CVD法制备纳米洋葱状富勒烯的研究

纳米洋葱状富勒烯（NOLFs）的常用制备方法有：直流电弧法、高能电子束辐照法、化学气相沉积法、真空热处理法、机械球磨法和射频等离子法等。由于这些方法目前制备出的NOLFs形状不一，颗粒不均匀，有的不完全是球形，所以我们采用的是将二茂铁溶于环已烷中的CVD法制备NOLFs，     

纳米结构洋葱状富勒烯的CCVD法制备

纳米结构洋葱状富勒烯(NSOFs)是准球体同心壳层形状的碳笼构成的富勒烯分子，由于其独特的结构及性能，具有极富潜力的应用前景。现有的制备洋葱状富勒烯的方法有高能电子束辐照含碳物质、水中电弧放电法、纳米金刚石粉热处理和射频等离子CVD等。但由于上述种种方法的制备条件苛刻，不适合工     

煤制备洋葱状富勒烯的HREM分析

采用直流电弧放电法以煤为原料制备富勒烯。实验采用工作气体为Ar，催化剂选用纳米Cu颗粒。所得到的阴极产物的HREM观察表明：在适当的工艺条件和催化剂作用下，可宏量制备出碳纳米颗粒—洋葱状富勒烯(nano-structured onion-like-fullerenes；NSOFs)，直径为25～40nm；同时生成一些特殊形状的碳纳米管，其形状为探讨高温条件下碳纳米管向洋葱状富勒烯转变提供了有力的证据；煤的独特结构使其在制备过程中沿两条路径形成富勒烯：非晶态碳原子的石墨化和芳香结构的重排。X射线能谱分析表明煤中舍有Mg、Si、S等微量矿物元素，这些元素的存在意味着可能对洋葱状富勒烯的生成有催化作用，     

金属／洋葱状富勒烯的HRTEM与光学性能研究

利用金属/洋葱状富勒烯奇异的分子结构和独特的光电性能，引发世人研究采用多种方法制备富勒烯复合材料，将金属纳米微粒加入到洋葱状富勒烯的笼状中空内，用以制成具有特殊性能的纳米材料，并逐渐成为研究热点。本实验采用催化化学气相沉积法制备出了金属/洋葱状富勤烯，采用SEM和HRTEM进行结构表征，并对其荧光性能进行了分析。     

氧化物催化电弧法制备洋葱状富勒烯的研究

纳水洋葱状富勒烯作为富勒烯家族中的新成员，自1992年被发现以来，已在全世界范围内引起了各国学者的广泛关注和极大兴趣。然而，由于缺乏有效宏量制备纳米洋葱状富勒烯的方法，目前的研究仍处于实验室阶段。我们课题组在自制的直流电弧放电设备中，不断改进放电工艺，用多种催化剂(Ti、Fe、Ni、     

富勒烯形貌的多样性及超微观结构

目的：通过催化热解法制备了多种形态的富勒烯。对不同工艺参数下形成的富勒烯的形貌和超微观结构进行了SEM、HRTEM、XRD和Raman谱等测试分析。结果表明：形成的富勒烯主要包括单纯洋葱状富勒烯、金属纳米微粒内包洋葱状富勒烯,以及树枝状和线团状等特殊形态的富勒烯。被洋葱状富勒烯包裹的金属为纯Fe纳米微粒。拉曼谱峰分析结果表明石墨化程度很高。     

热蒸镀法与溶胶-凝胶法制备的WO3薄膜

采用真空热蒸发沉积技术在衬底上沉积了WO3薄膜；以金属W粉为无机原料，溶胶—凝胶技术结合浸渍镀膜方法制备出WO3薄膜，借助SEM、可见光分光光度计、椭偏仪等仪器测量了薄膜的特性。实验表明：热处理使两种方法制得的薄膜致密，折射率增大，WO3颗粒增大；在热处理条件相同的情况下，溶胶—凝胶法制备的WO3薄膜折射率比热蒸镀法制备的WO3薄膜折射率小。     

热处理对NiP/CoNiP薄膜织构和磁性能的影响

用化学镀的方法制取了NiP/CoNiP薄膜并将样品进行真空热处理。用XRD、VSM、EDS等测试手段分析了热处理影响薄膜结构和磁性能变化的原因。结果发现,热处理使薄膜的结构发生了由α-Co向β-Co的同素异构转变;经热处理后晶粒尺寸长大到30 nm左右;经350℃热处理后薄膜的矫顽力升高到5.57×104 A/m;经400℃热处理后矩形比达到0.28。     

Pt／洋葱状富勒烯复合纳米微粒的制备

洋葱状富勒烯（OLFs）是继C60、碳纳米管之后人们发现的又一种崭新的全碳物质，自1992年Ugarte发现洋葱状富勒烯（onion-like fullerenes，OLFs）以来，其研究成为物理、化学和纳米材料科学等领域的热点。OLFs独特的中空笼状及同心壳层结构，可以容纳原子团簇、纳米微粒和金属碳化物等，具有许多特殊性能，有望在能源材料、高性能高温耐磨材料、超导材料和生物医用材料等领域被广泛应用。     

多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究

本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.