纳米间隙电极的制备及应用

综述了国内外纳米间隙电极的制备方法,其中主要包括扫描隧道显微镜法、Hg滴法、机械断裂法、微加工法、电迁移法、电化学法等,对每种方法的制备过程及原理进行了较详细的介绍;对每种纳米间隙电极在分子电子学方面的应用,特别是对利用纳米间隙电极测定单分子的I-V性质、制作分子整流器和分子晶体管等工作做了简单介绍。突出了纳米间隙电极在分子器件研究中的重要作用;最后讨论了分子电子学所面临的一些问题并对该领域的发展方向作出了展望。     

石墨烯纳米间隙电极对的制备研究进展

石墨烯的高晶体质量、高电导率、单层结构以及与有机半导体的良好兼容性使其成为纳米器件和分子器件的理想电极材料,纳米间隙电极对是构筑纳米器件的基础,发展了两种制备石墨烯纳米间隙电极对的方法——纳米线和金丝交替掩膜法以及原子力针尖裁剪法,其过程简单,制备的石墨烯间隙为100～200 nm.石墨烯纳米间隙电极对是制备纳米器件、...     

化学沉淀法制备纳米Ni(OH)2电极材料及其工艺参数的优化设计

通过化学沉淀法成功制备了纳米复合氢氧化镍粉体，测得纳米复合氢氧化镍粉体的振实密度低于球镍粉体，但其压实密度明显高于后者；相应镍电极的密度也超过常规球镍电极．实验得出了制备纳米氢氧化镍粉体的温度、氨水浓度与pH值的最佳参数．最终制备出的纳米复合电极材料的压实密度与质量电化学容量两项指标均比常规球镍高15％以上．     

分子组装及其应用

在对分子组装及其应用于功能纳米结构或器件的研究进展进行了较系统分析的同时，介绍了东南大学纳米科学与技术研究中心在这方面所开展的一些工作，包括基于微细加工结合分子组装制备纳米间隙电极，金属纳米微粒的二维有序排列，单电子原型器件的研制与仿真，以及采用分子组装进行核壳结构复合材料制备等方面的研究。     

化学沉淀法制备纳米Ni(OH)_2电极材料及其工艺参数的优化设计

通过化学沉淀法成功制备了纳米复合氢氧化镍粉体,测得纳米复合氢氧化镍粉体的振实密度低于球镍粉体,但其压实密度明显高于后者;相应镍电极的密度也超过常规球镍电极。实验得出了制备纳米氢氧化镍粉体的温度、氨水浓度与pH值的最佳参数。最终制备出的纳米复合电极材料的压实密度与质量电化学容量两项指标均比常规球镍高15％以上。     

纳米TiO_2太阳能电池电极修饰研究进展

综述了近年来国内外在TiO2太阳能电池电极修饰技术方面的研究成果,重点介绍了有关纳米TiO2薄膜电极和TiO2纳米管电极修饰技术的研究进展,包括半导体复合掺杂、过渡金属离子掺杂、非金属离子掺杂、导电高聚物掺杂和贵金属沉积掺杂等。并对该工作和今后的研究问题进行了总结和展望。     

一种基于静电纺丝技术线状超级电容器的制备

为满足轻薄化、柔性化和可穿戴化电子产品对柔性储能器件的需求，运用静电纺丝技术与滚筒接收方法得到PAN/MnCl2复合纳米纤维膜，再经特定装置加捻、预氧化、碳化生成复合碳纳米纤维束CNFs/MnO2，利用恒电位沉积方法在其表面形成一层聚苯胺PANI，制备了以CNFs/MnO2/PANI为电极材料的线状超级电容器，搭建三电极测试体系平台，运用恒流充放电、循环伏安法测试，数据显示本方法制备的超级电容器比容量可达到 142.31Ｆ/ｇ，且具有一定的柔韧性和循环性。     

分子组装及其应用

在对分子组装及其应用于功能纳米结构或器件的研究进展进行了较系统分析的同时,介绍了东南大学纳米科学与技术研究中心在这方面所开展的一些工作,包括基于微细加工结合分子组装制备纳米间隙电极,金属纳米微粒的二维有序排列,单电子原型器件的研制与仿真,以及采用分子组装进行核壳结构复合材料制备等方面的研究.     

分子组装及其应用

在对分子组装及其应用于功能纳米结构或器件的研究进展进行了较系统分析的同时,介绍了东南大学纳米科学与技术研究中心在这方面所开展的一些工作,包括基于微细加工结合分子组装制备纳米间隙电极,金属纳米微粒的二维有序排列,单电子原型器件的研制与仿真,以及采用分子组装进行核壳结构复合材料制备等方面的研究.     

PTCR陶瓷化学沉积镍电极界面结构及特性的研究

通过伏安特性和阻温特性测试研究了不同沉积条件下所得化学沉积镍电极BaTiO3基半导瓷热敏电阻元件的电性能，利用扫描电镜、透射电镜和X—衍射等现代分析手段，重点分析了在不同工艺条件下得到的化学镀镍电极与PTCR陶瓷之间的纳米界面结构及其特性，得到良好的欧姆接触化学镀镍电极的实验参数。     

运用两步曝光法减小纳米间隔纳米柱制备中的邻近效应

A two-step exposure method to effectively reduce the proximity effect in fabricating nanometer-spaced nanopillars is presented. In this method, nanopillar patterns on poly-methylmethacrylate （PMMA） were partly crosslinked in the first-step exposure. After development, PMMA between nanopillar patterns was removed, and hence the proximity effect would not take place there in the subsequent exposure. In the second-step exposure, PMMA masks were completely cross-linked to achieve good resistance in inductively coupled plasma etching. Accurate pattern transfer of rows of nanopillars with spacing down to 40 nm was realized on a silicon-on-insulator substrate.     

PZT薄膜的制备及其与MEMS工艺的兼容性

用溶胶-凝胶技术在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了PZT薄膜,并采用剥离技术与热处理的方法解决了Pt电极的图形化,在结晶热处理前,利用PZT腐蚀液对PZT进行图形化腐蚀.分别用SEM,XRD,EDX对电极和PZT薄膜的相貌、相结构以及化学组分进行了分析.结果表明:所制备的PZT薄膜具有完全的钙钛矿型结构;这种图形化的工艺方法大大改善了电极和PZT的图形化条件,在不影响电极和PZT性能的同时,提高了电极和PZT的图形质量;底电极和PZT的图形化过程,避免了强酸长时间的腐蚀,大大提高了PZT薄膜的制备与MEMS工艺的兼容性.     

Reduction of proximity effect in fabricating nanometer-spaced nanopillars by two-step exposure

A two-step exposure method to effectively reduce the proximity effect in fabricating nanometer-spaced nanopillars is presented. In this method, nanopillar patterns on poly-methylmethacrylate (PMMA) were partly crosslinked in the first-step exposure. After development, PMMA between nanopillar patterns was removed, and hence the proximity effect would not take place there in the subsequent exposure. In the second-step exposure, PMMA masks were completely cross-linked to achieve good resistance in inductively coupled plasma etching. Accurate pattern transfer of rows of nanopillars with spacing down to 40 nm was realized on a silicon-on-insulator substrate.     

A novel printing technique for highly integrated organic devices

A new printing technology is described, which is capable of printing metallic electrodes onto organic layers. Electrodes are defined on top of a sacrificial layer by optical or nano-imprint lithography. To increase the stability of the process the electrodes are coated with several backing layers. The metallic features are released from the sacrificial layer by immersion in water and subsequently transferred onto the target substrate. By the use of nano-imprint lithography, feature sizes below 100 nm are achieved. The strengths of the printing technology are high integration density, versatility and reproducibility.     

电容式高分子湿敏元件的研究及进展

介绍了电容式高分子湿敏元件的几个组成部分一下电极、湿敏功能材料、上电极工艺制造技术。同时也介绍了湿敏元件防污染、电路一体化设计、长期稳定性等方面近来的研究成果。指出湿敏元件的感湿材料的选择和上电极工艺制造技术是影响湿敏元件性能的两个重要因素。     

有机发光显示技术的进展

有机发光显示被认为是下一代最理想的显示技术,具有自主发光、功耗小、视角宽、成本低和响应速度快等优点。本文在简述有机电致发光器件的电极结构和发光材料的基础上,重点介绍了有机显示器件的驱动技术和面板的研发成果,并展望未来发展的前景。     

电镀法制备汇流电极的研究

汇流电极是等离子体显示板(PDP)中的必要结构。本文首次提出了制备汇流电极的电镀法,分析了电极电位、电流密度以及电流在阴极上的分布对电镀过程的影响,研究了汇流电极的电镀工艺,包括基板的预处理、电镀液的选择与配制和汇流电极的电镀。本文用电镀法实际制备了汇流电极,测试了它的导电性和均匀性。实验结果证明,本文研究的制备技术能够制备汇流电极,并因此技术的设备低廉、生产效率高而为降低PDP的成本开辟了一条新途径。     

剥离工艺制作SAW滤波器IDT的研究

研究了用于声表面波滤波器的微米尺度的叉指换能器的制作工艺。利用剥离工艺,分别采用铝和铬金两种金属制作了叉指换能器的电极,分析了剥离工艺制作叉指电极时的工艺特性。对加工样品的测量分析结果表明,利用剥离工艺制备的叉指换能器电极线条光滑、陡直、清晰,但是成品率较低。对比分析了采用铝和铬金制作的叉指换能器样品结构,结果表明两种金属材料在剥离液中的腐蚀时间不同,铝材料需要较长的剥离时间;两种材料制作的电极图形质量也有差异,铝材料制作的电极更为陡直、精细。     

A concept of SOI RESURF lateral devices with striped trench electrodes

This paper presents a concept of silicon-on insulator lateral devices based on a reduced surface field (RESURF) principle by striped trench electrodes formed along the current flow direction. These trench electrodes reduce the electric field at the pn junctions sandwiched between the electrodes. We experimentally applied this RESURF technology to a conventional pn/sup -/ lateral diode. As a result, the breakdown voltage was increased from 56 to 104 V without varying the impurity concentration and the length of the n/sup -/ region. This means that the RESURF effect was achieved with the striped trench electrodes. The LDMOS with this RESURF technology was evaluated by simulations. This would be available for 80-V class lateral MOSFETs, used in the forthcoming 42-V automotive systems.