O在多层偏析Rh－Pt合金表面上的化学吸附能计算

采用多层偏析合金表面化学吸附理论在平均Ｔ矩阵近似（ＡＴＡ）下计算了Ｏ在Ｒｈ－Ｐｔ无序二元合金表面上的化学吸能。在忽略表面偏析的情况下，化学吸附能随着Ｒｈ体浓度的增加而单调、几乎线性地减小；在仅考虑清洁合金表面偏析的情况下，Ｐｔ在合金表面的偏析导致化学吸附能较大幅度地增加，使化学吸附不稳定；在一般情况下，清洁合金表面偏析和化学吸附诱导表面偏析均能不同程度上改变化学吸附能和化学吸附性质：Ｏ／Ｒｈ－Ｐｔ系统的化学吸附随着Ｏ覆盖度的增大而减小。     

H原子在Au_xAg_(1-x)表面上的化学吸附

采用相干势近似（CPA）和Einstein-Schrieffer化学吸附理论计算了H原子在AuxAg1-x合金表面上的化学吸附能．计算结果表明，化学吸附能△E随着Au体浓度Xb的增加而减小；Ag在清洁合金表面的偏析导致化学吸附能△E增加；化学吸附诱导表面偏析的影响在化学吸附中不能被忽略，化学吸附能随H原子覆盖度θ的增大而减小．     

H在DBA表面上的化学吸附能计算

采用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ－Ｓｃｈｒｉｆｆｅｒ化学吸附理论和复能积分技术在平均了矩阵近似（ＡＴＡ）下计算了氢原子在无序二元合全（ＤＢＡ）ＣｕｘＡｕ１－ｘ，，ＣｕｘＰｔ１－ｘ，ＮｉｘＡｕ１－ｘ和ＮｉｘＰｔ１－ｘ表面上的化学吸附能．计算结果表明：（１）Ｈ／ＣｕｘＡｕ１－ｘ和Ｈ／ＮｉｘＡｕ１－ｘ系统的化学吸附能分别随着ＣＵ浓度和Ｎｉ浓度的增加而减小；（２）对于Ｈ／ＣｕｘＰｔ１－ｘ系统，在Ｘ＝０．４处化学吸附最稳定；（３）Ｈ在ＮｉｘＰｔ１－ｘ表面上的化学吸附在Ｘ＝０．２处是不稳定．     

Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构第一性原理研究

密度泛函理论（DFT）总能计算研究了1／2ML覆盖度下氯原子在Cu（111）表面的吸附结构。计算结果表明：在Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构中两个不同的Cl原子分别吸附于Cu（111）表面的fcc谷位和hcp谷位,每个氯原子的平均吸附能为2．631eV,氯原子的平均吸附高度ZCl-Cu。为0．209nm。Cu（111）-c（2×2）-Cl表面的功函数为5．778eV。     

CO在Cu表面吸附过程中电荷转移的理论研究

应用密度泛函理论．对CO分子在Cu(100)表面的吸附过程进行了研究。计算了CO分子以垂直方式在3种不同吸附位置吸附时CO分子和Cu(100)表面原子的电荷分布。结果表明：与碳原子最近邻的铜原子表面上发生明显电荷转移．而其他表面原子及体相原子的电子结构没有变化。Mulliken集居数及局域态密度分析表明，吸附过程中CO分子与表面Cu原子相互作用主要是CO分子内杂化轨道和3d，4s，4p(Cu)的贡献。     

Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构第一性原理研究

密度泛函理论（DFT）总能计算研究了1／2ML覆盖度下氯原子在Cu（111）表面的吸附结构。计算结果表明：在Cu（111）-c（2×2）-Cl吸附结构中两个不同的Cl原子分别吸附于Cu（111）表面的fcc谷位和hcp谷位,每个氯原子的平均吸附能为2．631eV,氯原子的平均吸附高度ZCl-Cu。为0．209nm。Cu（111）-c（2×2）-Cl表面的功函数为5．778eV。     

CO在Cu表面吸附过程中电荷转移的理论研究

应用密度泛函理论,对CO分子在Cu(100)表面的吸附过程进行了研究。计算了CO分子以垂直方式在3种不同吸附位置吸附时CO分子和Cu(100)表面原子的电荷分布。结果表明:与碳原子最近邻的铜原子表面上发生明显电荷转移,而其他表面原子及体相原子的电子结构没有变化。Mulliken集居数及局域态密度分析表明,吸附过程中CO分子与表面Cu原子相互作用主要是CO分子内杂化轨道和3d,4s,4p(Cu)的贡献。     

Fe—Cr—C—Si—B喷焊层的等离子弧重熔研究

本文首次开展了微束等离子弧的表面改性研究．采用２Ａ、３Ａ和４Ａ微束等离子弧，对Ｆｅ－Ｃｒ－Ｃ－Ｓｉ－Ｂ自熔合金喷焊层进行了表面扫描重熔，观察、分析了试样显微组织和成分分布，测定了扫描前后试样在１ＮＨ２ＳＯ４溶液中的极化曲线．由于试样的自淬火作用，微束等离子弧扫描细化了组织，减小了显微偏析，大大提高了喷焊合金的抗腐能力     

MoS_2吸附去除水中Cu(Ⅱ)的机制研究

采用一步水热法制备纳米MoS_2,对水中Cu(Ⅱ)有较好的吸附去除效果。Cu(Ⅱ)的最大吸附去除量221.3 mg·g~(-1)。采用表面络合模型(SCFM)描述Cu(Ⅱ)在MoS_2吸附剂表面上的吸附机制。实验表明:MoS_2对Cu(Ⅱ)的吸附过程包括物理和化学两种吸附作用,化学吸附是主要的吸附作用,决定了Cu(Ⅱ)的吸附去除效果。     

固体表面上液氮膜的界面张力与间隙孔径

根据表面热力学原理，本文导出从无孔固体吸附氮气的等温线计算其表面上吸附生成的液氮膜界面张力方程式；还导出计算固体中圆筒形间隙孔径方程式。计算结果表明：在７７．３Ｋ，绝大多数无孔固体表面上吸附液氮膜的界面张力与液氮的界面张力相差很大；本文方法计算出固体中圆筒形间隙孔径比用Ｋｅｌｖｉｎ公式计算结果大。     

防止A1-Pb-Cu合金中铅偏析的新工艺及其合理性分析

本文针对新型的Al-Pb-Cu减摩合金,论述了合金中Pb偏析的特征。通过采用新颖、简便的熔铸工艺措施,加入某种活性熔剂,解决了Pb偏析的难题。文中,根据宏观偏析的理论,元素的热物理性质及熔剂的作用,论证了本熔铸工艺的合理性。     

淬硬轴承钢磨削后的表面硬度

基于Jeager 的移动热源理论建立热模型, 预测磨削表面温度。研究了淬硬轴承钢及一些低合金钢回火硬度与回火温度的关系。建立了回火硬度与回火温度关系的回火效应模型。磨削热导致回火引起淬硬钢磨削后表面硬度变化。通过合并磨削热模型和回火效应可以预测工件磨削后的表面硬度变化。进行了淬硬GCr15 轴承钢的高速磨削试验, 研究了工件速度和磨削深度对磨削后表面硬度的影响。试验值与预测值能够较好吻合。     

Physically-based modeling for hole scattering rate in strained Si_(1-x) Ge_x/(100)Si

Based on the Fermi's golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, a physically-based model for hole scattering rate(SR) in strained Si1-x Gex/(100)Si was presented, which takes into account a variety of scattering mechanisms,including ionized impurity, acoustic phonon, non-polar optical phonon and alloy disorder scattering. It is indicated that the SRs of acoustic phonon and non-polar optical phonon decrease under the strain, and the total SR in strained Si1-x Gex/(100)Si also decreases obviously with increasing Ge fraction(x). Moreover, the total SR continues to show a constant tendency when x is less than 0.3. In comparison with bulk Si, the total SR of strained Si1-x Gex/(100) Si decreases by about 58%.     

Fe-C-Cr-Si合金的价电子结构与贝氏体相变动力学

利用余瑞璜的“固体与分子经验电子理论”建立了Fe-C-Cr-Si合金贝氏体及母相奥氏体的价电子结构。从价电子结构导致的短程偏聚讨论了过冷奥氏体等温转变时Cr、Si对C-曲线的影响。由于Cr、Si在等温转变时的行为取决于C-Cr、C-Si偏聚力的大小,因此Fe-C-Cr-Si合金相变动力学C-曲线的形成便追溯到合金相的价电子结构。     

钛基二元纳米合金形成焓的尺寸效应

基于计算合金形成焓的改进Miedema模型和考虑纳米颗粒表面效应,研究了钛基二元纳米合金形成焓的尺寸和成分效应.计算结果表明钛基二元合金纳米颗粒的形成焓依赖颗粒尺寸,显示了明显的尺寸效应.纳米颗粒的形成焓随粒径的减小而增大,当粒径减小到某一临界尺寸时,纳米合金的形成焓由负值转变为正值,从而降低了纳米颗粒的热稳定性.当颗粒粒径小于10 nm时,纳米颗粒发生成分聚集,这种成分聚集发生的趋势取决于纳米合金的表面形成焓.     

卤素原子在NaCl晶体表面上的化学吸附

本文采用自洽的格林函数方法和复能积分技术研究了卤素原子在 NaCl 离子晶体表面上的化学吸附。化学吸附过程由 Anderson—Newns 理论处理,离子晶体用一堆半无限交替排列 A—B 原子链模型来描述。分别计算了 F、Cl、Br、I 在 NaCl 晶体表面上的化学吸附能△E 和电荷转移△Q,并绘出了△E 和△Q 随吸附原子与表面原子相互作用强度 V。的变化曲线。     

射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射工艺以Cu／Ag合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明，沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加，薄膜电阻率随功率增大而增大。电流-电压关系（I—U）测试表明在高阻Cd1-xZnxTe上溅射Cu／Ag薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性，溅射功率为100W时的接触性能好于功率40W时的接触性能。