有机/无机层状类钙钛矿(C12 H25 NH3)2 PbI4晶体及薄膜的制备与结构表征

介绍了有机/无机类钙钛矿(C12H25NH3)2PbI4的晶体和薄膜的制备,并采用了XRD、SEM、AFM和PL表征材料的结构、形貌及光学特性等.XRD实验表明制备的(C12 H25NH3)2PbI4晶体结晶度高.探索旋涂法制备工艺参数对薄膜结构的影响,在薄膜XRD中几乎只能观察到(0021)晶面的衍射峰,表明有机/无机类钙钛矿层沿平行与基片方向择优生长,SEM和AFM表明薄膜致密性较好,表面粗糙度较小.     

MgxZn1-xO薄膜的结构特性研究

采用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备了MgxZn1-xO（x=0．23）薄膜，用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、喇曼（Raman）光谱和原子力显微镜（AFM）研究了薄膜的结构特性．XRD和HRTEM分析结果表明MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，且具有沿c轴的择优取向，晶格常数与ZnO晶体的近似相等．Raman光谱不仅揭示MgxZn1-xO薄膜具有六角纤锌矿结构，而且也表明MgxZn1-xO薄膜的结晶质量比在相同条件下制备的ZnO薄膜好．AFM图像则显示出MgxZn1-xO薄膜为多晶结构．     

C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究

以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。     

飞秒脉冲激光沉积 Si基α轴择优取向的钛酸铋铁电薄膜及I-V特性研究

采用飞秒脉冲激光沉积系统，在Si（111）衬底上制备了α轴和c轴择优取向的Bi4Ti3O12薄膜．X射线衍射（XRD）表明；室温（20℃）下沉积的Bi4Ti3O12／Si（111）薄膜呈C轴择优取向，晶粒的平均直径为20nm．在500℃沉积的Bi4Ti3O12／Si（111）薄膜呈α轴择优取向．测量了薄膜的电滞回线和，I-V特性曲线，并用分布参数电路研究了Bi4Ti3O12薄膜的，I-V特性曲线和铁电性的关联性．α轴择优取向Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=15μC／cm^2，矫顽力Ec=48kV／cm．     

氩气氛下制备的C60薄膜的形貌、结构和光学性质

用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）及紫外－可见光谱（UV／VIS）研究了在氩（Ar）气氛下制备的C60薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性。发现其UV／VIS的强度和吸收峰位置明显不同于在真空中制备的C60薄膜。与真空中制备的C60薄膜比较,所研究薄膜的红外谱没有变化,但X射线衍射表明其结构从面心立方（fcc)相变成fcc相与六角密堆（hcp)相的混合相。AFM表明,在Ar气氛中制备的C60薄膜有较大的表面粒子,并且表面生长岛更尖锐。这将有利于C60薄膜的场电子发射。     

微弧氧化法制备磁性薄膜的研究

采用微弧氧化法以FeSO4溶液在钛金属表面制备超顺磁性薄膜．用IR、XRD和SEM等表征了磁性薄膜的组成和形貌，结果表明磁性薄膜主要由Fe3O4和（Fe2O3）x·2H2O晶体组成．推断了磁性薄膜的形成机理．     

非晶碳／Mo2C混合膜的场发射特性

以镀有Mo过渡层的Al2O3衬底，在微波等离子体增强化学气相沉积（MPCVD）系统中．制备了非晶碳／Mo2C混合结构薄膜．反应气体为CH4和H2。在高真空室中测量了样品场发射特性。开启场强为0．55V／μm，在18V/μm电场下样品的发射电流密度为6．8mA／cm^2。发射点点密度〉10^3／cm^2。用SEM观察了表面形貌．Raman和XRD谱分析了薄膜的微观结构和成分。实验结果表明该薄膜是一种好的场致电子发射体。     

快速水热法制备铝掺杂羟基磷灰石

利用CaCl2、NH4H2PO4、NH3·H2O和Al（NO3）3溶液为原料,在高温、高压条件下快速水热制取羟基磷石灰,并用红外（IR）、X射线衍射（XRD）分析和表征羟基磷灰石晶体的结构及其结晶度。结果表明,用该法制备的羟基磷石灰晶体有较好的结晶度,且该法制备过程简单、制备时间短。     

组分梯度（Ba,Sr）TiO3薄膜的制备工艺研究

采用改进的溶胶．凝胶（sol-gel）法在si衬底上制备了组分梯度Ba1-xSrxTiO3（x=0，0．1，0．2，0．3，0．4）（简称BST）薄膜。探讨了不同退火温度对组分梯度BST薄膜晶化的影响，应用X射线衍射（XRD）及原子力显微镜（AFM）分析了薄膜的微观结构。结果表明组分梯度薄膜的最佳制备工艺为600℃预烧5min，700℃退火1．5h，此时薄膜具有完整的钙钛矿相，薄膜表面平整、无裂纹、无孔洞。比较了单组分和组分梯度BST薄膜的微观结构。XRD测试结果显示，组分梯度BST薄膜的衍射峰峰位介于底层和硕层单组分BST薄膜之间，且衍射峰明显宽化；AFM测试结果表明，组分梯度BST薄膜的晶粒明显大于单组分BST薄膜，表面均方根粗糙度（RMS）也大于单组分BST薄膜，这可能是由于组分梯度薄膜较高的预烧温度促进晶粒生长造成的。     

碳纳米管异质结构的 ECR-CVD法制备

使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法（ECR-CVD），以Fe3O4纳米粒子为催化剂，多孔硅为基底，采用CH4／H2和CH4／B2H6／H2两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构．扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）观察表明：合成的异质结构一端是类竹节状的掺硼碳纳米管，另一端是光滑中空的纯碳纳米管．异质结构采用底端生长模式，先行生长的掺硼纳米管处于纳米管结构的顶端．     

Si(111) 衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长

研究了发展一种Si衬底上低温外延生长3C－SiC的方法。采用LPCVD生长系统，以SiH4和C2H4为气源，在超低压（30Pa) ,低温（900℃）的条件下，在Si(111衬底上外延生长出高质量的3C－SiC薄膜材料。采用俄歇能谱（AES），X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分，晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比，XRD结果显示了3C－SiC外延薄膜的良好晶体结构，AFM揭示了3C－SiC薄膜的良好的表面形貌。     

煅烧工艺对Sn02／A1203纳米纤维结构的影响

以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）／氯化铝（A1C12）／结晶四氯化锡（SnCl4·5H2O）为原料，采用静电纺丝技术成功制备了有机无机复合纳米纤维膜，经过煅烧得到直径为150~800nm的S如／Alz03纳米纤维。XRD分析结果表明：随着煅烧温度的升高，Sn02、A1203的晶粒尺寸增加；随着升温速率降低，其结晶越完整，晶粒...     

SnO2底层形貌对Pt／SnO2薄膜电催化氧化甲醇性能的影响

通过加入不同的有机添加剂,以电沉积一热氧化法制备了3种不同形貌的多孔SnO2薄膜,再电沉积Pt,制备得到不同形貌的多孔Pt／SnO2薄膜。通过扫描电镜（SEM）、x射线衍射（XRD）和循环伏安（CV）法分析了薄膜的形貌、结构和电催化氧化甲醇的活性。结果表明,不同形貌的多孔Pt／SnO2薄膜具有不同的电催化性能：SnO2镀液中添加聚乙二醇辛基苯基醚（OP,1．0mL／L）和苯甲醛（25mg／L）,制得的SnO2薄膜呈一定规则排列的长条状,经氧化和电沉积Pt后的多孔Pt／SnO2薄膜具有良好的电催化氧化甲醇的活性及耐CO的性能。     

有机/无机杂化钙钛矿(C4H9NH3)2ZnCl4的制备与表征

合成了新型的有机/无机杂化钙钛矿（C4H9NH3）2ZnCl4,采用元素分析、红外光谱和X射线衍射对其结构进行了表征,结果表明这种材料具有规则的层状结构,有序性高,热分析结果表明（C4H9NH3）2ZnCl4在170℃的高温处存在一个固-固相转变。     

ZnO纳米晶薄膜的制备及特性分析

在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶,用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜,XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构;SEM与AFM表明,纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm,表面粗糙度降低到3．27nm,粒径明显增大;紫外-可见吸收和透射比光谱表明,随着退火温度的增加,吸收边发生了红移,吸收肩更明显,薄膜具有高的透射率（75—85％）;薄膜方阻随温度增加而增大,300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq）,400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq）,因此,ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。     

溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜的结构特征研究

采用溶胶－凝胶方法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了光滑均匀的PZT（50／50）铁电薄膜。用XRD、FT－IR反射光谱、Raman光谱以及原子力显微镜（AFM）研究了薄膜随热处理温度的结构变化过程以及薄膜中有机物的挥发。Raman光谱给出了薄膜中三方和四方相共存及转变的结构变化信息。AFM揭示了PZT薄膜中钙铁矿相的形成是从焦绿石结构中转变而来的，其生长机制可用Rosettes生长模型来解释。薄膜中相交约120°交角的3条延伸的界面线则是为了释放薄膜中的应力而产生的。     

H2C2O4稳定剂对SOl-Gel法制备LiNbO3薄膜的影响

研究了分别以H2C2O，HNO3，HCOOH和CH3COOH作稳定剂的LiNbO3薄膜先驱液的稳定性，发现H2C2O4作稳定剂的先驱液的稳定性最好，用sol-gel法在Si(110)基板上制备了以H2C2O4作稳定剂的LiNbO3薄膜，并对LiNbO3薄膜进行了IR，XRD和SEM表征，结果表明，生成的LiNbO3为多晶，与HNO3相比，以H2C2O4作稳定剂制备的LiNbO3薄膜形貌较差。     

硅基氧化铱薄膜的脉冲激光沉积及其微观结构研究

采用脉冲激光沉积技术，在Si（100）基片上制备了高致密的氧化铱（IrO2）薄膜，研究了不同沉积温度对薄膜结构的影响。利用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对制备的IrO2薄膜进行了表征。结果表明：在20Pa氧分压，250℃～500℃范围内，得到的薄膜为多晶的IrO2物相，其晶粒尺寸和粗糙度随着沉积温度的升高而增加；所得到的IrO2薄膜表面粗糙度低，厚度均匀，与基片结合良好。     

纳米多层膜的电性能及表面形貌

用热蒸发沉积和自然氧化法制备纳米量级的Al／Al2O3及Cr／Cr2O3薄膜和多层膜．本文采用三点法测定了常温、低温下的U—I特性，发现常温、低温下纳米量级的Al／Al2O3及Cr／Cr2O3薄膜具有类似负阻的特性。SEM检测表明，薄膜表面均匀，薄膜的厚度和称重法所得的厚度基本相符．AFM和STM观察表明薄膜表面存在着岛状结构，表面粗糙度在纳米尺度范围内。     

掺氮二氧化钛薄膜的介质阻挡放电化学气相沉积及其结构性能研究

采用介质阻挡放电化学气相沉积（DBD-CVD）法,以四异丙醇钛（TTIP）作为钛源,氨气（NH3）和笑气（N2O）分别作为氮源的气相反应先驱体,成功制备了不同掺杂量的掺氮二氧化钛（TiO2）薄膜。SEM、XRD、XPS和UV-Vis透射光谱研究表明：所制得的掺氮二氧化钛薄膜均为锐钛矿相,氮源的引入对TiO2薄膜晶粒成长、晶体取向、表面形貌影响很大,并促使光吸收限红移,提高了薄膜在可见光照射下的光催化效率,并改善了薄膜表面的亲水性能。且NH3掺氮效果整体好于N2O。