PZT及掺La^3＋,Nb^5＋PZT的性能初探和态密度计算

用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ＾３＋，Ｎｂ＾５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ，ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能，从理论上阐述了掺杂Ｌａ＾３＋，Ｎｂ＾５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响，用量子化学计算方法计算了样品的电子态密度，并将计算结果与ＸＰＳ测试结果作比较。     

Bi~（3＋）、K~＋、OH~－离子对水热合成PZT结晶末化学性质影响的研究

本文研究了水热条件下Ｂｉ３＋、Ｋ＋、ＯＨ－对水热合成ＰＺＴ结晶粉末化学性质的影响，并用了ＸＲＤ、ＥＰＭＡ和ＳＥＭ及原子吸收光谱分析，对水热合成ＰＺＴ结晶粉末及其烧结体进行了分析     

掺杂Fe^2＋,Bi^3＋,Cu^2＋的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结ＰＺＴ「ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」陶瓷中,掺杂了ＦｅＡ＾２＋、Ｂｉ＾２＋,Ｃｕ＾２＋等无机化合物,使ＰＺＴ陶瓷在８５０℃温度下即可烧成,密度可达理论值９８％,压电性能测定表明,其Ｋｐ值变化不大,而Ｑｍ值有较大提高。     

Ta~（5＋）掺杂的SrTiO_3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究

采用一次烧成法制备了Ｔａ５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。     

溶胶—凝胶法制备PMMN陶瓷

用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备了ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＴ）基四元系压电陶瓷（ＰＭＭＮ），经Ｘ射线衍射分析，扫描电镜及密度测试表明，材料主晶相为四方晶系，所得陶瓷致密，晶粒均匀，具有较好介电性能。     

PZT多元系固溶体压电陶瓷正电子湮没研究

测量了不同组成的ＰＺＴ多元系固溶体陶瓷中的正电子寿命谱，发现陶瓷晶粒内存在大量空位型缺陷。根据测得的寿命谱参数，得到反映该压电陶瓷完整性质的自由态湮没寿命Ｔｆ值，ＰＺＴ含量相同时，样品的Ｔｆ基本保持不变，     

Ta^5＋掺杂的SrTiO3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究

采用一次烧在法制备了Ｔａ＾５＋掺杂的ＳｒＴｉＯ３系复合功能陶瓷，测试了样品的介电性能，分析了晶粒的半导化机理，并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。     

水热条件下易烧结PZT粉体合成的影响

用水热法合成了低温烧结用ＰＸＴ「Ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」粉体。探讨了水热条件下对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Ｆｅ＾２＋,Ｂｉ＾３＋,Ｃｕ＾２＋等离子化合物,经Ｘ－ｒａｙ,ＳＥＭ,ＴＧ－ＤＴＡ及比表面积的测定。表明：当反应介质为４ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ,时间２ｈ,反应温度２００℃时合成后的粉体有良好的烧结性,。粉体中外加了微量ＢＣＷ「Ｂａ（ＣＸｕ０．５Ｗ０．５）Ｏ３」,     

ITO衬底上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶, 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后, 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向, 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明, Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高, 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ , 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ , 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ , 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。     

ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ３＋ 荧光粉的制备、性能及第一性原理计算

运用高温固相法合成 ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ^３＋,用 Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）、能谱仪（ＥＤＳ）以及荧光光度计（ＰＬ） 对合成产物的结构、组成和发光性质进行了研究。结果表明：少量掺杂 Ｈｏ不会影响基质的晶体结构,Ｈｏ 均匀分布在基质材料中;荧光材料呈现出 Ｈ ^３＋的特征发射,发光区域在绿色区域,当掺杂量为 ０.０３ｍｏｌ 时发射强度最大;掺杂后计算得到 ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ^３＋的 ＶＢＭ和 ＣＢＭ之间的带隙值为 ５.５３ｅＶ,相对掺杂前略微减少,且 ＳｒＢＰＯ５∶Ｈｏ ^３＋体系属于直接带隙结构,有利于发光;Ｈｏ的掺杂在费米能级附近引起杂质能级。     

自蔓延高温合成法（SHS）制备致密的Al_2O_3－TiC陶瓷

采用电热爆－加压法（ＥＴＥ－Ｐ）和燃烧合成制粉＋加压法（ＳＨＳ＋ＨＰ）制备了致密的Ａｌ２Ｏ３陶瓷．研究表明，ＳＨＳＡｌ２Ｏ３－ＴｉＣ陶瓷的力学性能和切削性能均优于采用传统热压方法所制备的Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ陶瓷刀具，并对ＳＨＳＡｌ２Ｏ３＋ＴｉＣ的的显微结构及致密化机制作了研究．     

烧成温度对PTC陶瓷性能的影响

本文通过 Ｂａ０８０ Ｐｂ０．２０）Ｔｉ１．０１Ｏ３＋０．１５ａｔ％Ｎｂ２Ｏ５＋０．１５ａｔ％Ｌａ２Ｏ３＋ｘＦｅ２Ｏ３＋ｙＭｎＯ２形成中的受主物质含量（ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％）的变化做了烧结实验研究,分别讨论了烧成温度对单。双受主掺杂配方的ＰＴＣ陶瓷性能的影响。实验结果表明：在受主掺杂ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％的范围内存在最佳烧成温度１１５５℃～１１６５℃,使ＰＴＣ陶瓷具有较好的性能。     

槲皮素-TOPO(TX-100)-SDS体系荧光法测定镥、钇、钪、钆、镧

研究了Ｌｕ３＋、Ｙ３＋、Ｓｃ３＋、Ｇｄ３＋、Ｌａ３＋等几种Ｌ＊－Ｌ发光型稀土离子与槲皮素－ＴＯＰＯ（ＴＸ－１００）－ＳＤＳ组成体系的荧光特性、影响因素及分析应用。于最佳条件下,测定上述稀土离子的最低检测限可达０．０１ｍｇ／Ｌ。探讨了ＴＯＰＯ（ＴＸ－１００）－ＳＤＳ对Ｌｎ－槲皮素二元体系的增敏机理。采用多点增量标准加入法测定了合成重稀土混样中的镥     

—μr＋α（x）u=b（x）u^（n＋2）／（n—2）＋g（x,u）的正解

讨论了方程－Δｕ＋α（ｘ）ｕ＝ｂ（ｘ）ｕ＾ｐ＋ｇ（ｘ，ｕ）（Ｐ＝（ｎ＋２）／（ｎ－２），ｎ≥３，Ｂ（Ｘ）≥１，Ｘ∈Ω）在Ｒ＾ｎ中有界区域Ω上的正解存在性。     

Sr(Ba)_(1-X)La_XTiO_3(X=0.0,0.2)化合物的高温高压合成与XRD研究

本文首次采用高温高压固相反应法合成了Ｓｒ１－ＸＬａＸＴｉＯ３（Ｘ＝０．０，０．２）与Ｂａ１－ＸＬａＸＴｉＯ３（Ｘ＝０．０，０．２）样品，进行了Ｘ射线衍射谱ＸＲＤ测试．研究了稀土掺杂下高温高压合成规律及其结构性质，从高温高压极端条件合成这一领域为高温超导的研究打下了实验基础．     

ITO衬度上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ锆钛酸铅（ＰＺＴ）溶胶,在ＣＶＤＥ法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ）／玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退事,用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试了膜的结晶取向,用ＲＴ６６Ａ测试了膜的电学性能。结果表明,Ｓｏｌ－Ｇｅｌ 膜在ＣＶＤ法生长的ＩＴＯ衬底上能正常结晶,但结晶温度比在Ｐｔ衬底上略高,结晶取向以〈１１０〉为主取向。     

红外光谱研究螯合树脂对金属离子的选择性（Ⅱ）氨基膦酸型树脂对稀土元素的选择吸附

本文通过分析氨基膦酸树脂ＳＬ—４１１，ＳＬ—４６７和ＮＰ—５００吸附稀土离子Ｌａ（３＋），Ｓｍ（３＋）和Ｈｏ（３＋）所形成稀土树脂盐的红外光谱中Ｃ—Ｎ—Ｃ谱峰的位移值，获得了ＳＬ一４１１，ＳＬ－４６７和ＮＰ—５００树脂对Ｌａ（３＋），Ｓｍ（３＋），Ｈｏ（３＋）的选择性次序为Ｓｍ（３＋）＞Ｈｏ（３＋）＞Ｌａ（３＋）。观察到Ｃ—Ｎ—Ｃ谱峰的位移值随负载量的增加而增大。有可能通过红外光谱法来测定氨基膦酸树脂对金属离子的选择性和吸附量。     

槲皮素—TOPO（TX—100）—SDS体系荧光法测定镥,钇,钪,钇,镧

研究了Ｌｕ＾３＋,Ｙ＾３＋,Ｓｃ＾３＋,Ｇｄ＾３＋,Ｌａ＾３＋等几种Ｌ＾８－Ｌ发光型稀土离子与槲皮素－ＴＯＰＯ－ＳＤＳ组成体系的荧光特性,影响因素及分析应用。于最佳条件下,测定上述稀土离子的最低检测限可达０．０１ｍｇ／Ｌ。探讨了ＴＯＰＯ－ＳＤＳ对Ｌｎ－槲皮素二元体系的增敏机理。采用多点增量标准加入法测定了合成重稀土混样中的镥。     

镧、铈比对Pd-TWC性能的协同效应

研究了以宜兴堇青石蜂窝体为载体,γ－Ａｌ_２Ｏ_３为洗涂层的Ｌａ和Ｃｅ的催化活性与Ｌａ、Ｃｅ物质量的比例关系;探讨了 Ｌａ、 Ｃｅ配比对 Ｐｄ－ＴＷＣ性能的影响．结果表明, Ｐｄ－ＴＷＣ对汽车尾气中 ＣＯ、 ＨＣ、 ＮＯ的催化活性随 Ｌａ、Ｃｅ比的不同而变化,当 ｎ（Ｌａ）∶ ｎ（Ｃｅ）＝ １∶ ４时,催化活性最好,此时,其表面过剩氧量最多; ＸＰＳ分析表明 Ｃｅ以十 ３、＋ ４价共存,且Ｃｅ~（４＋）所占比例在所有样品中最大,为６０％． Ｌａ、Ｃｅ虽为性质相近的稀土元素,但它们在提高Ｐｄ－ＴＷＣ的活性上存在明显的协同效应     

提高ZSM-5沸石催化裂化活性的研究

以ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３＝２５、３８、４６的ＮａＺＳＭ－５为原料,用ＨＣｌ、ＮＨ４Ｃｌ进行改性,并对改性样品进行水热处理（７３０℃、５ｈ、１００％水蒸气）,然后再经酸洗除铝氧碎片。用ＸＰＳ表征水热处理前后及洗除铝氧碎片后改性样品的表面组成。采用正十六烷裂解反应考察改性样品水热处理前后及酸洗铝氧碎片后的催化性能。