铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

铁电存储器工作原理和器件结构

铁电存储器与传统的非易失性存储器相比，具有功耗小、读写速度快、抗辐照能力强等优点，因此在一些特殊应用领域具有很好的市场。文章介绍了铁电存储器的基本工作原理，并介绍了两种主流的铁电材料。文章还介绍了铁电存储器的电路结构，包括2T2C、1T1C、1T2C以及链式结构，并说明了铁电存储器的渎写过程。铁电存储器的器件结构主要有Planar结构和Stacked结构两种。Planar结构制作工艺相对简单，但是集成度不高。Stacked结构的集成度更高，对工艺的要求也更高。     

不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应

对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的直流、交流、功能参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因。研究表明,将铁电存储器置于不同的偏置条件下,铁电存储器的功能失效阈值不同,原因可能是偏置不同造成了辐射损伤的短板电路模块不同。     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

铁电存储器研究进展

近几年来,铁电存储器研究取得了很大进展.铁电存储器因其所具有的许多优越性和良好的应用前景而受到人们的广泛关注和重视.本文介绍了铁电存储器的工作原理及设计与制作方法.并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述.     

一种4 kb铁电存储器的设计

以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4kb(512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块。设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元完全不同的铁电存储单元的设计方法。仿真结果表明,铁电存储器在5V工作电压下工作周期为120ns。     

集成铁电存储器——新型快速,抗辐照,非挥发性存储器件

本文介绍了铁电存储器的原理，对非挥发性铁电存储的研究和开发情况作了综述。并就制约着铁电集成器件真正商业化的若干铁电薄膜材料物理方面关键问题作了分析。首先提出了在铁电集成器件工艺中还存在着综合优化问题。最后，对铁电存储器的未来作了预测。     

Ramtron:让铁电存储器“多、快、好、省”的技术优势发挥到极致

铁电存储器（F-RAM）产品在单一器件中综合了多种存储器技术,毋需电源也能够保存信息。铁电存储器最吸引的特点是写入速度快、读／写次数无限次、功耗极低以及20年的数据保存期等优势,其性能远远超过老式的非易失性存储器。     

FRAM—一种新型的电存储器

从原理、特性和应用领域等方面介绍计算机产业中出现的新热点－铁电存储器，预示了它的发展前景。     

铁电存储器制备中关键工艺的改进

传统铁电存储器制备工艺中,存在着Ｐｔ／Ｔｉ下电极刻蚀难、制作的铁电薄 貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进,降低了工艺复杂性,解决了上述问题。     

Ramtron最新产品规划

作为铁电存储器（F-RAM）的积极倡导者,Ramtron公司一直致力于铁电存储器产品的开发。随着目标应用的不断拓展,其产品已不仅仅局限于标准存储器。Ramtron公司在09年10月宣布最新的无线存储器产品,并在今年5月份硅谷的嵌入式系统大会上展示了这一系列产品的最新进展。     

基于铁电存储器的事务型文件系统

事务型文件系统可跟踪文件系统最终的稳定状态,保证在掉电环境下仍可正常工作。针对铁电存储器的特点,给出基于铁电存储器事务型文件系统的设计方案、底层驱动及应用接口设计,并对基于不同存储器的事务型文件系统进行性能比较。实验结果表明,基于铁电存储器的事务型文件系统文件管理方便、写入速度快,同时数据存储不受突发断电的影响,无需在重启时进行冗长的磁盘检测,降低了应用程序编写难度,加快了重启时间。     

铁电存储单元的设计和测试

基于被应用于实际设计之中的统一的铁电器件模型，详细讨论了２Ｔ ２Ｃ组态的铁电破坏性读出存储器单元的设计。在此基础上，设计和制造了分立元件的单元测试电路。通过与普通电容的对比实验，证实了铁电破坏性读出随机读取存储器与普通随机读取存储器不同的工作原理和模式。进而获得了被测ＦＲＡＭ单元的特性波形和铁电材料存储特性的有关数据。这些工作为进一步进行大规模铁电存储器的研究作了准备。     

FM31xxx铁电存储器及其读写程序

铁电存储器是新一代的非易失性存储器,FM31xxx 是 Ramtron 公司新近推出的几种不同存储容量的铁电存储器系列芯片。该器件除了相应容量的存储器外,还集成了多种支持 CPU 工作所必须的辅助功能。特别适合在为工业记录仪器、数据采集、可移动存储器等方面的应用。文章简要介绍 FM31xxx芯片,并具体给出了用 Atmel 公司的 AVR 单片机汇编语言编写的存储器读写程序。     

存储技术

F—RAM：铁电随机存取存储器 赛普拉斯半导体在其产品系列中整合rRamtronInternational的铁电随机存取存储器（F-RAM）产品,提供了市场上丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。这种全新组合能够充分满足大量不问应用对于断电时保存数据的需求。     

并行接口铁电存储器FM1808及其应用

RAMTRON公司生产的并行接口高性能铁电存储器FM1808是NV -SRAM的理想替代产品。文中介绍了FM1808的性能特点、引脚功能和工作原理 ,同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别 ,给出了FM1808的设计应用要点     

FRAM在医疗领域和智能电表中的应用及发展

1 FRAM的产品定位和优点FRAM(铁电随机存取存储器)是一种使用铁电膜来保存数据的非易失性铁电存储器。这种存储器具有非易失性和随机存取的特性,非易失性意味着即便关闭芯片的电源,存放在存储器里的数据也能保存下来。     

基于FM20L08铁电存储器的实时数据采集系统

铁电存储器以其易用、快速、非易失以及越来越大的存储容量吸引了很多电子工程师的关注。文中介绍了FM20L08铁存储器的主要特点以及FM20L08与单片机的连接及编程方法．同时给出了一款用铁电存储器保存数据的实时数据采集系统的设计方法。     

几种新型非易失性存储器

本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等.     

铁电存储器1T单元C-V特性的计算机模拟

依据传统的铁电材料的P-E特性建模的方法,引入电压影响因子,得到了更为适合的P-V特性的新模型。另外,通过对P-V特性的分析、整合,从理论上得到了铁电存储器内铁电电容的C-V特性。从而系统地建立铁电存储器IT单元特性模型,该模型简单、准确、可移植性强。通过计算机模拟得到的仿真结果和现实器件特性结果相比对,验证了模型的正确性。