5 Msample/s两倍增益差分采样/保持电路的设计和分析

设计和分析了一种用于10位分辨率,5 MHz采样频率流水线式模数转换器中的差分采样/保持电路.该电路是采用电容下极板采样、开关栅电压自举、折叠式共源共栅技术进行设计,有效地消除了开关管的电荷注入效应、时钟馈通效应引起的采样信号的误差,提高了采样电路的线性度,节省了芯片面积、功耗.电路是在0.6 μm CMOS工艺下进行模拟仿真,当输入正弦波频率为500 kHz,采样频率为5 MHz时,电路地无杂散动态范围(SFDR)为75.4 dB,能够很好的提高电路的信噪比,因此该电路适用于流水线式模数转换器.     

一种采用低阈值技术实现的高速采样保持电路

提出了一种采用低阈值技术实现的高速采样保持电路.采样保持电路采用电容翻转式架构,利用栅压自举开关技术提高了采样开关的线性度,通过下极板采样技术减小了电荷注入效应.提出的放大器与传统的套筒式共源共栅极放大器在电路结构上相同.不同点在于,该放大器采用了低阈值设计技术.优势在于,在特定工艺下通过低阈值器件补偿可实现高增益带宽...     

一种14位125MHz采样/保持电路的设计

设计了一种高性能采样/保持(S/H)电路,采用全差分电容翻转型的主体结构,有效减小了噪声和功耗.在电路设计中,采用栅压自举开关,极大地减小了非线性失真,同时,有效地抑制了输入信号的直流偏移.采样/保持放大器电路采用折叠共源共栅结构,由于深亚微米工艺中器件本征增益减小,S/H电路为达到更高增益,采用增益提升技术.设计的采样/保持电路采用0.18μm1P5M工艺实现,在1.8V电源电压、125 MHz采样速率下,输出差动摆幅达到2 V(VP-P),输入信号到奈奎斯特频率时仍能达到98 dB以上的无杂散动态范围(SFDR),其性能满足14位精度、125MHz转换速率的流水线ADC要求.     

一种欠采样应用的高精度低功耗采样/保持电路

设计了一种可用于欠采样情况的高精度、低功耗采样/保持电路。在40 MHz时钟频率下,采样90 MHz输入信号时可达11位以上精度。采用电容翻转结构的采样/保持电路,以消除电容失配的影响;使用栅压自举开关,以提高线性度,实现欠采样输入;并设计了一种高增益、大带宽、低功耗的增益自举套筒式共源共栅(telescopic cascode)运算放大器。电路采用SMIC 0.35μmCMOS工艺实现,电源电压为3.3 V,功耗仅为7.6 mW。     

一种用于高速14位A/D转换器的采样/保持电路

介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路.电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽.经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80 MSPS、输入信号(Vpp)为2 V、电源电压3 V时,最大谐波失真为-90 dB.该电路应用于一款80 MSPS 14位流水线结构A/D转换器.测试结果显示:A/D转换器的DNL为0.8/-0.9 LSB,INL为3.1/-3.7 LSB,SNR为70.2 dB,SFDR为89.3 dB.     

一种高性能14位采样保持电路

设计了一种应用于流水线型模数转换器的14位100 MHz采样保持电路,并在电路设计中,提出了一种改进型的栅压自举采样开关电路。在不增加电路复杂性的情况下,栅压自举采样开关电路可以有效地增加采样开关管的开启时间和关断时间,以及电路的可靠性。采样保持电路采用电容翻转式结构,以及采用增益提高的全差分折叠式共源共栅跨导放大器来实现。采用SMIC 1.8 V/3.3 V 0.18 μm 1P6M CMOS工艺对电路进行设计与仿真。仿真结果显示,在10.009765 MHz输入信号,100 MHz工作频率下,输出信号的无杂散动态范围(SFDR)为95.9 dB,与传统自举开关相比,提高了16.3 dB。     

一种具有采样保持功能的开关电容积分器

本文提出了一种开关电容积分器结构,运用增益提高技术的折叠式共源共栅放大器实现,可应用于具有采样保持功能的电路中.基于标准的65nm CMOS 工艺,通过 HSPICE 仿真验证,结果表明,该积分器在采样相与积分相能保持相同电平,且对输入信号起到采样和保持作用,在输入信号的 VPP =1.4V 、频率为10kHz 、采样频率为6.144M Hz 条件下,电路的 T HD 为-112dB .     

一种应用于流水线ADC的采样保持电路设计

设计了一种应用于8位100 MHz采样频率流水线ADC的采样保持电路。采用电容翻转的主体结构及下级板采样技术,设计了使用共源共栅密勒补偿的两级运放。在不影响性能的前提下提出对传统栅压自举采样开关的改进方案,减小了栅压自举开关的面积。该采样保持电路采用CSMC0.18μm CMOS工艺,1.8 V电源电压进行设计。Spectre仿真并使用Matlab分析输出动态特性表明,电路达到了74.7 d B的无杂散动态范围(SFDR),信纳比(SINAD)为60.8 d B。     

12位100 MSPS CMOS双采样/保持电路

提出了一种基于时间交织原理的双采样/保持电路;分析了其相比于传统单采样技术实现高速度、高精度,同时降低功耗的优点。设计的栅压自举开关有效提高了采样的线性度。另外,为满足双采样技术的特殊应用,设计了带双边型开关电容共模反馈的全差分运放。采用SMIC0.18μmCMOS工艺仿真设计的双采样/保持电路可实现12位采样精度、100 MSPS采样速率、92.34 dB线性度和29 mW功耗的高性能。     

用于CMOS图像传感器内置流水线ADC的采样/保持电路

设计了用于CMOS图像传感器内置流水线ADC的采样/保持电路,该电路具有10位采样精度和50 MHz采样速率,采用开关电容电荷重分布式结构,加入图像传感器的黑光校准功能。放大器采用全差分套筒式共源共栅增益增强型结构,保证了所需的增益和带宽。电路采用0.18μmCMOS工艺实现。HSPICE仿真结果表明,电路可在5 ns内达到0.05%的精度;对于24.0218 MHz、±0.5 V摆幅的正弦输入信号,SNDR和SFDR分别达到62.47 dB和63.73 dB,满足系统要求。