13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源

软X射线投影光刻能够制作出特征线宽小于0．1μm的线条。激光等离子作源的研究是软X射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源。对Sn（Z＝50）靶的激光打靶条件进行初步优化，测定了其在10～20nm波段范围内的辐射相对强度分布。     

软X射线投影光刻原理装置的设计

介绍了投影光刻技术发展的历程、趋势和软X射线投影光刻技术的特性,并介绍了软X射线投影光刻原理装置的研制工作.该装置由激光等离子体光源、掠入射椭球聚光镜、透射掩模、镀有多层膜的Schwarzchild     

激光等离子体软X射线量的初步测量

研制了一种脉冲重复频率为１０ＨＺ的激光等离子体软Ｘ射线源。采用Ｘ射线能量计对光源的单脉冲Ｘ射线能量进行了测量并讨论了其结果。     

X射线在医学,生物学方面的应用

评述Ｘ射线的医学和生物应用,涉及新开发Ｘ射线源、同步辐射和激光产生的等离子体Ｘ射线,着重论述生物样品的Ｘ射线显微术,包括哺乳动物的水合细胞和Ｘ射线的医学应用,诸如相位对比成像,高速单发成像和光子激活治疗。利用同步辐射的软Ｘ射线显微术已广泛开发,以便以低于５０ｎｍ的分辨率进行可能的观察。然而,可能需要短单脉冲曝光对水合活生物样品进行高分辨成像,以阻止布朗运动。激光产生的等离子体Ｘ射线就适合此种用途。     

软X射线显微术的一些新进展

软Ｘ射线显微术的一些新进展经过多年的努力、特别是近年来同步辐射显微实验站的运转，软Ｘ射线显微术已取得了一些新进展，其分辨率已经达到３０ｎｍ，利用投影缩小光刻术已刻出５０ｎｍ线条。利用微Ｘ射线束扫描模式得到的元素图像的分辨率已达１μｍ，利用圆偏振Ｘ射线...     

制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

Y2000-62422-1 0103757绝缘体上硅技术的发展趋势=Mainstreaming of theSOI technology[会,英]/Shahidi,G.& Ajmera,A.//1999 IEEE International SOI Conference Proceedings.—1～4(EC)0103758软 X 射线投影光刻技术[刊]/金春水//强激光与粒子束.—2000,12(5).—559～564(L)软 X 射线投影光刻作为特征线宽小于0.1μm 的集成电路制造技术,倍受日美两个集成电路制造设备生产大国重视。随着用于软 X 射线投影光刻的无污     

SXPL中用的亚0.1μm线宽抗蚀膜图形

1 引言下一代集成电路的设计要求光刻尺寸相对的小,软X射线投影光刻(SXPL)对未来的超大规模集成电路(ULSI)是最有前途的技术之一,因为它必须具有高分辨率。但是,与近贴式X射线光刻(XRL)相比,软X射线投影光刻有严重的抗蚀膜吸收大量的曝光能量问题。由于曝光波长短,焦深(DOF)短,然而,关于软X射线投影光刻中焦深的试验评价在1993年前未见报道。     

小型激光等离子体软X射线源辐射特性研究

研制了一种高重复频率小型激光等离子体软Ｘ射线源，其发射重复性涨落优于±４．５％。采用光谱学诊断方法系统研究了光源的软Ｘ射线辐射特性。     

卢瑟福的激光等离子体X射线源：现状报告

描述了卢瑟福．阿普耳顿实验室研制的紧凑激光等离子体Ｘ射线源，它采用一列皮秒脉冲以获得激光辐射到Ｘ射线的高转换效率。激光脉冲在靶上聚焦成１０μｍ焦斑，以达到非常高的辐照度。这种类型的实验室台面Ｘ射线源比商品同步辐射源要小得多，便宜得多，具有广泛的应用。同步辐Ｘ射线辐射波长可调，但激光等离子体源的Ｘ射线波长与靶材有关，在充氦的靶室中可以移动的铜或聚酯薄膜带作靶材。其应用包括生物样品三维成象的全息照相术     

45°角入射的13.1nm软X射线多层膜的研制

报道了对４５°入射角高反的１３．１ｎｍ软Ｘ射线多层膜反射镜的研制情况。利用在星光装置中进行的软Ｘ射线激光等离子体实验测量多层膜反射率的方法，获得了２６．２％的实测反射率，该反射率已达到理论反射率的７０％。     

用激光等离子体产生的软X射线研究活生物组织的超微结构

用激光等离子体产生的软Ｘ射线作光源的接触显微术，在以下几方面都优行电子显微术。首先，软Ｘ射线可穿透水，但却会被碳吸收，因此生物样品不必作任何不甘落后 化学凝固，直接在溶体环境中就可得到高分辨率的图像。其次，使用短脉冲激光保证在样品还来不及移动或被激光辐射破坏之前即可对其记录成像，因此可实现时间分辨成像。     

光学光刻和射线光刻技术的发展——参加ICO—17述评

结合对1996年第17届国际光学学会会议的简介，评述了光学光刻和X射线光刻技术的发展概况。对一些相关技术，如激光等离子体X射线源、掩模、抗蚀剂、X射线光学元件和光刻装置的发展近况也做了一些介绍。     

激光等离子体X射线源二次谐波辐射特性的研究

用脉宽３ｎｓ,功率密度１０＾４Ｗ／ｃｍ＾２的１．０６４μｍ的激光产生Ａｌ等离子体,对其二次谐波及Ｘ射线辐射进行研究。二次谐波和Ｘ射线场与靶相对于激光束焦点的位置满足一定的函数关系。二次谐波由低密度冕状等离子体产生,并存在一个丝状源,而Ｘ射线源是均匀的。实验结果表明,尽管等离子冕中的激光丝状体可明显增强Ｘ射线辐射,但在能量向高密度区传递过程中存在一种平滑效应。     

X射线通过圆柱型空心导管传输时的理论研究

近一二十年以来,由于同步辐射的广泛应用,以及超大规模集成电路光刻向短波长发展和激光等离子体相互作用诊断（特别是惯性约束聚变和Ｘ射线激光）的需要等原因激发了Ｘ射线光学研究从长期沉寂走向复苏,开辟了Ｘ射线在各门科学和技术领域的各种应用．没有一个好的仪器能对Ｘ光进行有效调控（像光学仪器有效调控可见光那样）是限制Ｘ光的应用和发展的一个重要原因．可利用空心导管中Ｘ光多次全反射来调控Ｘ光已知道多年了．但利用空心导管组成的透镜来调控Ｘ光,只是近年才在前苏联、中国和美国取得初步成功．Ｘ光透镜的出现为Ｘ光的进一步…     

脉冲等子体软X射线探测系统

研制了一种脉冲重复频率为１０Ｈｚ的激光等离子体软Ｘ射线源；设计并建立了以掠入射恒偏单色仪为基础的脉冲等离子体软Ｘ射线辐射测试系统。光源实验使用能量１０００ｍＪ（波长０．５３μｍ）的激光脉冲，聚焦在不同的金属靶上，使之离子化。这种高温等离子体产生的辐射包含了波长０．４～２０ｎｍ的软Ｘ光连续谱和迭加在其上的线谱。靶材有Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ和Ｂｉ。得到了不同原子序数的靶材辐射的光谱分布特性。     

国外光刻技术现状及发展趋势

<正> 前言光刻技术是微细加工的核心。到目前为止人们提出并采用有如下几种方式:接触式光刻;1:1反射投影光刻;直接在硅片上分步重复光刻(DSW);电子束光刻;软X射线复印;离子束光刻。     

X射线激光的新进展

自１９８４年首次实现软Ｘ射线放大以来，已经过去１０多年。在此期间，软Ｘ射线激光取得突出进展。为使软Ｘ射线激光成为实验室工具，对它进行了广泛研究，本文回顾了在多种研究途径中所作的努力和所取得的进展。采用高强度超短激光的光电场感生电离法是很有希望的一种。本文讨论了两种软Ｘ射线激光，它们分别基于光电场感生电离后产生的复合和电子碰撞激发。     

等离子体相互作用引起的总辐射场分布变化

研究了等离子体Ｘ射线源辐照另一等离子体时所形成的激光等离子体Ｘ射线（ＬＰＸ）的空间分布性质。结果显示整个等离子体二次Ｘ射线的发射性质和在相互作用中两束等离于体的空间几何位置对ＬＰＸ总辐射场的影响。指出相互作用区域Ｘ射线发射增强现象和电子密度分布极不均匀及喷流状结构。     

用于软X射线光刻的等离子体源及干涉诊断分析

阐述了等离子体的产生机理和影响软 Ｘ 射线产生的因素,利用产生软 ｘ 射线的实验系统,分析了软ｘ 射线转换效率与原子数的关系及其空间相干性。给出了等离子体的干涉诊断方法及几个重要的结论。     

“点投影”keV波段X射线吸收谱的实验技术研究

报道了一项高密度激光等离子体ｋｅＶ波段Ｘ射线吸收谱工作。实验上采用称为＂点投影（ＰｏｉｎｔＰｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）＂的靶场光学方案，成功地获得了高空间分辨（＜２４μｍ）的类氦铝１ｓ２－１ｓ２ｐ及类氖锗２ｐ－３ｄ共振吸收谱信号，为Ｘ激光及激光核聚变研究提供了一种新的参量诊断方案。