正交试验设计及其在电镀参数优化中的应用

1 正资试验设计1.1 前言 正交试验设计是用正交表安排多因素试验的一种试验设计方法,是一种经过优化了的试验方法,可用最少的试验次数最大限度地获取有关各因素的效应及各因素间交互效应的信息。正因如此,正交试验设计在科研试验中获得了大量的应用。     

基于正交试验设计的中强度铝合金导线开发

在中强度铝合金导线开发中,对合金的配方和工艺分别采用正交试验设计,通过正交试验获得了中强度铝合金线的最佳配方和工艺。开发的中强度铝合金导线不仅产品性能优异,而且稳定性好。     

分层叠加技术在平衡区组正交表中的适用性研究

结合区组设计的平衡性和组合正交性等特点,分析传统正交表的设计方式和相遇平衡概念的推广方法。引入矩阵象理论,把正交表的分层叠加方法应用在平衡区组正交表中,逐步推算证明并以算例验证该分层叠加技术的适用性,能有效拓展平衡区组正交表的构造技术,保持了分析过程中正交表数据的正交性,并减少试验次数,提高试验效率。     

基于统计的高密度CCGA封装热循环寿命预测方程

利用ANSYS有限元软件建立了CCGA-1144全阵列三维1/8模型,分析了焊柱在热循环条件下的应力应变情况,提出疲劳寿命预测模型.并对CCGA结构进行可靠性正交试验设计,利用有限元方法预测了正交试验各方案的疲劳寿命,并利用统计学方法分析了不同结构参数变化对疲劳寿命的影响,建立了寿命预测回归方程.     

半导电塑料配方试验

本文简述了半导电塑料作为电缆屏蔽的作用及对半导电塑料性能的要求。介绍了利用正交试验设计方法进行半导电聚乙烯的配方试验,并利用正交试验法分析试验结果,得到了用于高压脉冲电缆的较佳配方。     

380(Al—Si—Cu)铝合金“熔炼工艺及取样规范”中的几个实践问题

本文作者曾在本刊1986年第7期上发表过题为“对380铝合金熔炼工艺及取样规范的探讨”的文章,主要介绍了应用正交设计法进行压铸取样的试验情况。对正交试验中的固定因素一浇排系统和变化因素中的熔炼温度、浇注温度,压射比压的水平进行调整后设计正交试验表,择其较好的工艺组合条件重复验证,均取得较好试验结果,本文补充对上述几个实践问题的分析。     

舰载舷外有源诱饵试验设计与分析

分析了影响舰载舷外有源诱饵干扰效果的因素,利用正交设计的方法对舰载舷外有源诱饵干扰效果试验进行了设计,并采用方差分析法对试验数据进行了分析。     

用正交试验法优化条形LED显示器的出光性能

考虑了生产过程中影响条形LED显示器的出光均匀性和亮度的五种影响因素：环氧、散射剂、散射剂占环氧主剂的质量百分比、出光高度、芯片间距,并对每种影响因素各取三到四个不同水平进行正交试验.通过对正交试验的数据分析和后续的试验,确定了最合适的封装工艺,得出了生产中使出光均匀性一致,光亮度达到应用要求的产品.     

基于正交试验方法的Si基碲镉汞工艺优化

采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小。使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61 sccm,生长速率为1.5 μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500 cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5 μm。     

M-CPFSK信号的定时与频偏联合估算分析

目前已有的定时频偏联合估计方法仅仅解决了正交高阶连续相位频移键控(M-CPFSK)信号的同步问题,但仍无法直接应用于非正交信号的解调中。针对这一问题,通过对非正交M-CPFSK的基带采样信号进行幂变换,修正了信号的调制指数,使其满足了联合估计算法中的信号正交性。新方法实现了非正交情况下M-CPFSK信号的精确同步,并在加性高斯白噪声信道条件下对估计性能进行了理论分析和试验仿真。仿真结果及性能分析均验证了新算法的有效性和可行性。     

基于响应面分析的RFID应用部署测试优化设计

RFID技术近年来取得快速发展,成为物联网的关键技术之一.利用试验设计方法对RFID应用部署测试进行了优化,借助正交试验设计方法在多因子多水平的条件下迅速制定测试计划,了解组合测试中多因子对测试结果影响的主次因素和规律,有效地解决组合爆炸问题.还通过多元线性回归分析和最小二乘估计建立响应面方程拟合多个自变量与因变量之间的关系,分别通过正交试验、零水平点拟合试验和最速上升试验快速获得优化方案,从而为在复杂环境条件下提高RFID系统性能,预测部署效果,优化部署条件提供可靠的保证.     

微孔沉镀铜前处理研究

对微孔金属化前处理进行了深入的研究。利用正交实验确定了等离子清洗的最佳条件,利用全面实验研究了等离子清洗,超声波清洗,PI调整等在微孔沉镀铜方面的应用,并通过重复性实验证明了以上实验结论的可靠性,从而实现了在公司现有条件下微孔金属化的目标。     

SiC单晶片化学机械抛光工艺参数模型的研究

Firstly, this paper presents an orthogonal test of six factors and five levels, called the chemical mechanical polishing （CMP） process parameters experiment, for determining the best process parameters and ranking the influencing factors from primary to secondary. The three most important factors are the polishing pressure, the polishing liquid concentration and the relative velocity ratio of polishing disk to polishing carrier. Then, based on this analysis, the three factors and three levels of the quadratic orthogonal regression test are put forward. A math- ematical model impacting the surface roughness has also been set up. Finally, this work has achieved a polished wafer, whose material removal rate （MRR） is in the range of 70-90 nm/h and the surface roughness （Ra） is between 0.3 nm and 0.5 nm.     

正交设计及D最优设计在陀螺测试中的应用

该文将正交设计和D最优设计的理论应用于动调陀螺的位置测试中。根据回归模型,采用最小二乘法,并在D最优的准则下进行了动力调谐陀螺仪(DTG)测试试验方案设计,文中给出了具体的最优6、8和12位置的设计方案。通过对各设计方案的信息阵的数据分析可知,最优8位置比传统8位置的设计要好,且8和12位置的方案比其他位置的方案好。为了验证设计出的最优方案,我们进行了6、8、12位置及传统8位置的实验,对实验数据进行方差分析后所得结论与理论分析一致。     

去钻污的方法

论述了钻污产生的原因,以及去钻污的方法,同时讨论了由于处理不当可能引起的不良影响。     

钽粉氧含量对其钽阳极漏电流的影响

在多年实践经验基础上，用氧含量Ｘ１（质量分数）０．２０％～０．３８％的四种钽粉，控制钽阳极中残余氧含量Ｘ２（质量分数）在０．０８％～０．２０％间，采用正交设计实验研究了对其漏电流的影响，并建立了漏电流峰值ＩＬ和Ｘ１、Ｘ２间的预示方程，描述了漏电流和钽粉氧含量（Ｘ１）、残余氧含量（Ｘ２）间的关系。随后，用预示方程讨论了钽中氧和钽阳极中残余氧对其漏电流的影响。     

Predicting software development errors using software complexitymetrics

Predictive models that incorporate a functional relationship of program error measures with software complexity metrics and metrics based on factor analysis of empirical data are developed. Specific techniques for assessing regression models are presented for analyzing these models. Within the framework of regression analysis, the authors examine two separate means of exploring the connection between complexity and errors. First, the regression models are formed from the raw complexity metrics. Essentially, these models confirm a known relationship between program lines of code and program errors. The second methodology involves the regression of complexity factor measures and measures of errors. These complexity factors are orthogonal measures of complexity from an underlying complexity domain model. From this more global perspective, it is believed that there is a relationship between program errors and complexity domains of program structure and size (volume). Further, the strength of this relationship suggests that predictive models are indeed possible for the determination of program errors from these orthogonal complexity domains     

PTH制程的稳定性控制

简单介绍了碱性离子钯活化体系在PTH制程中的应用,通过正交试验优化PTH重要工艺参数。介绍了PTH常见故障及其排除方法,分析了多层线路板生产中去钻污段调整对化学沉铜过程的可能影响机理。阐述了PTH制程中去钻污对背光稳定性的贡献及传统PTH制程对高厚径比板件孔金属化过程的控制方向。     

挠性印制板和通孔镀：挑战和解决办法

叙述了挠性板制作中的若干问题,并讨论了在通孔镀中的预处理和去沾污的问题。     

弛豫铁电陶瓷最佳退火条件的正交试验法

采用正交试验法,通过计算水平均值和极差,运用直观分析来确定因素的最佳水平组合和因素的主次顺序,寻求退火的最佳实验条件。根据最小二乘法原理,给出了测量数据真值的最佳估计值。采用正交试验法获得的最佳退火条件对Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3弛豫铁电陶瓷试样进行热处理,介电常数显著提高,最大增幅达137%,高于已有的报道130%[J.Appl.Phys.2002,92(5)]。实验结果表明:运用正交试验法进行退火是研究弛豫铁电陶瓷改性的一种有效途径。