基于生物发光及光学校准的致病菌检测系统

为提高食品中致病菌快速检测的准确性,设计了一种基于三磷酸腺苷(ATP,adenosine 5′-triphosphate)生物发光反应动力学数据拟合以及光学校准的食品致病菌检测系统。采用与ATP生物发光波长相同的LED模拟生物发光,对检测样品的光吸收及散射进行校准,从而减小食品颜色及浊度的干扰。采用光电倍增管(PMT)连续记录ATP生物发光强度数据,基于生物发光反应动力学方程自动对发光强度数据拟合,减小系统噪声并提高仪表的测量范围。研究了基于LED的光学校准算法,基于ATP生物发光动力学研究了数据拟合算法,进而设计实现了致病菌检测系统。对金黄色葡萄球菌样品的检测结果表明,本文系统与传统培养计数方法相关性达到0.98,检测致病菌范围为102~108 CFU/mL,对单一样品测量的精密度为5.05%。本文系统设计为生物发光在食品安全检测领域的实际应用提供了新的思路,具有重要实际意义。     

微米-亚微米级扫描电镜图像放大倍率校准标样的研制报告

周期性线距结构或光栅是对如光学显微镜、电子显微镜或扫描探针显微镜等图像系统进行放大倍率校准和空间变形评定的最好样品。由于图像系统的放大倍率的变化不一定是线性的，不同放大倍率级别需要使用不同长度级别的标准样品进行校准，因此，我们设计了适用于从低倍到高倍的各级校验用的标准参考样品，包括以下三个类型：（1）12．5μm、25μm和百微米尺度的三种栅网图形标准样品；（2）微米-亚微米级图形标准样品；（3）100nm或更小尺度的一维或二维光栅标准样品。本文将介绍第二种类型即微米-亚微米级系列中最小线距为1μm的图像放大倍率校准标样S1000的研制情况。     

偏振频域OCT系统光谱错位分析及光谱校准

偏振频域光学相干层析成像(FD-PS-OCT)可以通过测量样品的偏振特性实现某些疾病的早期诊断。偏振参数的测量精度关系到疾病诊断的准确性。在FD-PS-OCT中,正交的两路干涉信号即使仅存在很小的光谱错位,也可能导致偏振参数计算结果产生较大的误差。光谱校准是提高偏振参数测量精度的前提,而在进行光谱校准之前,有必要明确光谱错位对偏振参数计算精度的影响。通过理论分析和仿真计算,深入分析了光谱错位与偏振参数计算误差之间的关系。在此基础上,提出了一种光谱校准方法,该方法通过判断已知样品延迟量和快轴方位角的误差大小来实现光谱缩放和平移的校准。最后进行了波片测量实验,验证了该方法的有效性,证明了误差分析的正确性。     

SEM及AFM校准放大倍率标样的研究

本文报告了用有证标准粒子研制成紧密排列的亚微米标准样品，并给出了研制成的标准样品的不确定度评估。将结果与国际先进的标准参考物质进行了分析比较，该亚微米标准粒子的紧密排列的标准样品在扫描电子显微镜和原子力显微镜放大倍率校准中有实际的应用价值。     

单晶晶体取向的EBSD精确测定

本文以英国牛津仪器公司生产的INCA CrystalEBSD为例,介绍了用EBSD精确测定单晶取向的方法,其精度可与X-ray背射劳厄法相媲美,误差小于1°。1电子束散射点与接收屏的垂直距离及垂直交点坐标的校准EBSD计算晶体取向之前首先对花样进行标定,根据标定结果和样品的晶体类型、电子束散射点与接收屏的垂直距离及垂直交点坐标计算样品的取向。因此,电子束散射点与接收屏的垂直距离及垂直交点坐标是准确测定晶体取向的基本参数,取向测定的误差大小与该参数直接相关,必需进行准确的校准。INCACrystal EBSD程序的Solver Setup步骤中专门设…     

ISO 17025简介

目前,大家对1SO9000、ISO14000、OHSAS18000等管理体系已不陌生．但对ISO17025可能就比较少接触。所谓ISO17025,就是由国际标准化组织／合格评定委员会（ISO／CASCO）制定的实验室管理标准,前身是ISO／IEC导则25：1990《校准和检测实验室能力的要求》。国际上对实验室认可进行管理的组织是“国际实验室认可合作组织（ILAC）”。由包括中国实验室国家认可委员会（CNACL）在内的44个实验室认可机构参加。ISO17025主要包括：定义、组织和管理、质量体系、审核和评审、人员、设施和环境、设备和标准物质、量值溯源和校准、校准和检测方法、样品管理、记录、证书和报告、校准或检测的分包、外部协助和供给、抱怨等内容。其核心内容为设备和标准物质、量值溯源和校准、校准和检测方法、样品管理。重点是评价实验室校准或检测能力是否达到预期的要求。     

矢量网络分析仪校准误差分析

本文针对SOLR 双端口校准方法,分析了校准件不完善——开路器、短路器校准位置不明确及校准件负载不理想对双端口校准结果的影响,并推导出校准件实际值和理想值的偏差与校准结果之间的数学关系,结合仿真数据对推导结果进行了验证。     

基于物联网的检测/校准实验室管理技术

基于物联网的检测/校准实验室管理技术是发展我国现代检测/校准业务实验室的必由之路。通过深入思考我国检测/校准实验室的现状、不足和管理困境,结合物联网的感知网络技术,提出基于物联网的检测/校准实验室的信息化管理,并在信息化管理的基础上通过数据开发,保障检测/校准环境、优化实验仪器设备的配置、实时监测实验仪器与实验样品的运行等。     

系统级校准的研究与应用

简要介绍了校准、阻抗匹配的意义及其重要性,并在对一套测试系统多个终端加载不同负载的情况下,对同一个测试样品的实际测试数据进行分析,提出保证测试结果准确度的建议.     

电子显微镜光栅周期值的标定

电镜光栅是一种刻制特殊槽形,以利于提高显微图象的反差和立体感,并且刻槽呈正交型的电镜专用光栅。其复膜样品是校准电镜放大倍数时最常用的标准样品之一。然而,在以往的实际使用中,很少、甚至不考虑该样品的自身精度。往往忽略了在制备光栅复膜样品时的收缩因素,正是这个因素,使复膜上的周期值要比原刻光栅上小百分之几。显然,如果用此样品所校准的电镜放大倍数,仅来自样品所产生的误差就要增加百分之几了。这是导致电镜标称放大倍数与实际放六倍数之间存在较大误差的一个重要原因。     

关于离子注入中温升的探讨

本文在理论和试验两个方面探讨了离子注入中的热效应和温升现象。注入样品的温升对离子注入层的性能有直接影响。分析了理论计算注入样品温升的一些情况。给出了实际测量注入样品温升的几种试验方法。阐明了控制注入样品温升的若干可能途径。     

一种自适应分区回归的打印机色彩校正方法

为解决打印机色彩在CIE色彩空间内的非线性、不一致问题,提出一种新的校正方法,首先根据每个要输出的CIE色度值,在改进的校正样本集中选取与其在色彩空间中特性最为接近的样本组成校正样本子集,然后利用多重回归的方法进行校正,得到CMY值.实验结果表明本方法的校正精度比传统校正方法有了显著提高.     

煤中激光诱导击穿光谱的碳元素定量分析

在定量分析煤样品中碳元素含量时, 为了克服受基体效应影响较大且预测精度低的问题, 在最优实验条件下, 获得14个标准煤样品经激光诱导击穿光谱(LIBS)试验后的光谱数据, 并选取独立性好、不受相邻谱线干扰的C Ⅰ 193.09nm波长, 将积分强度作为输入变量, 采用基本曲线定标法以及神经网络定标法, 对煤样品进行定量分析。结果表明, 当采用基本定标曲线法时, 受噪声干扰以及基体效应的影响较大, 平均相对误差为15.39%;当采用神经网络定标法时, 验证样品的相对误差平均降低了7.54%;采用神经网络定标法能有效减小定量分析误差, 提高LIBS对煤中碳元素含量的预测能力。该研究可为定量分析煤中碳元素含量提供指导。     

Conditions for Image-Based Identification of SPM-Nanopositioner Dynamics

Rather than using external sensors, images of standard calibration samples can be used to model and correct positioning errors caused by dynamics effects in scanning probe microscopes (SPMs). The main contribution of this study is the development of conditions, on the calibration sample and the scan trajectory, that allow for the image-based identification of SPM-nanopositioner dynamics. The choice of and tradeoff between calibration sample and scan trajectory properties are discussed in the context of a scanning tunneling microscope (STM) example.      

连续投影算法在小麦高光谱定量分析中的应用

为了消除光谱变量间的共线性影响,减少建模变量以提高校正速度,文章引进一种新的波长选择方法:采用连续投影算法(Successive Projections Algorithm,SPA),并将其集成偏最小二乘(Partial Least Squares,PLS)技术构成SPA-PLS方法,用于冬小麦高光谱波长优化选择及其与...     

Annealing temperature dependence of electric conduction and capacitance dispersion in nitrogen-implanted GaAs

The annealing behavior of nitrogen-implanted GaAs samples has been investigated by secondary ion mass spectroscopy, current-voltage (I-V) and capacitance-frequency (C-F) measurements. The I-V data show that the conductivity of as-implanted samples is dominated by variable-range hopping between defect states below 300 K. The implanted layer becomes highly resistive after annealing. The activation energy of the resistance is found to increase from 0.2 eV for as-implanted samples to 0.71 eV for 950°C-annealed samples. Significant capacitance dispersion is observed over frequency for implanted samples. Based on a proposed equivalent circuit, the high-frequency capacitance dispersion is shown to be the result of resistance-capacitance (RC) time constant effects. The increase of activation energy of the resistance can be explained by the creation of deep traps by high temperature annealing. Traps at 0.69 eV and 0.82 eV are detected for 700°C and 950°C-annealing, respectively.     

LSSVM模型下的LCVR相位延迟特性标定方法

为了标定液晶相位可变延迟器(Liquid Crystal Variable Retarder,LCVR)的相位延迟特性,在25℃、405 nm波长下,利用搭建的测量装置采集了141组实验样本,其中71组样本为训练集,70组样本为预测集,利用最小二乘支持向量机(Least Squares Support Vector Machines,LSSVM)和支持向量机(Support Vector Machines,SVM)算法建立LCVR相位延迟量和驱动电压相关数学模型。实验表明,GASVR、PSOSVR、LSSVM方法下最大波长偏差分别为0.013 6、0.013 7和0.004 5,均方误差提高两倍,通过比较,说明该模型能快速准确地预测LCVR工作范围内全部波长、全部电压值下的相位延迟。该方法可作为LCVR相位延迟特性标定的有效手段。     

Phosphorus implantation into 4H-silicon carbide

Sheet resistances in nitrogen- and phosphorus-implanted 4H-SiC are measured to assess the time and temperature dependencies of this variable. In 4H-SiC implanted with 3 × 10¹⁵ cm^?2 nitrogen ions to a depth of 2800 Å, the minimum sheet resistance observed is 534 Ω/□. The minimum sheet resistance in 4H-SiC implanted with 4 × 10¹⁵ cm^?2 phosphorus ions to a depth of 4000 Å is 51 Ω/□, a record low value for any implanted element into any polytype of SiC. Time-independent sheet resistances are observed following anneals at 1700°C for nitrogen and phosphorus samples. Lower temperature anneals produce sheet resistances which decrease monotonically with increasing time of anneal. Overall, sheet resistances from phosphorus-implanted 4H-SiC are an order of magnitude below those measured from nitrogen implanted samples. The response of phosphorus to low-temperature annealing is significant, and sheet resistances below 500 Ω/□ are achieved at 1200°C. Activation of phosphorus is attempted in an oxidizing atmosphere with and without prior argon annealing. A three-hour gate oxidation in wet O₂ at 1150°C, followed by a 30 min argon anneal, produced a sheet resistance of 1081 Ω/□. Oxidation after argon annealing caused sheet resistances to increase by about 20% compared to samples subjected solely to argon annealing. It is also found that oxide growth rates are much higher over phosphorus implanted than over unimplanted 4H-SiC. Reasons for the disparity in sheet resistances between nitrogen and phosphorus implants, and for the difference in oxide growth rates are suggested.     

Two Steps B Ion-Implantation of Diamond Film Grown on an n-Type Si Substrate and Its p-n Junction Effects

Polycrystalline diamond thin films are deposited on an n-type Si substrates by hot filament chemical vapor deposition,and then are implanted with boron ions in a 200keV ion implanter.In order to achieve a better distribution of the implanted element,boron ions are implanted by two steps:implanting boron ions with the energy of 70keV first,and then with the energy of 100keV.The homogeneous distribution of the B ion is gained.The current-voltage characteristics of the samples are studied.It is found that the p-n heterojunction effect is achieved in these samples.     

全方位离子注入技术

等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位离子注入(All Orientation Ion Implantation),采用横磁瓶电子迴旋共振等离子体源,样品上的负高压可以是直流、交流或脉冲方式,本装置可以工作在离子注入和动态离子束混合两种模式。