剥离技术制作金属互连柱及其在MEMS中的应用

介绍了利用AZ5214光刻胶及ZKPI-305ⅡD型非光敏聚酰亚胺制作的两种不同的剥离层,即双层AZ5214和ZKPI AZ5214.此两种剥离工艺简单易操作,可剥离出1 μ m金属镍柱,并可在MEMS 工艺制作中获得了良好的效果.     

芯片背金属剥离分析

封装制程中发生金属层剥离对产品可靠性产生致命伤害。背金属制程污染是产生剥离的主要原因,封装制程使用的材料和工艺对金属剥离的程度有影响。EDX电子显微镜分析有助于确认金属剥离界面的物质元素,通过比对背面金属设计可以确定剥离是在金属镀膜过程还是封装过程中产生。蒸金过程提高清洗质量和防止化剂交叉污染,封装过程降低胶带粘性、使用胶木/集束顶针、降低热烘温度和时间、降低顶出高度和速度等可减少背面金属膜剥离。     

印制电路板显影液循环再生利用系统的实践研究

文章是针对印制电路板生产过程中线路、阻焊的显影工序所产生的废显影液进行再生利用实践及研究,其工艺过程是废显影液在超滤工艺过滤后通过参数调整、清洗等一系列的工艺流程,实现显影液的循环再利用,减少废水的排放.     

用于剥离工艺的高分辨率双层光刻胶结构

本文叙述一种用于剥离工艺的制备双层正性光刻胶结构的新工艺方法。此工艺方法的关键工序是在 CF_4等离子体中处理第一层光刻胶的表面以形成一薄的缓冲层,该层对紫外线是透明的,并且在光刻胶溶剂中和碱性水显影液中是不可溶的。选用 AZ-2400和 AZ-1300系列正性光刻胶制作出“凸缘”型光刻胶剖面图形以适合剥离应用。能很干净地剥离出高1μm、宽1μm 的铝线条。制作了一个1μm×1μm 的栅格结构以证实此新双层光刻胶工艺方法的分辨能力和钻蚀控制情况。最后叙述了1μm 栅 GaAs MES-FET 的制作以证实其应用。     

蒸发制备金属薄膜实现MEMS工艺中电互连

介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱.分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86 μ m,聚酰亚胺(ZKPI-305ⅡD)和AZ5214柱高2.0 μ m,ENPI柱高1.5 μ m),都起到了较好的互连作用.     

金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究

开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。     

剥离工艺制作SAW滤波器IDT的研究

研究了用于声表面波滤波器的微米尺度的叉指换能器的制作工艺。利用剥离工艺,分别采用铝和铬金两种金属制作了叉指换能器的电极,分析了剥离工艺制作叉指电极时的工艺特性。对加工样品的测量分析结果表明,利用剥离工艺制备的叉指换能器电极线条光滑、陡直、清晰,但是成品率较低。对比分析了采用铝和铬金制作的叉指换能器样品结构,结果表明两种金属材料在剥离液中的腐蚀时间不同,铝材料需要较长的剥离时间;两种材料制作的电极图形质量也有差异,铝材料制作的电极更为陡直、精细。     

用电子束曝光的等离子干显影

半导体制造工艺中,干处理技术以腐蚀或抗蚀剂剥离为主。这种干处理技术可防止以往的溶液法引起的侧面腐蚀或药品污染引起的缺陷,而且具有可以省去防止公害的废液处理设备等很多优点。特别是最近,伴随着器件高密度化、高集成化的进展,研究出了反应溅射法或反应离子刻蚀法等新的干腐蚀技术,试制出了用溶液法无法实现的微细图形。 就干法加工抗蚀剂图形的显影技术来说,在能够提高尺寸精度、防止由显影液污染而发生的缺陷及简化工序的同时,通过与抗蚀剂剥离以及腐蚀等干加工技术相结合,能够实现光刻工艺大幅度干法化,     

带胶剥离工艺粘附性实验研究

带胶剥离是微电子工艺的常见工艺步骤.文章通过对带胶剥离的样品进行退火实验,研究了电极蒸发金属和不同基底的粘附特性.实验表明,带胶剥离工艺制备的电极,其金属与衬底的粘附性差,退火过程产生气泡,严重影响了器件的特性.蒸发温度、蒸发室真空度,以及基片表面的清洁度与气泡产生有密切的关系.从这几点入手,提出了相应的改进方法.     

利用兆频超声波实现无损伤清洗

我们在实施晶片的前段工艺处理（front-end-of-line简称FEOL）和后段工艺处理（back—end—of-1ine简称BEOL）的时候，往往需要采取无数次的清洗操作步骤。清洗的次数多少取决于晶片的设计和所需要的互连层数。实施清洗工艺的目的不仅是要剥离晶片表面的光刻胶，还要考虑去除各种复杂的蚀刻残余物质、金属颗粒物，以及其它的污染物，为此需要不断探索新的、更加精细的化学试剂。在考虑这些工艺操作的时候，     

Optical single layer lift-off process

The lithography of the metal wiring layers is becoming the most confining technology in the era of VLSI (very large-scale integration), as more and more circuits have to be wired on the chip itself. The two competing technologies are subtractive etch (wet or dry), and additive metal lift-off. As lift-off needs no etching, it inherently offers cost and density advantages. It, however, requires an undercut photoresist profile. These undercuts can be achieved with an image-reversal process. The paper describes such a reversal process, especially tuned for lift-off applications. The result is a simple single-layer lift-off technology with excellent image quality.     

声表面波器件制作中的一种剥离技术

介绍了一种适用于LiTaO3、LiNbO3基片的金属剥离工艺技术。该剥离技术利用碱性溶剂浸泡处理光刻胶,光刻胶顶层形成一层有利于剥离的突出遮蔽层。利用该技术可制作线宽小于0.5μm的SAW芯片。该技术无需额外设备,工艺稳定且成本低。     

采用高压NMP实现全自动去胶技术

LED加工工序中,需要对晶圆表面进行去胶处理。针对LED去胶工序研究了一种去胶方法,并开发出了一种享有专利的晶圆表面金属剥离及光刻胶去除工艺及自动去胶设备,该工艺方法可去除LED表面金属层及光刻胶,并且将人工去胶的三道工艺程序整合到一起。采用该方法的全自动去胶设备,通过实验比对,能够达到良好的LED晶圆去胶良率。结尾列出了利用该方法与目前常见的人工去胶相比的多种优点。     

Excimer Laser Projection Photoablation Patterning of Metal Thin Films for Fabrication of Microelectronic Devices and Displays

A nonlithographic process is demonstrated for patterning Al, Cr, Cu, Ni, Ti, and W thin films, which are widely used in microelectronic and display fabrication. A projection photoablation process using 248-nm-deep ultraviolet radiation from a KrF excimer laser was used to pattern a polyimide film coated on a SiN layer deposited on glass. The photoablation-patterned polyimide film was used as a sacrificial layer in a lift-off patterning process for the metal films, which resulted in clean metal patterns with fine line-edge definition being fabricated after lift-off. This process provides a simpler and more economical patterning technique compared to conventional lithography methods, eliminating the developing and etching steps.     

拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps

描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法. 结合图形转移过程（如去胶等）,利用临近效应灵活有效地制备了金属（如Au或者Ag等）Nanogap结构及其阵列. 采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap. 另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.     

拓展临近效应由纳米连接制备亚20nm金属Nanogaps

描述了一种拓展电子束光刻中的临近效应来制备特征尺寸在亚20nm的金属Nanogap的方法.结合图形转移过程(如去胶等),利用临近效应灵活有效地制备了金属(如Au或者Ag等)Nanogap结构及其阵列.采用GDSII软件设计图形,以电子束光刻为手段制备Nanogap的原始纳米连接图形,然后通过去胶过程获得金属的Nanogap.另外,通过控制电子束光刻的剂量,能够把Nanogap的尺寸降低到约10nm.     

Fabrication of a conductive nanoscale electrode for functional devices using nanoimprint lithography with printable metallic nanoink

This paper proposes two metal patterning processes. In each process, nanoimprint lithography (NIL) is used with commercialized particle-based silver nanoink which has appropriate properties for NIL. One process is a direct NIL process with a polydimethylsiloxane (PDMS) stamp; the other is a combined NIL and lift-off process. The direct NIL process is executed by using a xylene-absorbed PDMS stamp to decrease the curing time and minimize the residuals. A flexible PDMS stamp can also be wrapped around a quartz cylinder and used as a roll stamp to enlarge the patterned area. The direct NIL process successfully produced silver line patterns in the range of 200–300 nm, and the combined NIL and lift-off process successfully produced silver line patterns in the range of 15–60 nm.     

4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取

研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2·eV-1和8.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.