CMOS离子敏场效应管SPICE模型

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。     

化学量传感器

<正> pH-ISFET的特性参数可分为电学和电化学特性参数两大类。 一、电学特性及参数 ISFET虽有其特殊性,但仍然是场效应晶体管,与MOSFET所不同的只是它没有金属栅,其被测液代替了MOSFET的金属栅。凡需施加栅压的测试,必须采用参比电极经溶液给栅介质和半导体的表面施加电场。除此之外,从场效应原理上讲并无本质的差别,因此有关MOSFET特性参数的概念均可予以借鉴。     

氢离子敏场效应晶体管温度特性的实验研究

引言氢离子敏场效应晶体管(HISFET)是一种被用来测量溶液中氢离子浓度(pH 值)的新型半导体化学传感元件。它的结构与普通绝缘栅场效应晶体管类似。栅绝缘膜为二氧化硅(SiO_2)和氮化硅(Si_3N_4)双层结构,无金属栅极。用硅平面工艺制作。与一般半     

半导体场效晶体管型pCO2传感器研究

本文对采用氢离子敏感场效应晶体管制作场效应晶体管型pCO_2传感器进行了初步探讨。从理论上分析了其敏感机理、稳定性、响应速度及传感器设计原则,获得了令人满意的实验结果。     

下一代晶体管露脸

ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。     

6DJ6结型场效应孪生管应用点滴

<正> 场效应晶体管与普通三极管的区别在于它的电流只包括一种载流子的运动,而普通三极管的电流包括二种载流子(电子和空穴)。前者称单极型晶体管,后者称双极型晶体管;前者为电压控制器件,后者为电流控制器件。由于场效应晶体管具有电子管的特点而与普通三极管又不同,但又具备了普通三极管的许多优点,这就使得场效应晶体管得到广泛地应用。目前应用的场效应晶体管可     

基于LSTM网络的IGBT参数预测硬件系统设计

对绝缘栅双极型晶体管进行参数预测可以有效地避免因其失效带来的经济损失和安全问题。对绝缘栅双极型晶体管参数进行分析,设计了一个基于LSTM网络的绝缘栅双极型晶体管参数预测SoC硬件系统。该系统使用ARM处理器作为总控制器,控制各个子模块的调用和数据的传输, FPGA内通过对矩阵向量内积算法进行优化提高LSTM网络内部的数据运算速度,并且采用多项式近似的方法降低了激活函数所占用的资源。实验结果表明,系统的预测平均准确率为92.6%,计算速度相比于CPU快了3.74倍,同时具有低功耗的特点。     

ADI公司推出小型隔离式栅极驱动器

<正>ADI宣布推出小型隔离式栅极驱动器,这些产品专门针对SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等电源开关技术所需的更高开关速度和系统尺寸限制而设计,同时仍然提供对IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)配置的开关特性的可靠控制。ADuM4120和     

双栅场效应晶体管及其应用

本文介绍双栅ＭＯＳ场效应晶体管的工作原理与特性，并给出了它在调制和解调等电路中的一些典型应用举例。     

双栅MOSFET'S的短沟道效应

双栅 MOS 场效应晶体管(DG-MOSF-ET'S)随沟道长度的缩短而阈值电压和击穿电压等相应的降低,即出现了所谓短沟道效应。本文就是对这种特性进行分析和推导。以使对 DG-MOSFET'S 有更进一步的认识,从而达到更广泛的应用。     

联栅晶体管的研制

联栅晶体管(Gate Associ—ated Transistor)是一种结构改进的双极型晶体管,它具有高开关速度、高反压、低饱和压降等特点。本文讨沦了联栅晶体管的结构与性能,分析了联栅管H_(FE)—I_C特性及优化设计问题。     

J102型场效应斩波器在JF型晶体管放大器中的应用

场效应斩波器对提高JF型晶体管放大器的可靠性有很大关系。本文即介绍了上海仪表变压器厂研制成功J102型场效应斩波器以替代JF型晶体管放大器中的机械振动变流器的有关情况。最后还提出了这种斩波器在其它仪表中的应用可能性。     

一种适合离子敏感场效应晶体管的流动注射分析装置的研制

本文介绍了一种适合离子敏感场效应晶体管(简称 ISFET)的流动注射分析装置的设计及制做,该装置采用一体化的设计,具有结构简单、流动性能好,分析精度高、响应速度快、样品量少、操作简便等优点,可适合各种离子敏感场效应晶体管的流动测量,对离子敏感场效应晶体管的实用化起到一定推动作用。     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

金属-氮化物-氧化物-硅(MNOS)晶体管—特性和应用

氮化硅淀积技术的新进展,导致金属-氮化物-氧化物-硅(MNOS)集成电路工艺的出现,成为现有MOS工艺的另一选择和补充方案。有人提出将MNOS场效应晶体管用于逻辑电路(取代MOS晶体管)和永久性(nonvolatile)的存贮阵列。本文评论MNOS晶体管的特性和应用。提出一种统一的方法来表征稳定的接通电压MNOS晶体管和可变的接通电压MNOS晶体管。本文以MNOS结构中电荷输运和存贮的研究为基础。利用两层介质结构的物理参数描述和分析晶体管的不同工作方式。对晶体管工作的物理机构的分析应适用于晶体管结构的最佳化和各种数字集成电路应用的性能。制作了永久性半导体存贮阵列和永久性触发器证明了这些应用的可能性。     

一种简单的电压/时间转换器及其在模拟/数字转换中的应用

本文介绍一种已用于控制机作模拟/数字转换用的电压/时间转换器。它用一支硅三极管作恒流源,用一支 MOS 型场效应晶体管作温度补偿,其线性度和稳定性可达±0.1%。     

DrugFET的研究和应用

将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜结合，可制成药物敏感场效应晶体管。该传感器全固态化，体积小，易微型化，集成化和多功能化，可以制成传感装置和测试线路一体化的“智能传感器”。将其用于药物分析，结果和药典方法一致，而且，由于ＩＳＦＥＴ可以批量生产，成本低廉，可以制成一次性使用的传感器，用于药物分析，临床检验，可以避免交叉感染，减少探头清洗消毒的麻烦，因此，药物传感器有着广阔的前景和市场。     

氟离子敏场效应管的研制

阐述了一种氟离子敏场效应晶体管(FISFET)型传感器的结构和工作原理。它是在pH ISFET传感器的基础上用PVC方法把离子敏场效应晶体管和氟化物敏感膜相结合,制成氟离子敏场效应晶体管。该传感器具有全固态化 体积小的特点。实验表明该传感器的灵敏度为50mV/C,响应时间:小于1min,相关系数为0.9842,对氟化物的检测范围:1×10-6～1×10-1mol/L。     

绝缘栅双极型晶体管过流保护的分析与研究

绝缘栅双极晶体管运用广泛,但是要设计出稳定可靠的驱动电路或过流保护电路等一直是个难题.本文对绝缘栅双极型晶体管过流保护进行理论分析,阐述其过流的特点和过流保护的方法,结合实际设计案例进行分析研究与试验,通过试验测试实际使用过流保护电路时存在的问题,了解绝缘栅双极型晶体管过流保护的相关特点.让读者在设计过流保护电路的时候应充分考虑这些特点,选用合适的电子器件,搭建合适的过流保护电路.这对工程设计和工程现场有很好的指导意义.     

对有机磷化合物敏感的场效应晶体管

<正> 从1985年起,我们采用酞菁类化合物作敏感材料,研制了对有机磷化合物敏感的化学敏感场效应晶体管(CHEMFET),获得了较好的效果。 对有机磷化合物敏感的CHEMFET有一个敏感栅,使用的是有机半导体材料。这种敏感材料类似无机半导体的掺杂过程,通过聚合物