用于继电保护开关电源的研制

文章介绍的开关电源,应用于继电保护．对一些特殊功能较好地进行设计,并实测关键波形,给出主要数据。     

高压浮动MOSFET栅极驱动器原理及应用

IR2110高压浮动MOSFET柳极驱动器性能优异、与计算机接口方便。介绍了高压浮动栅极驱动器的原理和应用特点，给出了IR2110栅极驱动器在步进电机控制及发电机激磁电流调节中的应用实例，说明了电路调试中须注意的几个问题。     

二十一世纪CMOS工艺发展趋势

本文描述了０．１μｍ沟道ＣＭＯＳ器件的设计、制造及其特点,该器件在３５Ａ经物上有双ｎ＾＋／ｐ＾＋多晶硅栅。在１．５Ｖ的电源电压下,其性能比２．５Ｖ的０．２５μｍＣＭＯＳ技术提高了２倍。此外,小于１Ｖ的供电电压可使每个电路中的有源功耗降低２０倍,而其延迟仍与０．２５μｍＣＭＯ析相同。这些结果证明,这项高性能、低功耗的室温０．１μｍＣＭＯＳ技术是可行的。当沟道长度小于０．１μｍ时,我们还必须重新探讨一     

利用PWM集成控制器控制的弧焊逆变器

利用PWM集成控制器SG3525控制的大功率场效应管MOSFET构成的弧焊逆变器的组成及原理。     

功率MOSFET并联应用

从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因,并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析,并辅以仿真说明振荡产生的原因。     

几种IGBT与功率MOSFET栅极驱动电路的比较与应用

介绍了两种IGBT和功率MOSFET栅极驱动电路模块及一种经济实用的驱动电路.     

IR2110在BUCK变换器中的应用

使用功率MOSFET驱动器IR2110，实现N沟道MOSFET在BUCD变换器中的应用，并在此基础上设计了一种程控充电电路，实践证明在安全工作区及耐冲击等方面有较大的优点。     

一种新型的固态开关——光MOS继电器

本文讨论了一种新型的ＭＯＳ继电器的电路结构及其工作原理,并对其电路特性进行了计算机模拟,设计了器件结构和版图,分析表明,光ＭＯＳ继电器具有优良的开关特性。     

LDD MOSFET工艺研究

一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列问题,如阈值电压降低、漏源穿通电压下降,热电子效应引起的阈值电压不稳定,二次碰撞电离产生的衬底电流等。降低氧化层厚度和减小结深,虽然可以使阈值电压和源漏穿通电压降低问题得到改善,但它     

电动堆垛车驱动控制系统设计

提出基于ST72324的电动堆垛车驱动控制系统.采用开关频率比较高的MOSFET作为直流斩波开关元件,并利用硬件保护模块防止误动作,有效保证驱动控制系统的可靠性;同时结合软件保护功能,提高蓄电池利用效率,延长使用寿命,保障驱动控制系统安全.利用ST72324片上外设SCI、SPI实现与手持单元通讯和故障存储,便于用户操控和维护.详细介绍了硬件电路和软件的设计,并测试了该驱动控制系统的有效性和可靠性.     

短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究

运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOIMOSFET中短沟道效应引起的闽值电压下降的理论模型。利用MatLab进行了数值模拟计算．并比较了单栅和双栅器件的结果。同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响。结果表明．薄膜器件有利于减小短沟道效应．而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍。另外．对于薄膜器件来说,改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多。     

MOSFET半桥驱动电路设计要领

本文针对如何设计MOSFET半桥驱动线路进行了深入分析,其中对半桥驱动芯片的工作原理、自举电容的计算以及相线振铃和相线负压的产生作了详细分析并给出了相关实验波形。     

几种实用的低电压冗余电源方案设计

通过对电源冗余的系统介绍和分析,指出传统方案和替代方案的优缺点。着重说明了在新的低电压冗余电源方案设计中MOSFET不同于常规的应用原理,并且根据不同的需求给出了几种以LTC4416、PI2121、LTC4352、LTC4350、TPC2412为代表的典型应用电路方案,说明了其中重点电路的原理。     

电介质击穿对MOSFET器件漏电流的影响

栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一。由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题,而且对漏电流造成很大的影响。采用最新工艺制成的超薄栅电介质,把由击穿产生的漏电流作为因击穿点的扩展而损伤的沟道电流的一部分。制作栅氧厚度为2.2nm和3.5nm、不同沟道宽度的器件,使用专门的装置给器件施加应力,用统计方法研究晶体管性能的退化。分析表明,使漏电流退化的损伤半径大约在1.4μm-1.8μm之间。     

电动汽车功率驱动单元设计

以电动汽车用永磁同步电机为控制对象,介绍了功率驱动单元的设计方法,包括基本结构、功率器件的选取及其驱动电路设计,以及保护电路的结构和参数设计;该方法选用MOSFET作为功率器件,降低了功率驱动单元设计的成本;采用的保护电路设计方法从参数设计入手,并通过电路布局的优化,极大地降低了MOSFET漏极和源极间dudt引发的干扰,提高了功率驱动单元的性能;应用结果表明,采用该方法设计的功率驱动单元性能优良,已成功应用于电动汽车驱动系统中。     

功率MOSFET的过电流保护

本文分析了H桥电机枢动方式中，常出现的几种瞬态过电流情况，并提出从功率MOSFET本身的过电流能力出发，快速，有效地实行“就地”保护的几种方法。     

MOSFET的驱动及吸收电路

本文分析了MOSFET的开关特性及吸收保护电路,有效降低开关噪声,保护开关管。     

VHF宽带E类高效率功率放大器设计

使用ADS(Advanced Design System)软件仿真设计了基于28-V MOSFET器件的VHF频段30 MHz～80 MHz E类开关模式高效率功率放大器。输入端使用了宽带匹配,输出端通过开关改变后端的匹配电路和滤波器。电路实测:30 MHz～80 MHz输出功率3.2 W～7.1 W,效率从30 MHz的71.4%到80MHz的52.5%,并且具有优良的调幅线性度,可以将其应用到EER发射机。