NMOSFET器件不同源、不同γ剂量率辐射损伤比较

利用不同剂量率γ射线、低能(小于9MeV)质子和1MeV电子对CC4007RH、CC4011、LC54HC04RH NMOSFET进行了辐照实验,结果表明,在＋5V偏置条件下,9MeV以下质子造成的损伤总是小于⁶⁰Co,而且质子能量越低,损伤越小;对于同等的吸收剂量,1MeV电子和⁶⁰Co造成的损伤差别不大;在高剂量率γ射线辐射下,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因,在接近空间低剂量率辐射环境下,LC54HC04RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷,而CC4007RH器件则是氧化物陷阱电荷.     

海面目标星载微波辐射无源探测技术研究

为了全天时、全天候、隐蔽性探测海面舰船目标,提出将高分辨率综合孔径微波辐射计作为星载微波辐射无源探测系统,用于探测海面舰船目标.提出一种新方法用于定量化评估微波辐射无源探测系统探测目标的能力;建立系统关键指标、目标微波辐射截面和探测距离间的关系,分别推导微波辐射无源探测系统的探测概率方程和探测距离方程;开展仿真分析和机载验证实验,其结果均表明高分辨率星载综合孔径微波辐射无源探测技术探测海面舰船目标是可行的.高分辨率星载微波辐射无源探测系统可作为我国天基预警体系的重要补充.     

电荷耦合器件辐射效应理论分析与模拟试验方法研究

分析了CCD电离效应和位移损伤机理,建立了一种国产埋沟CCD器件物理模型,实现了CCD信号电荷动态转移过程的数值模拟,计算了1MeV、14MeV中子引起的CCD电荷转移效率的变化规律.建立了线阵CCD辐照效应离线测量系统,实现了CCD辐射敏感参数测试.利用Co-60γ源和反应堆脉冲中子,开展了商用器件总剂量和中子位移损伤效应模拟试验,在不同辐照条件下,给出了暗电流信号、饱和电压信号、电荷转移效率以及像元不均匀性的变化情况.     

混响室及其进展(上)

电磁兼容领域的辐射测量主要包括辐射发射、辐射抗扰度、场对电缆的耦合以及屏蔽效能等.当前国内用于这方面的场地与设施(以下均简称场地)主要是开阔场,半电波暗室以及TEM Cell和GTEM Cell.在辐射测量中,场地引起的测量不确定度往往可能大于仪表引起的.此外,不同的场地又附带有不同的缺点与问题,因而几十年来测量场地一直是人们关注的热点问题.本文仅就近年来发展迅速、优点突出,并已为IEC 61000-4-21(草案)标准所规范,但尚未引起国内重视的混响室(Reverberation Chamber)进行阐述.目的是引起国内同行们的关注.     

用于抗闭锁的辐射敏感开关

介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关.设计的辐射敏感开关在"闪光I"瞬时辐射模拟源上进行了实验考核.实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的.     

浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析

比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同,分析了其不同的原因.与SRAM相比,浮栅ROM器件出错时的14MeV中子注量阈值高5个量级;31.9MeV质子注量阈值高4个量级;总剂量损伤阈值相差不大,都在10⁴rad(Si)量级左右.这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的.在空间辐射环境中,不需经常擦写数据的情况下,应该选用浮栅ROM器件.     

太阳辐射试验技术

太阳辐射试验用于评价阳光辐射对产品所产生的热效应或光化学效应.在目前已知的辐射灯源中,氙弧灯输出的光谱最接近自然太阳光.进行太阳辐射试验时,应根据产品寿命期的预期环境条件、产品本身的结构、材料特性和用途来确定辐射强度、温度、试验持续时间等试验参数和选择试验程序.应确保太阳辐射试验所用的装置满足试验的要求.在试验时应注意受试产品的安装方式,并采取相应的措施来防止紫外辐射、有害气体、爆炸、电击等对人体的伤害.     

面源红外诱饵技术特性及材料组分研究

介绍了国外2种典型面源红外诱饵的技术特征,对红外成像制导导弹制导过程进行了分析,研究了面源型红外诱饵干扰红外成像制导导弹的干扰模式,分析了面源型红外诱饵的光谱辐射特性、辐射对比度、辐射时间特性和辐射面积特性,探讨了2类主要面源型红外诱饵材料的化学组分及燃烧辐射特性等.     

NaI(Tl)闪烁探测器性能随温度变化实验

采用高低温试验方法探究了温度变化对NaI(Tl)闪烁探测器性能及能谱测量的影响,观察能谱并以常温25 °C为基准,计算137Cs的0.662 MeV、60Co源1.173 MeV,1.332 MeV特征峰位道址、γ射线全能峰计数率、能量分辨率在25 °C下相对变化值。结果为：137Cs的0.662 MeV、60Co源1.173 MeV, 1.332 MeV特征峰位道址在0 °C~20 °C范围内基本保持一致,在20 °C~45 °C范围内随温度升高逐渐降低;0.662 MeV和1.173 MeV全能峰计数率随温度变化分别在±5.19%和±4.48%范围内保持一致;3个对应能量分辨率分别在±4.3%范围内随温度变化保持一致。可看出利用γ源作为稳峰源是可行的。     

精密黑体辐射标准源

在红外技术中,黑体是一种有用的热辐射参考源,红外器件参数检测和红外整机性能评价的精度和一致性,很大程度上均依赖于辐射数据的准确性。经验指出,制造一个具有达到黑体特性的辐射标准源,比建造任何相同精度的非黑体源(如标准灯等)简单得多。因此黑体辐射标准源,广泛用于辐射仪器绝对测量的标定;用于标定红外热象仪和红外测温仪的温度;用于标定红外辐射计、红外和激光能量计、功率计的辐射能量和辐射功率;用于标定光度计、高温计的辐射功率和辐射温度等。辐射源的光谱辐射度分布应符合不同温度     

质子辐射环境下NPN输入运算放大器在不同偏置状态下的辐射效应

对NPN输入运算放大器LM741在不同偏置状态下进行了Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照以研究NPN输入运算放大器的质子辐照效应。通过比较Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照的实验结果可以发现,3MeV与10MeV质子射线辐照在LM741中主要产生电离损伤。在不同的偏置状态下,器件的损伤敏感程度不同,零偏置器件的输入偏置电流的退化明显高于正向偏置器件。对于相同吸收剂量的质子,质子通量的差别对器件的辐射效应影响很小。电源电流是另一个对质子辐照敏感的参数,Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照会对电源电流产生不同程度的影响,这是因为Co-60 γ射线辐照和3MeV与10MeV质子射线辐照引起的电离能量沉积和位移能量沉积不同     

12MeV电子辐照在硅器件中的应用

在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多有关高能加速电子辐照硅功率器件以控制少子寿命的文章.我国自1980年以来,也有一些高校、研究所和工厂对能量如1.3MeV和3～5MeV的电子辐照进行了研究,并初步用于某些硅功率器件生产线上.全面衡量各参数,12MeV电子辐照比低能电子或Co-γ辐照更有利于器件全面参数的最佳化.特别对于快速     

采用飞秒装置的高功率宽带太赫兹源

真空电子器件产生的THz辐射通常是基于环形或直线型的加速器装置。飞秒级的电子束团通过周期性的磁铁可产生高功率、宽带可调谐的相干太赫兹辐射。这种高功率的太赫兹源为太赫兹技术的应用研究提供了新的手段。介绍了一种基于飞秒直线加速器装置产生的相干太赫兹波荡器辐射源,它主要由S波段热阴极微波电子枪,磁铁和SLAC型加速管组成,该装置能够提供具有20~30 MeV能量、束团长度为100~300 fs的电子束团。波荡器采用的是Apple?鄄II型波荡器,通过调节波荡器两平行磁块的位置可以产生具有不同极化特性的太赫兹辐射。为了测量波荡器产生的相干THz辐射谱,采用改进型的迈克尔逊干涉仪来进行测量,给出了实验装置的介绍以及实验结果。     

基于相关光子宽谱段自校准辐射基准源的定标新方法

针对我国空间科学的未来发展和应用需求,以及目前星上定标和在轨定标方法的局限性,提出一种基于自发参量下转换效应的自校准宽谱段（450~1500 nm）辐射基准源设计方案。该辐射基准源系统主要由宽波段参量下转换、观测与自校准复用光路、多路光子计数与符合探测、信号采集与测量控制等4个主要功能模块构成。辐射基准源兼有星上自校准和自主观测功能,能够在不依赖于外部基准的条件下实现高精度的自校准,保障对地高精度观测,为其他卫星有效载荷提供高精度的量值传递标准。     

长波红外高光谱成像系统的设计与实现

针对长波红外高光谱系统背景辐射强以及信噪比低的特点,设计了能有效抑制背景辐射的长波红外精细分光光谱成像系统.利用杂散辐射分析软件,对系统进行了背景辐射分析,包括全波段各辐射面源对背景辐射的贡献分量、各光学通道的背景辐射、机械内壁吸收率对背景辐射的影响、以及光机内壁温度对背景辐射的影响.主要通过制冷光机系统的温度、抛光亮...     

红外气体探测仪

本发明提供一种红外气体探测仪,它由一个红外光源、两个分析探测器、一个参考探测器和一个样品室等组成．每个分析探测器接收来自红外光源的辐射，并产生代表一种相关气体的输出信号。参考探测器则用于接收预定波长的辐射．红外光源发出的红外辐射是穿过样品室到达分析探测器的。     

地物背景中金属目标的无源探测

由于金属物体的反射系数趋近于“1”,故在自然环境中,金属物体的辐射能量除与自身温度有关的辐射外,主要是反射天空的辐射能量.天空的低温使处于自然背景中的金属目标呈“冷目标特性”,而地物背景(包括各种植被)皆为辐射系数较大的“灰体”.利用金属目标与地物背景的亮度温度差对金属物体进行无源探测,通过合理的工程设计,将所测得的亮度温度差经过分析和逻辑处理,用于小型反坦克武器,导弹的末制导,金属地雷的探测等.本文通过对工程应用中辐射计的测量角、波束填充系数、工作距离之间关系的分析研究,提出一些看法.     

信息技术设备辐射骚扰诊断与对策研究

针对信息技术设备电磁辐射骚扰超标问题,通过分析辐射产生的典型模式,由外及内排查诊断,初步定位辐射骚扰源,再借助磁场探测器、电场探测器及频谱仪精确定位辐射骚扰源.根据骚扰源的特点,提出整改策略,并以液晶显示器辐射骚扰测试整改为实例加以说明.结果表明,通过分步诊断、分析、改进,可以有效减少电磁辐射骚扰强度.     

质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响

用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.     

质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响

用能量分别为350keV和1MeV,注量为1×1012和1×1013p/cm2的质子对超辐射发光二极管(SLD)进行辐照,对辐照前后器件的光学和电学性能进行了测试.结果表明,在相同注量辐照的条件下,350keV与1MeV能量质子辐照引起的辐照损伤相比,前者引起的出光功率的退化更大,造成的辐照损伤更加严重.采用TRIM程序对质子入射到器件材料中的射程分布进行了模拟,初步探讨了SLD在350keV和1MeV能量质子辐照下的损伤效应.