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《电子制作.电脑维护与应用》2016,(14)
介绍了构成IGBT驱动电路的基本要求,分析光耦驱动门极电路原理及理论计算,阐述了采用光耦驱动产生米勒效应的原理。最后,给出了消除米勒效应的方法以及通过实验验证了消除米勒效应的效果。 相似文献
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这个场效应管皮尔斯晶体振荡器没用并联谐振电路,因此,在电路常数不变的情况下,可用在宽频范围。另外由于场效应晶体管的门极输入不是晶体片的负载,并 相似文献
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介绍一种新型工矿电机车斩波调速器。斩波器用门极可控的IGBT做为开关器件,省去了可控硅斩波器的强迫换流电路。用单片机实现了斩波器的控制。文章还介绍了斩波调速系统所采取的电流保护策略。 相似文献
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杨斌文 《计算技术与自动化》1987,(4)
本文介绍的温度自动控制器,是通过温度负反馈控制晶闸管的触发角,来控制电炉负载上的电压大小,从而控制被加热物质的温度。触发电路采用了极其简单的“幅值触发力电路。该控制器已用于常德电池厂锡温自动控制,温度能准确地控制在所需值上(310℃),且具有电路简单,安装调试容易,成本低等特点。现将其工作原理简述如下: 晶闸管幅值触发原理如图1(a)所示,从变压器B付边取出与电源同相的较低的交流电压ug,加在晶闸管Kp的门极与阴极之间。当电源为正半波时,ug上升到门极最小触发电压U_G=3.5伏,Kp导通,触发角为α_1,如图1(b);若减少ug,则达 相似文献
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四、阳极控制技术以上重点讨论了GTO门极控制技术,显然它和普通可控硅的门极控制技术很不相同。至于阳极控制,GTO与普通可控硅也有很大不同,因此使用GTO时要注意这些原则。现将GTO阳极控制技术分述如下: (一)过流保护及di/dt的限制(1)过流保护GTO有一个重要参数,叫最大可关断电流I_(ATO)。这就是说I_(ATO)。是用门极负讯号关断阳极电流的极限值。若超过这个极限值,就不要企图再用门极负讯号去关断。若用门极讯号去关断,不但关不断而且很容 相似文献
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代勇 《电子制作.电脑维护与应用》1996,(10)
我是一名中专学生,对电子制作非常感兴趣,是《电子制作》的忠实读者。《电子制作》96年第3期刊登的“停电自锁触摸开关”一文,我读后觉得有点不妥。附图为“触摸开关”原电路。图中SCR的触发电压取自C3上的充电电压,它对SCR门极放电形成触发电压后其端电压会按指数规律下降直至为0。 相似文献
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大容量逆变电源IGBT并联应用的仿真分析 总被引:1,自引:0,他引:1
该文针对逆变电源向大功率发展时受单管IGBT(绝缘门极双极型晶体管)电流容量限制的问题,受MOSFET(电力场效应晶体管)并联扩流成功应用的启发,提出采用多IGBT的并联技术,解决进一步提高逆变电源容量的难题。在分析IGBT工作机理基础上,给出了电路拓扑及其工作原理,并对并联器件产生的均流问题进行了重点分析,提出了相应的解决方法,推荐了IGBT并联应用的厚膜集成驱动电路。通过理论分析和计算机仿真结果表明:在大容量逆变电源中采用IGBT并联技术是有效可行的,它可以显著增加整机的电流容量,提高电源的有效功率。 相似文献
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《单片机与嵌入式系统应用》2008,(6):87-87
Silicon Laboratories(芯科实验室有限公司)发表Si823x ISOdriver系列。为快速、高集成度的隔离门极驱动IC,适用于电源供应器、马达控制和照明系统。ISOdriver系列于单芯片上集成1个双通道隔离器和双驱动器,能进一步提升电源效率,让客户得以增进电源供应器的密度及性能。 相似文献
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《单片机与嵌入式系统应用》2008,(5):86-86
ADI公司最新推出的隔离半桥门极驱动器,在单芯片上集成了隔离电源与隔离门极驱动器。这种新型集成无需额外元件,能使系统成本和尺寸降低50%,并可简化设计以提高系统的可靠性和质量。此外,这种新产品将会预先通过分立的隔离电源通常所需的安全审批。 相似文献
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根据看门狗电路的原理,设计出简单适用、性能可靠的TTL型看门狗电路以及价格低廉、性能可靠的微功耗CMOS型看门狗电路,同时还介绍了常用的uP监视器0型看门狗电路。 相似文献
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本文讨论了迟林顿模块(GTR)基极驱动电路的工作原理与电路设计,GTR基极驱动电路性能的优劣直接影响到整个系统的效率和可靠性。采用性能优良的基极驱动电路,可以缩短GTR的开关时间,减小开关损耗,提高GTR的工作可靠性。因此,有必要研究和设计性能良好的GTR驱动电路。 相似文献
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介绍了磁力轴承悬浮性能测试仪的研制.测试仪以PIC单片机和霍尔传感器为核心,包括信号采集电路、信号处理电路、电机驱动电路、LCD显示电路及微机接口电路等.测试仪具有能在PC机上实时显示磁力轴承性能的特点,能运用于磁力轴承性能的分析和检测,以提高轴承的成品率. 相似文献
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解同步电路设计方法可以与现有EDA工具较好地兼容,可以极大地提高异步电路的设计效率.基于解同步电路的抽象模型--控制图,提出了一种解同步电路优化设计方法,优化过程由解同步电路的性能评价函数作为指导,在不影响电路性能的前提下有效地减小电路控制通路的面积.选取了一系列标准测试电路进行了实验,最终解同步电路控制通路所需的局部控制器数量减少了54%,C门的数量减少了76.3%.采用该设计方法,设计实现了0.35μm工艺条件下的32位解同步乘法器,实验结果表明,相对于传统的解同步电路设计方法,提出的优化设计方法可以在保持电路性能的前提下有效地减小电路的面积. 相似文献