高场强下铝阳极氧化膜中相关元素的分布及其介电性能

利用俄歇电子能谱仪（ＡＥＳ）分析了高场强下不同条件形成的阳极氧化膜中相关元素的分布,分析表明膜中不同程度存在Ｂ、Ｃ、Ｐ等相关元素。测试其相应的介电性能,表明氧铝比Ｒ（Ｏ∶Ａｌ）接近于１．５时其介电性能较好。     

电子元件、组件

TN6,TM53 00040662高压铝阳极氧化膜的陷阱浓度与隧穿导电/袁战恒,徐友龙,曹婉真,邵祖发(西安交通大学)11电子元件与材料.一1999,18(6)一11一13通过对铝阳极氧化膜LV特性进行导电机理分析,比较不同R(0:AI)及不同杂质含量氧化膜的I一V特性,发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子,对空间电荷限制电流作用没有贡献,而且会降低氧化膜的隧穿起始电压,增加额定工作电压下的漏电流.图4参5(许)氢剂.表5参3(许)TM53 00040667开关电源用铝电解电容器的失效机理探讨/张勇(青岛海信电器股份有限公司)11电子元件与材料.一1 999,18(6).一21一22研究…     

高压铝阳极氧化膜形成技术

本利用俄歇电子能谱仪（ＡＥＳ）研究了高压铝阳极氧化膜不同深度的氧铝比,发现不同深度上偏离Ａ１２Ｏ３化学计量比是其介电性能劣化的原因。查明不同深度的形成技术条件,通过研究恒压下不同形成电汉时的最终电汉及三相交流形成后直流形成的Ｏ／Ａ１比,结果发现成膜速度太快和形成中氧化不足是现阶段阳极氧化膜Ｏ／Ａ１偏离的主要原因,针对氧铝比偏离１．５的多少对原形成条件作出相应调整,使铝阳极氧化 介电特笥得以优化。     

半导体与微电子技术

9909044一种新型 MCM 基板:阳极氧化多层基板[刊]/刘彤//电子元件与材料.—1999,18(1).—15～17(C)采用电化学方法,对基板上的 A1膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如MCM-C、MCM-D 比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。参7     

钽基电阻薄膜的进展

<正> 一、前言从50年代中期以后,钽逐渐成为电子元件的重要材料之一。那时,因为钽的抗蚀性强、易于阳极氧化、以及其氧化膜具有优良的介电性能,所以首先用来制造钽电容器。由于在块状形式下,钽的电阻率很小(ρ=13μΩ·cm),而电阻的温度系数(TCR)又很大,所以不适于作为电阻材料。然而,在薄膜形式下,出现了钽晶的四方结构(常     

Ba1-xSrxTiO3热释电梯度厚膜的制备和介电性能研究

钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料.采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜.厚约5 μm.研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能.X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料.扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2.     

护士睡眠自适应能力与睡眠质量的关系

钛酸锶钡(BST)组分梯度多层厚膜具有较好的综合介电性能,包括适中的介电常数、高的介电温度系数、低的介质损耗等,日益成为红外探测器、微波调制器件的重要候选厚膜材料.采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Mn掺杂6层不同组分梯度BST厚膜.厚约5 μm.研究了梯度BST厚膜的微观结构及其介电性能.X-射线衍射(XRD)分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的厚膜材料.扫描电镜(SEM)电镜显示,厚膜表面晶粒大小均匀,排列紧密,致密性好,梯度BST厚膜的介电峰温区覆盖常温,介电常数峰值为920,介电损耗约为1.8×10-2.     

高介电常数Ta/Al_2O_3复合膜的制备及性能研究

首次在溴的丙酮溶液中,以钽为阳极,氧化铝为阴极,通过直流电沉积方法制备了Ta/Al_2O_3复合膜。借助LCR数字电桥、SEM、EDS等测试手段对Ta/Al_2O_3复合膜的介电性能及微观结构进行了分析与表征。研究表明:Ta/Al_2O_3复合氧化膜的表面沉积了质量分数为41.77%的钽。与普通铝阳极(Al_2O_3)氧化膜相比,复合氧化膜的电容提高了50%以上,这主要归因于介电常数较高的钽在复合氧化膜表面的沉积。     

铝阳极氧化膜多孔质结构的电镜研究

本文针对研究开发新型自润滑阳极氧化铝功能材料的要求，用ＴＥＭ系统考察了在二种不同酸性溶液中生成的铝阳极氧化膜的微观多孔质结构，确定了孔的形态和孔隙率；并用电子束诱导结晶化的方法￣［１］确定了铝阳极氧化膜的物相结构为非晶态ｒ－Ａｌ＿２Ｏ＿３。此外，还用ＨＲＥＭ对阳极氧化膜与铝底材之间的界面进行了研究，发现了过渡层的存在，过渡层厚约４ｎｍ。     

阳极氧化膜形成液中的氯离子检测

通过对阳极氧化膜形成液现有的检测方法分析,针对介电用阳极氧化膜形成中形成液的形成能力无法真实检测的问题,利用纯铝样品作为传感探头,在不同浓度的形成液和含有腐蚀性成分的电解液中,测试样品的电流变化情况,确定了介电用阳极氧化膜形成液中的氯离子检测方法。     

电解液温度对Ta2O5阳极氧化膜结构和性能的影响

磷酸电解液中,采用阳极氧化法在高纯钽箔表面制备Ta₂O₅阳极氧化膜,通过椭圆偏振光谱仪、X射线衍射仪、X射线光电子能谱和电化学测试等,研究了电解液温度对Ta₂O₅阳极氧化膜结构、化学组成、介电性能和绝缘性能的影响。结果表明,Ta₂O₅阳极氧化膜中结合有少量的电解液阴离子,且结合的阴离子含量和分布深度随电解液温度升高而降低;Ta₂O₅阳极氧化膜介电常数和绝缘强度随电解液温度升高而增大,但过高的温度会促进非晶态Ta₂O₅晶化从而导致氧化膜性能劣化。当电解液温度从25℃升高至85℃时,氧化膜介电常数增大约3.5%,耐击穿电压提高约1%,膜中结合态阴离子的分布深度从氧化膜厚度的约1/2降低至约1/4。基于实验结果,钽在磷酸电解液中的最佳阳极氧化温度是85℃。     

铝阳极氧化膜彩色电解着色的研究

本文研究了以磷酸溶液为氧化液、锡一镍混合盐为着色液的多彩色交流电解着色体系,控制不同的阳极氧化时间或交流电解着色时间,均可获得各种不同色彩的膜层。扫描电镜形貌观察及元素分析、X-射线衍射等测试结果表明,磷酸阳极厚氧化膜中含有PO_4~(8-),多孔层的Al_2O_3为无定形结构,膜层的孔径和厚度随氧化时间增加而增大,着色膜中的沉积物是β锡,它的沉积是从膜层与基底的界面开始的,其电解着色时间相同,其含量决定于氧化时间,氧化时间相同时,在很狭范围内与着色时间有关,在不同条件下所获得的着色膜,主要由于对可见光的干涉效应而显示不同的颜色。     

电解电容器的最新进展

所有用电化学方法在金属表面上形成氧化膜,并把该氧化膜作为电介质的一类电容器称之为电解电容器.常用的金属有铝、钽和铌.电解电容器的阳极为金属本身,而阴极可以是液体、半液体或固体的电解质.由于氧化膜本身厚度薄、耐压高而使电解电容器具有容量大的突出优点,成为电子设备中应用得最广泛的一类电子元件.但电解电容器特     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

碲镉汞阳极氧化膜的化学组成

当前,HgCdTe表面阳极氧化技术已取得了一定结果。关于阳极氧化层的组成国内外已有一些报导。文献[1,2,6]作者采用光学测量手段,由折射率数据判断,HgCdTe阳极氧化膜层为单一的TeO_2,这就给人们提出了一个问题,作为HgCdTe组成元素的Hg和Cd在氧化中起到什么作用呢?近几年由于表面分析技术的迅速发展和广泛应用,有可能直接确定膜层的组份。T.S.Sun和 R.F.C.Farrow采用x线光电子谱(XPS)技术和C-V测量研究了HgCdTe阳极氧化膜的表面组成和界面特性。本文采用俄歇电子能谱(AES)和XPS技术分析了3～5μm光导HgCdTe阳极氧化膜的     

铝阳极氧化膜形成液的形成能力研究

在不同配方、不同pH值的低压和高压电解液中测试纯铝样品的电流变化,根据电流大小及电流变化速度,确定形成能力最强的介电用铝阳极氧化膜形成液。     

电子元件、组件

TN6 01020587真(华中理工大学)11电子元件与材料一2()(川,19(3).-电子元件与材料/曲喜新(电子科技大学)I]电子元件与材23一24料一2()()0,19(4).33一36极化电极、电解液和隔离膜是液体双电层电容器的主要组成部系统介绍了电子元件与材料,论述了它们的类别、发展历程及分.实验分析了它们对电容器电性能的影响.在此基础上,试最新发展.表3(许)制出的模型电容器的电容量C超过IF、漏电流I以ZV偏 压下)小于0 .smA,等效串联电阻ESR低于11)几.图3TN6 01020588表2参3(许)浅谈电子元器件失效/陈旭标11电子元件与材料一2 000,.19(4).一42一43 TA/…     

在一个零件上制备两种化学转化膜

电子产品结构件的表面处理多数为满足功能性的要求.其中铝制零件常用的转化膜处理有导电氧化和阳极氧化两种,前者属于化学氧化的一种,膜层簿、电阻率低、有一定耐蚀性;后者是电化学氧化的一种,膜层厚且硬度高、不导电、耐蚀性高、易着色.介绍了一种在某设备散热器的不同功能表面分别制作导电氧化膜和阳极氧化膜的工艺过程,满足不同表面的导电、耐蚀、耐磨、散热等功能.     

电气和电子工程用材料科学

TN04 2003030010高性能5 rTIO3荃高压瓷介电容器材料/黄建消,张其土,(21李洁(南京工业大学))I电子元件与材料一2002,21(12).一27-28,32研究T在SrTIO3一PbTIO3一BiZO3·3TIOZ系中分别添加CaTIO3和M gTIO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTIO3、CaTIO3,MnOZ、NbZOS、5102对SrTIO3一PbTIO3-BiZO。·3TIOZ系介质材料进行改性,制得〔二=1500~2000、耐压E。全12Mv/m、损耗娘占三6x10一4的高压瓷介电容器材料.图6表2参3(刚)TB43 2003030011多层膜周期厚度的精确计算/冯仕猛,赵海鹰,窦晓鸣,(2」范正修,(2」邵建达(上…     

铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响

在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.