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美国马里兰州约翰斯霍普金斯大学的研究者发明了一项生产氮基材料的技术,这是形成一种新型半导体激光器的关键。这类新激光器不同于现有的半导体激光器,可在光谱的可见光范围操作。这种激光器可替代彩色阴极射线管用于平面电视机的制备。半导体激光器比普通激光器小得多;可安装到指甲上。一般使用的半导体激光器是砷的化合物,如砷化镓,砷化铝,砷化铟。 相似文献
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本文提出了一种半导体激光定位技术,它利用半导体激光器的线性调频特性来实现干涉零点的动态定位,突破了传统白光定位的局限,简化了干涉仪设计,并实现了大范围内的零点捕,是一种实用的干涉定位技术。, 相似文献
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本工作采用一台Q开关Nd:YAG激光器的四倍频输出(266nm)作为消融激光,以45°角入射到半导体样品靶上,用反射型时间飞行持谱仪分析和探测由激光与靶相互作用产生的离子,从得到的质量谱研究激光与半导体材料相互作用,报告了这种相互作用的阈值特性,离子交额、质谱分辨率等与激光通量密度的关系,给出了典型的AlCaAs和InP材料的激光消融微区质谱。 相似文献
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首次采用ZnS/MgF_2混合膜料并借助主动监控法来镀制半导体激光放大器。测量结果表明镀膜后二极管激光器自发辐射谱在镀前阈值电流时的调制度外推值为1.27%,即镀后激光二极管两端面剩余反射率的乘积为4×10~(-6)。 相似文献
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半导体激光端点干涉长法原理探讨 总被引:2,自引:1,他引:1
阐述利用半导体激光的频率变化和波长变化测量干涉仪光程差的基本原理,探讨一种在长度的两个端点干涉测量长度的新方法,即端点干涉测长法的原理,推导这种方法测量长度的公式,指出这种方法区别二其它干涉测长方法的独特优点,最后讨论测量中的注意事项以及需要深入的研究的问题。 相似文献
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提出了一种新的半导体激光定位技术。它利用多模半导体激光干涉条纹强度分布和双波长细分技术,用两个半导体激光器完成了零点的高精度动态定位。本文方法突破了传统白光定位的局限,简化了干涉仪的设计,实现了大范围的零点捕捉。定位精度达到0.01μm。 相似文献
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《真空科学与技术学报》2020,(8)
为实现半导体激光器对铝合金的焊接,将2 kW半导体激光器的光束进行整形,提高光束质量,光束亮度达到412.00 MW/cm~2.sterad,比整形前的光束亮度增加了7倍。然后采用整形的半导体激光器对1 mm厚度的6063铝合金进行拼接焊接实验,通过对焊接工艺参数激光功率、焊接速度、离焦量进行正交优化实验,焊缝接头最大抗拉强度为172.3 MPa,达到母材的85%,实现了半导体激光对铝合金的激光焊接目标。 相似文献
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光热调制半导体激光波长降低干涉测量误差 总被引:4,自引:0,他引:4
本文首次将光源波长的光热调制技术用于正弦相位调制干涉仪中,消除了因直接调制激光波长引起的光强度变化对测量的影响,降低了测量误差。 相似文献
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阐述利用半导体激光的频率变化和波长变化测量干涉仪光程差的基本原理,探讨一种在长度的两个端点干涉测量长度的新方法,即端点干涉测长法的原理,推导这种方法测量长度的公式,指出这种方法区别于其它干涉测长方法的独特优点,最后讨论测量中的注意事项以及需要深入研究的问题。 相似文献
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来克娴 《中国材料科技与设备》2012,(2):12-14
目前,随着晶圆厚度越做越薄和更多的三族、五族化合物半导体材料的应用,“钻石刀”技术越来越不能满足高质量的切割要求,晶圆切割开始使用激光技术。但传统的激光切割技术容易产生碎片,同时由于热影响在晶圆表面产生微细裂纹导致晶圆的断裂强度很低。为了解决这些问题,产生了一种新的切割技术——水导激光技术。这种技术采用头发丝细的水束流引导激光至工件表面,这就好比光纤一样。采用水导激光技术起初是为了解决切口热影响的问题,但该技术在克服光束发散和去除切割产生的熔融物质方面同样具有无可比拟的优势。全面介绍了水导激光切割技术的原理及其切割晶圆的应用,特别是在化合物半导体(砷化镓)晶圆、碳化硅晶圆方面的应用。 相似文献