频率可变半导体激光器

<正>据日本《电视学会志》1992年第3期报道,日本三菱电机的光、微波器件研究所已制成在一块芯片上集成光通信用的频率可变的4个半导体激光器阵列。在该激光器阵列中,光输出功率保持一定,可改变振荡频率的4个半导体激光器集成在0.6mm×0.6mm的小芯片上,各激光器的间距为125μm,用一个透镜收集4个激光器的光,能聚光到一根光纤中。另外,各激光器光的振荡频率的调谐范围约200GHz,4个激光器不会相互干扰,各个激光器的频率间距可控制到10GHz。     

光纤有线电视技术入门30问(10)

问13 半导体激光器的基本结构和工作原理13.1 发光现象的基础如前文所述,对光纤传输不可缺少的,是沿着光纤进行从光到电、从电到光的信号形态变换的技术。这一变换技术就是用电信号调制发光器件输出光,或在接收到这一光信号之后,再将原先电信号解调出来的方法。前者的代表性器件是激光器。从技术上看,使光通信达到今日普及程度的关键,是优良光纤的开发以及激光器的     

适用于可见光通信的LED器件

认为研究发光二极管(LED)器件调制特性以及在高速调制状态下的发光特性是提升新型可见光通信系统性能的关键问题之一,LED器件调制特性的提升可以显著拓展可见光通信系统的应用范围。基于LED器件的调频特性,通过分析发光器件和封装的结构及其他关键光电性能,提出建议:通过降低RC时间以及载流子自发辐射寿命,有效改善LED器件的响应速率,提高LED的调制带宽。     

双异质结激光器、发光二极管和光纤各种耦合方式的比较

1.前言使用双异质结激光器(以下称为“DH 激光器”),发光二极管(以下称为“LED”)等半导体发光器件和光纤的光通信方式,有可能成为适用范围广,性能优越的通信方式。各研究所都以实用化为目标正在进行研究。在光纤通信中,半导体发光器件和光纤的高效率耦合是一个重要的问题。众所周知,普通 DH 激光器的输出光与有源区的形状有关,平行于 PN 结平面方向的发散角(以下称为“水     

中国电子科技集团公司第十三研究所光电产品推介

中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电材料、光电芯片及器件研制与生产30余年。专业部具有单晶衬底、材料外延、芯片、封装、应用全产业链技术及产品研发与生产能力,拥有3英寸和4英寸均兼容的专用光电芯片工艺线、大功率半导体激光器封装工艺线和先进完善的检验检测设备,能满足多种光电芯片及器件的科研生产。现有产品包含功率激光器芯片、光通信激光器芯片、光通信探测器芯片。     

使用单一5V电源工作的光电集成电路

<正>据日本《O Plus E》1992年第149期报道,日本住友电气工业公司已制成用单一5 V电源工作、光通信用的光电集成电路。光接收器件的直径为50μm以上,并容易和光纤相连接,由于采用单一电源,可提高器件的实用性。另外,还具有对应于1.5Gbit/s光信号的性能,以适应专用光纤等今后应用于各个家庭。光电集成电路由光接收器件和放大电路构成,而各个器件的电源电压不同,大多采用两种电源。     

光通信用长波长光电器件市场新动向

近年来,由于光纤通信迅速向以1.3、1.5μm波段为中心的长波长段发展和光用户系统、LAN等正式投入使用,促使了其关键部件——发光、接收器件的迅速发展。目前1.3、1.5μm波段的器件已经或即将实用化,在国际光部件市场中所占的比例也越来越大了。尤其是发光器件的生产规模及需要量增长的比例最高。例如,通信用半导体激光器在世界上的销售额为140.8亿日元(1986年)。其中日本的半导体激光器市场占世界激光器市场的27.5％。在日本的激光器市场中,半导体激光器占82％,其中1.0～1.4μm波段的半导体激光器的生产额占30％,1.3μm波段的半导体激光器在1986年的生产额达160亿日元,估计今后将按年平均增长率38％的比例上升。1.55     

半导体光电器件工艺技术概述

半导体光电器件主要包括半导体激光器，半导体发光管，半导体探测器以及半导体光放大器等基于半导体材料的光电器件，它们体积小，可靠性高，便于集成，光电，电光转换效率高，在光通信系统中完成发射，接收，放大和监控等功能，是通信系统重要的组成部分。     

基于垂直结构GaN LED的水下蓝光通信系统

垂直结构GaN LED能够提高器件的出光效率和调制带宽,是可见光通信的关键器件。该文面向水下蓝光通信的重大应用需求,基于亚波长理想LED模型,设计、制备了垂直结构蓝光LED器件,在NRZ-OOK调制下可实现10 Mbps的无线光通信。该文进一步搭建了水下可见光通信系统,采用基于该器件,实现了调制速率2 Mbps的全双工水下蓝光通信。     

偏振面稳定的面发光激光器

日本RTA研究所与东京工业大学精密工程研究所的伊贺健一教授联合开发出偏振面稳定、且阈值电流小的面发光激光器(图1)。该激光器具有下述特点,因为它产生的光垂直于晶面,除可在单个基板上实现二维阵列化外,还可与其他的器件集成,适于作并行、大容量光通信用光源。以往的面发光激光器,存在偏振模不稳,也就是电场振动方向不一致的问题,因此,导致光干涉劣化、噪音增大,难以在未来大容量传输方式的相干光通信和要求低噪声的高速传输方面应用。     

采用纳米压印技术制作DWDM激光器的研究

 适合DWDM系统应用的高性能DFB半导体激光器是现代光通信系统中发射机的核心光电子器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。目前,基于MOCVD设备的材料外延技术趋于稳定,高速器件封装技术也已经成熟,满足DWDM需求的DFB光栅的加工渐渐成为进一步降低成本的一个瓶颈。本文利用纳米压印技术制作DFB激光器光栅。结果表明,利用纳米压印技术制作出来的DFB激光器性能不逊于用EBL直接制作出的高性能激光器,不仅可以满足DWDM系统的要求,而且还具有生产效率高、成本低的优点。     

可见光通信中的LED频率特性测试方法研究

针对可见光通信系统中LED的频率特性问题,提出了采用频谱分析仪的测试方案,设计、制作了以PinPD作为光电探测器的LED频率特性测试电路及收发系统。对流明、科瑞、欧司朗、三星等多种商用白光LED以及日本滨松的光通信用红光LED进行了测试,得出了具有较大参考价值的结论。     

输出2.1瓦的脉冲红外半导体激光器

日本冲电气工业公司制成可用于卫星间光通信之类新领域的大功率半导体激光器，输出功率2.1瓦，发射脉冲红外激光。输出功率虽不及气体、固体激光器，但其尺寸很小(约1毫米见方)，把许多这样的器件并列在一起同时发光，可做到小型轻量,性能可与其他激光器匹敌。     

日趋繁多的光通信用检测器

随着NTT的贯横日本的光通信线路建设,我国光通信用的各种检测器件之需求量也大幅度地增加了。尤其是像光功率计、标准光源及故障位置检测装置(如光时域反射计)等为光通信所必需的基本检测器件,市场己确实开始感到需要。今后,除了NTT积极地将光缆引入干线的分支外,还有第二电电电缆公司的日本电信业务、日本高速通信光缆的敷设规划、全国各地电力公司的光缆网敷设计划,不久也会陆续急剧进展。我国光通信用的检测器的两大厂商是安藤电气公司和(?)公司。这两家公司生产了目前所必需的     

高速白光LED光通信系统中的码间干扰及其抑制

码间干扰是影响通信系统质量的重要因素,码间干扰的抑制成为改善高速白光LED光通信系统性能的关键.分析了码间干扰的产生机理及其对高速白光LED光通信系统的影响,讨论了传统的抑制码间干扰的方法以及提出分集接收的抑制技术.实验结果表明,分集接收技术能有效抑制码间干扰对高速白光LED光通信系统的影响,系统信噪比平均提高2dB.     

国内外光通信光源技术新进展

目前，光通信正在向高速、大容量、宽带宽、长距离、低成本方向迅速发展。光通信的关键器件——光源已取得很大进展，不仅第三代高速宽带的应变层量子阱激光器、垂直腔面发射激光器和光纤激光器取得重大进展，一些新型光源，如量子点激光器、量子级联激光器、光子晶体激光器和微碟激光器等也随着光通信应用的需求取得重大进展。     

光纤通信用半导体激光器及其进展

本文以所收集的１９９６年国外半导体激光器方面的研究成果为基础，介绍国外光通信用半导激光器器件研制的最新进展，具体介绍几种型半导体激光器，特别是量子材料激光器的结构和特点，希望能对国内半导体激光器的研制与应用提供有益的能者。     

元素掺杂对LED器件空间辐射性能的影响

发光二极管(LED)是卫星光通信系统中重要的光源部件,它的工作性能直接影响着光通信系统的可靠性。对粒子辐照条件下LED器件的少数载流子寿命和输出光功率变化进行了深入的理论分析,依据理论分析展开数值模拟计算。结果表明,提高LED有源区Zn元素掺杂浓度可有效降低少数载流子的辐射寿命,在提高LED输出功率的同时有效提升器件的空间抗辐射性能。     

空间辐射环境下光源辐射性能的比较和选择

激光光源器件是卫星光通信系统中重要的终端部件,它的工作性能直接影响着光通信系统最终的误码率。对常用的LED、LD、YAG、VCSEL光源器件的空间辐射特性进行了总结和比较,结果表明,VCSEL器件无论在阈值电流还是在输出功率方面均具有更优越的抗辐射性能,更适合作为卫星光通信系统中的光源器件。     

武汉电信器件工司研制出DC—PBH激光器

武汉电信器件工司为了获得低阈值和长寿命的光通信用光源,研制了双沟道平西掩埋异质结激光器,并取得了初步成果。其特性为: 波长:1.31μm;阈值电流:<50mA: