算法,采用实数编码的参数编码方式,适应度值排序和随机选取结合选择算子,杂交算子中选择随机交叉两个必然产生交叉的个体的部分基因,变异算子根据交叉概率的大小对个体进行位操作,经此改进的算法对激光损伤测试系统中的机械式激光能量衰减器的3组15片衰减片进行了参数优化。优化结果表明:15片衰减片中选取8种不同衰减率,经优化后输出的能量衰减率间隔小于测试激光能量的3 %,线性度误差为12.4 %。     

A Side-Arm-Switched Directional Coupler as a Single-Step Attenuator of High Long-Term Stability

This paper describes a single-step attenuator for values below 0.1 dB of very high long-term stability. This uses a directional coupler with a fixed short circuit at one coupled port and a switchable match-or-short at the other. The value of the attenuation step in the transmitting path is governed by the coupling and thus very small steps may be achieved readily. The attenuator is analyzed in full and relationships for a leaky directional coupler are given, together with a flowgraph model of a nonideal coupler.     

AlN-C(石墨)复相材料微波衰减性能的研究

采用热压烧结工艺,通过合理的烧结温度及保温时间的控制,制备了性能优异的AlN-C复相微波衰减材料。通过网络分析仪、SEM等测试手段,研究了衰减剂C含量对AlN-C复相材料微波衰减性能的影响,结果表明,当衰减剂C含量极小时(w≤1.0 %),AlN-C复相材料不具备衰减电磁波的特性;当衰减剂C含量为3.0 %～5.0 %时,AlN-C复相材料呈现良好的宽频衰减特性;当衰减剂C含量大于7.0 %时,AlN-C复相材料呈现明显的选频衰减特性,且随着C含量的增加,材料的衰减量增大,有效衰减带宽减小,中心谐振频率f0有向高频漂移的趋势。对AlN-C复相材料的频谱特性进行了初步的分析。探讨了AlN-C复相材料的微波衰减机理,电导损耗、界面极化损耗是其主要的微波衰减机理。     

一种可连续调谐空间光学衰减器的研究

可调谐空间光学衰减器在各类光电系统中具有广泛的应用前景。基于法布里-珀罗多光束干涉原理,创新性地设计了一种适用于相干光束的可调谐空间光学衰减器,该衰减器选取在红外波段具有较高折射率的硒化锌晶体作为材料,结合温度控制系统,实现光功率的调谐。采用Nd:YAG激光器作为光源,对该衰减器的性能进行测量,其调谐范围可以达到3 dB。理论分析表明,相对于热膨胀系数,硒化锌材料的热光系数是决定衰减器性能的关键参量。此外,通过在硒化锌光学平板前后表面镀高反膜,可进一步提高调谐范围。     

Ku波段6bit数字衰减器MMIC的小型化设计

基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。     

光控毫米波介质波导衰减器和移相器研究

本文介绍了两种光控介质波导衰减器和移相器.一种是用高阻硅制成的介质波导.计算表明,由于高阻硅中非平衡载流子的扩散长度较长,由光照产生的电子-空穴对将分布在整个介质波导内,因此这种衰减器有较好的线性.另一种是用高阻硅薄片覆盖在陶瓷介质波导上组成的.用带修正的有效介电常数法计算了这种由两层高介电常数材料制成的介质波导的轴向传输常数、衰减常数和相位常数.实验测量了这两种结构的衰减量、相移量,并与理论计算作了比较.     

A low phase shift attenuator

A PIN diode attenuator with an average of 0.25°/dB phaseshift between 2.5 GHz and 5.3 GHz has been modelled and constructed. In particular the attenuator has similar phase at 0 dB and 12 dB of attenuation to within 0.5° over most of the band. The input match is better than 10 dB over the attenuation range of 0 to 10 dB