气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究

利用Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜研究经气要和溶液钝化的ＩｎＰ表面的化学键合、表面残余氧含量、表面刻效应和粗糙度。结果表明，采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量，但其热稳定性不如溶液多硫化物钝化的ＩｎＰ表面好。     

天津市通南桥工程栈桥施工优化方法

通过对天津市通南桥工程栈桥搭设两种施工方法的分析和比较,从施工工艺、工期,满足钢箱梁现场安装和成本考虑来确定最佳施工方法.     

桩基础局部软夹层的测试与处理

桩基础是松软地基上高层建筑的重要基础形式 ,若桩基础下出现软夹层 ,例如 :软夹层被压实或被梨状体“穿越”了的性态 ;滑动惯性“过位移” ;以及“过载”现象等 ,应在试桩和分析研究的基础上提出最佳的处理方案。１工程概况拟建建筑物为１２层剪力墙结构 ,地下一层 ,基础采用桩基础。桩端持力层为卵石层③。原设计桩长９．０ｍ ,采用机械钻孔人工扩底 ,单桩允许承载力设计值为１７００ｋＮ ,桩穿越砂质粉土②２层和新近沉积层②３。后因故将设计桩长改为６．８ｍ ,则有些桩便卧于粘质粉土层③１上 ,给工程带来巨大隐患。由于②２和③１ 层…     

硼磷硅玻璃在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

本文研究了硼磷硅玻璃(BPSG)膜在俄歇电子谱(AES)分析中电子束和离子束辐照效应.结果表明,能量电子和离子非常容易引起辐照损伤.电子束辐照会引起还原和脱附效应以及磷硼的表面分凝;离子束辐照仅仅引起还原效应,不会产生磷和硼的表面堆积现象.这说明磷和硼的表面分凝是与低能电子组成的表面负电荷有关.     

SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层结构绝缘材料在俄歇分析中的电子束和离子束辐照效应

在SiO_2/Si_3N_4/SiO_2/Si多层绝缘材料的俄歇分析中往往给出一个错误结果,即在SiO_2/Si界面处产生一厚度为数nm的附加富氮层。研究结果表明,该层的产生是由电子束和离子束辐照引入。减少电子束流密度会使这一附加层厚度减少甚至完全消失。最后,对这一电子束和离子束效应引起氮界面堆积的产生和消除进行了讨论。     

电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用

采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合．     

多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究

本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.     

Ge/Pd/n-GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X 和CsX 信号检测的Ge，Pd，Ga和As的深度分布。结果表明采用CSX 可以提供更准确的结果和成分信息。     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。