从稀贵液中直接电沉积金的研究

用电极过程动力学对从氰化贵液中直接电沉积金过程进行分析，可得出提高Au（CN）2离子与阴极碰撞几率和减小析H2副反应是提高电沉积金效率的关键因素。采用多孔电极、析出H2小的电极材料和分两段电解措施，使从低浓度含金贵液中直接电沉积金的效率达到98％以上。     

电沉积速度的测量和增大方法

电沉积速度取决于电流密度,这种电流密度通常保持在所谓的极限电流密度Ⅰ_L以下。通过增大金属离子浓度,温度和溶液的流量以及减少扩散层厚度可以增大这种最大的扩散——极限电流密度,从而增大电沉积速度。从电流密度——阴极电势曲线Ⅰ—Ⅴ可以获得Ⅰ_L。用铜和锡的电沉积来说明Ⅰ—Ⅴ曲线的各种特征和它们的测量方法。     

低浓度SO2烟气尾气吸收矿浆中和沉积试验研究

模拟低浓度SO₂烟气尾气吸收矿浆进行了中和沉积、中和渣酸浸和不同中和刑沉积反应等试验,为公司尾吸系统改造过程中富余矿浆的工艺走向提供试验数据支持试验结果表明:影响中和沉积的主要因子为反应过程的pH值,其次是温度和时间;在最优试验条件下,尾气吸收矿浆中的金属离子沉积率可达94%以上。液固比与浸出液含锌、浸出率存在显著的正相关关系;酸度与浸出液舍锌存在明显的负相关关系,但与浸出率无相关关系。不同中和剂的沉积效果以CaO最佳,但对反应过程pH值的调节作用有限。     

锌枝晶的抑制剂

本文介绍一种可以有效防止电解液循环型二次电池中枝晶沉积的抑制剂。枝晶抑制剂由季铵盐和从Pb、Sn、Cd离子中至少选择两种金属离子所组成,它与电解液混合,通过电化学反应抑制枝晶沉积。     

离子液体电沉积铜及其合金的研究现状

本文介绍了铜及其合金在离子液体中进行电沉积的研究现状,讨论了铜在吡啶盐类、季铵盐类和咪唑盐类离子液体中进行电沉积的电化学行为,比较了铜在不同离子液体中和不同工作电极上的电沉积机理,分析了离子液体种类对铜电沉积层结构的影响。     

混凝与电絮凝废水中多种金属离子协同沉淀机制研究

采用混凝和电絮凝工艺去除废水中的多种金属离子(Pb^2+、Cd^2+、Cu^2+、Ni^2+),研究混凝反应主要影响因素液相pH、混凝剂(PAC)投加量对各金属离子去除效率的影响,探讨废水pH、施加电流密度对各金属离子电絮凝去除效率的影响,阐明混凝和电絮凝多金属协同沉淀去除的机制。结果表明,PAC混凝去除废水中Pb^2+、Cd^2+、Cu^2+、Ni^2+的最佳pH为7.0,最佳投加量600mg/L,Pb^2+、Cu^2+去除效率远高于Cd2+、Ni2+;电絮凝反应金属离子去除的最佳pH为7.0,最佳电流密度为1.2~1.8mA/cm^2。混凝与电絮凝金属离子的去除效率与金属离子的半径、相对分子质量大小无关,而与金属离子的溶度积直接相关,金属离子的溶度积越低,混凝和电絮凝去除效率越高。电絮凝较混凝反应具有更高的金属离子去除效率。研究结果对于采用混凝和电絮凝工艺处理多金属污染废水具有借鉴和指导意义。     

低温电沉积硅工艺研究进展

半导体硅的传统制备工艺主要有直拉法、区熔法及气相沉积法等,这些制备工艺都需要在高温下进行,且涉及到大型设备,制备成本较高,操作较为复杂。采用低温电沉积法制备硅具有简单可控、低成本的特点,因而受到了研究者青睐。主要从电极、溶剂的选取及电沉积方法等方面阐述了低温电沉积硅工艺研究现状,同时对低温电沉积硅存在的问题和发展趋势进行了讨论。     

提高化学镀金沉积速率相关因素研究

研究了稳定剂和金属离子(Zn2 、Co2 、Ni2 、Cu2 )以及pH、温度等因素对化学镀金沉积速率的影响.对镀液组成和工艺条件进行了优化筛选,使沉积速率提高一倍以上.     

NaCl-KCl-NaF-SiO_2熔盐体系电沉积渗硅的研究

在KCl-NaCl-NaF-(SiO2)熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以及硅含量分布的影响。结果表明,脉冲给电比直流给电的沉积效果好。合适的脉冲沉积参数为:电流密度750~1 000A/cm2、温度800~850℃、t1/t2=0.7~1.5、沉积时间120~180min。     

甲苯对AlCl_3-TEBAC离子液体中电沉积铝的影响

在含有甲苯添加剂的酸性三氯化铝—苄基三乙基氯化铵(AlCl_3-TEBAC)离子液体中进行铝的电沉积。考察甲苯加入量对离子液体电导率的影响,研究金属铝在离子液体中的电沉积行为,并用直流和脉冲电源进行铝电沉积。结果表明,离子液体电导率随甲苯摩尔分数x的增加而升高,但在x大于7.5%后,电导率趋于稳定;铝沉积反应为扩散控制的准可逆过程,在玻碳电极上的沉积是三维瞬时形核过程;电沉积得到的铝镀层为银灰色,而且脉冲电沉积得到的镀层要优于直流电沉积。     

镍基与铜基碳化硅复合镀层制备技术发展现状

碳化硅(SiC)纳米复合镀层可以改善材料的耐磨性能,是代硬铬电镀的理想替代技术,本文对SiC复合电镀广泛使用的Ni基及Cu基复合电沉积制备工艺在耐磨方面的应用进行了概述,对Ni、Cu单金属及其合金为主的基质金属进行了评价和总结,在此基础上,重点综述了近年来SiC复合电沉积技术的研究进展,包括单一SiC颗粒及与其他复合颗粒沉积,对其中的规律进行了总结。最后展望了SiC复合电沉积技术的发展方向。     

电沉积工艺条件对镍箔机械性能的影响

电沉积法是生产宽幅薄镍箔经济而有效的方法，运用回归正交设计建立了硫酸镍溶液电沉积生产镍箔材抗拉强度和延经与工艺参数之间的二次回归方程，探讨了电沉积工艺条件对镍箔机械性能的影响，并在生产中进行了验证。     

金属杂质离子对长周期锌电积的影响

阐述了长周期锌电积过程中金属离子杂质对电流效率和电锌质量等方面的影响.     

金属杂质离子对长周期锌电积的影响

阐述了长周期锌电积过程中金属离子杂质对电流效率和电锌质量等方面的影响。     

高碱性脉石低品位氧化铜矿的溶剂萃取工艺研究

针对碱性脉石含量较高的低品位氧化铜矿的开发利用 ,提出了基于低浓度氨堆浸的浸出—萃取—电积工艺 ,并在浸出工艺研究的基础上 ,对低浓度氨堆浸的氨浸浸出液进行了较系统的萃取工艺基础研究。     

邻磺酰苯酰胺对镍电沉积过程电化学行为研究

利用交流阻抗法,研究了电沉积镍添加邻磺酰苯酰胺前后的交流阻抗图谱的变化趋势。通过Zsimp-Win软件对Nyquist图进行拟合,得到电沉积镍的等效电路图。判断邻磺酰苯酰胺在电沉积镍过程中的电化学机理,随着添加量的增加电荷传递电阻也随之增加,阴极极化增大。     

泡沫镍基Ni-S-Co涂层电沉积制备工艺

以泡沫镍为基体用电沉积法制备了Ni—Srco非晶合金电极，通过测定电极在30%KOH溶液中的阴极极化曲线，研究了不同沉积条件（硫酸钴掺杂浓度、电流密度、电沉积温度、电沉积时间、镀液pH值）对镀层析氢性能的影响，并用XRD、SEM对镀层进行了表征。结果表明：所获得的镀层为非晶态结构，镀层表面颗粒分布均匀且具有很大的比表面积。确定了较佳电沉积工艺条件：硫酸钴掺杂浓度为10g／L、电流密度为50mA／cm^2、镀液温度为50℃、电沉积时间为40min、镀液pH值为4。     

铝在1-氢-3-甲基咪唑氯铝酸盐中的低温电沉积

合成了Lewis酸性1-氢-3-甲基咪唑氯铝酸型离子液体,并首次将其应用于铝的低温电沉积反应中。在不同条件下,通过循环伏安、计时电位和计时电流法对电沉积过程进行了研究,并对得到的铝沉积物进行了表征。结果表明,成核密度和晶粒生长速度对铝的沉积结构影响很大。铝的晶型取向主要取决于温度和电流密度。在5~15mA/cm2和313.2~343.2K的条件下可以获得平整、致密和附着力较好的铝沉积层。另外,电沉积的效率和铝的纯度也得到了明显改善。     

电化学技术在陶瓷制备中的应用

介绍了电化学制备陶瓷的各方法原理,主要包括阴极电沉积和阳极电沉积陶瓷薄膜2种方式.其中阴极电沉积陶瓷原理基于胶体化学的DLVO理论,包括电泳沉积（EPD）和电解沉积（ELD）2种方式;而阳极电沉积原理基于阳极氧化理论,主要介绍了阳极氧化、微弧氧化和水热电化学技术.阳极电沉积需要消耗阳极材料,但其陶瓷和基体结合力相对较强.     

Co和P对Ni-金刚石复合电沉积机理的影响

在电镀液中添加金刚石微粉,采用复合电镀方法可以制备Ni-金刚石复合镀层,为了研究元素添加对复合镀层工艺的影响,采用电化学方法研究Ni-金刚石复合电沉积机理,分析Co、P元素的加入对复合电沉积过程的影响规律.结果表明:通过循环伏安与动电位极化分析,Co或Co、P的共同加入使得复合电沉积过程中沉积电位正移,说明其可降低阴极表面Ni结晶的驱动力,促进金属的沉积.通过电化学阻抗分析,表明随着Co和P的加入,阴极沉积过程出现2个时间常数,说明阴极沉积反应分2步进行,Co比Ni优先在阴极沉积,并且Ni-Co-P-金刚石复合镀层具有较小的电荷转移电阻,说明Co和P的加入可促进阴极电沉积速率.