首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 390 毫秒
1.
高能离子注入对聚酰亚胺薄膜硬度的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
张超  周筑颍 《核技术》1998,21(8):460-464
报道了聚酰亚胺薄膜在高能(650keV-2MeV)B^+、C^+和Cu^+离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和XPS及RBS分析,观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明,离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高,注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。XPS和RBS分析显示,离子注入之后聚酰亚胺薄膜中C的含量增加,形成了以苯环结构为主的新的交联  相似文献   

2.
低能氮离子注入固态甘氨酸剩余产物的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
韩建伟  余增亮 《核技术》1998,21(8):465-469
采用20keV N^+注入固态甘氨酸(Gly)薄膜。对注入样品的α粒子透射能谱以及样品溶于水后溶液的电导率和氨基含量的测量,揭示了低能离子注入的损伤作用具有饱和性。XPS测量表明低能N^+注入Gly后形成了多种损伤产物,其中C、N元素的结合能变化较大,而O元素所处的化学环境变化很小。  相似文献   

3.
C、Co及C+Co双注入对高速钢机械性能影响的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
马芙蓉  张通和  梁宏 《核技术》1999,22(2):84-88
采用MEVVA源离子注入机对高速工具钢进行了C,Co及C+Co注入,并做了硬度,摩擦系数测量和磨损实验,C离子注入剂量3×10^17cm^-2能量60keV,Co离子注入剂量为2×10^17,4×10^17,6×10^17cn^-2能量102keV。结果表明,不同元素,不同剂量的离子注入均能有效地改善HSS的硬度和摩擦磨损特性,从而极大延长HSS的工作寿命,且随着注入剂量的增加,改善的效果有所增强  相似文献   

4.
高剑侠  朱德彰 《核技术》1994,17(2):65-68
采用480keV P^+离子注入单晶硅,注入剂量为1×10^16cm^-2。采用RBS、TEM技术测试样品,发现样品经600℃退火后,距样品表面约240nm处有一条低密度缺陷带。研究表明,这一现象与P^+的剂量及退火温度有关。  相似文献   

5.
张建国  崔云龙 《核技术》1997,20(6):333-337
沉积在云母片上的纯C60薄膜受20keV的Li+和N+2离子轰击,剂量在0.5×1016/cm2~5.0×1016/cm2之间改变,测量了离子注入后C60薄膜方块电阻随温度的变化,进而推导出C60薄膜电导率随温度和注入离子剂量的变化;分析了非原位测量中氧元素对电导率变化的影响以及能量较高的注入离子对C60薄膜的辐照损伤效应。研究结果表明,Li+注入对C60薄膜电导率的影响明显高于N+2注入的影响,并给出了不同离子注入条件下C60薄膜电导率随温度变化的函数关系式。  相似文献   

6.
张涛  史维东 《核技术》1995,18(1):37-39
考查了Cr12MoV钢经N^+,Mo^+离子注入前后的硬度,用金相方法和AES分析了Cr12MoV钢金相组织和注入层的成分,研究了离子注入对Cr12MoV钢洛氏硬度和努氏硬度的影响。  相似文献   

7.
汪泓宏  卢东晖 《核技术》1996,19(4):193-198
室温下在50kV电压的MEVVA离子源中用不同不剂量的银离子注入到单昌6Hα-SiC中,对未注入和注入的SiC样品进行了显微硬度和压坑的扫描电子显微镜观察,并研究了其拉曼谱、卢瑟福背散射谱和X光电子能谱等。  相似文献   

8.
用V+C双重离子注入H13钢合成表面优化层的研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
黄华鹏  孙贵如 《核技术》1995,18(2):65-72
给出了C,V离子和V+C双重离子注入H13钢合成表面优化层机理的研究结果,包括表面薄碳膜和弥散硬化层的形成。用电镜观察到离子注入时晶粒细化和新相的析出,使晶界强化和位错强化效果增强。俄歇分析表明C,V离子注入浓度将分别达到50%和30%的原子比便,即形成固溶化。X射线衍射分析表明,注入层中出现了弥散的Fe2C,Fe5C2,FeV和V2C相。注入样品退火,这些相的衍射峰增强,说明这些相在生长。由于这  相似文献   

9.
谢东珠  朱德彰 《核技术》1998,21(3):143-146
秀卢瑟福背散射-沟道技术(RBS-C)和X射线衍射技术(XRD)研究了Pt和注入YSZ(Y2O3稳定的ZrO2)后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Pt的晶化,RBS-C分析表明YSZ室温下的存在较强自退火效应,XRD分析结果示出硫以铂的晶化产生很大影响。  相似文献   

10.
用离子注入、氧化和慢正电子束分析研究了GH903合金的氧化性能的改善与微观作用机理。注入的Cr+.Y+的能量均为60keV,注入的剂量分别由1x1017.cm-2(Cr+)、1x1015Cm-2(Y+)和[1x1015.cm-2(Y+)+1x1017·cm-2(Cr+)]。结束显示,注入样品与未样品相比。氧化增重分别减少4.8%(注Cr+)、24.2%(注Y+)和32.3%(注Y++Cr+)。这表明合金氧化性能改善的作用机理主要是注入离子对样品浅表层内缺陷的填充与退火。同时,注入元素的化学性能和使样品表面更致密也起了重要作用。  相似文献   

11.
韩光武  马受武 《核技术》1995,18(12):759-764
用Monte Carlo法模拟计算了30keV和200keV的N^+与110keV的Fe^+在模拟细胞中的射程分布和径迹结构,并将110keVFe^+模拟计算的结果与RSB测量的结果相比较,发现计算与测量的结果吻合较好,离子的作用范围小于1μm。计算和实验的结果都说明能量相当低的重离子不大可能直接作用引起麦胚深层生物效应。  相似文献   

12.
研究了α-Al2O3单晶注入N+后的力学性能变化。结果表明,注入剂量为1×1017N+/cm2时,Al2O3的显微硬度提高了92%;注入剂量为3×1017N+/cm2时,在Al2O3表面形成非晶层,导致表面软化,显微硬度只是基体的50%左右.离子注入在样品表面产生了高达 ̄1150MPa的压应力,材料的断裂韧性的改善与此有关,实验亦发现N+离子注入后Al2O3的断裂韧性提高了95%左右.SEM分析同样证明N+注入a-Al2O3后,其表面力学性能确实有所改善。  相似文献   

13.
高剂量N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
辛火平  石晓红 《核技术》1996,19(2):90-92
研究了利用高剂量的N^+注入碳膜形成氮化碳CNx的可能性,对这种新材料进行了城叶变换红外吸收光谱、X射线光电子能说、X射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明,在100keV高剂量N^+注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的CNx化合物。  相似文献   

14.
用能量为110keV、剂量为3×1017ions/cm2的C+对单晶Ta进行了注入,分析了注入层的成分分布及其结构,考察了注入前后表面层摩擦磨损性能的变化及其特征。结果表明,C+注入层含有hcpTa2C及bccTa(C)相,其强化效应造成了注入层硬度、耐磨性的提高和摩擦系数的下降;样品表面与淬火态GCr15钢球间的磨损机制也由未注入时的粘着磨损转化为注入后轻微的磨粒磨损。  相似文献   

15.
BODY SURFACE EXPOSURE DISTRIBUTION OF EXAMINEES RECEIVED UPPER G.I.T.X-RAY EXAMINATIONFengDinghua(冯定华)andChengQijun(程祺钧)(Facu...  相似文献   

16.
离子束混合形成氮化钛膜的摩擦和光学性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
阎鹏勋  杨思泽 《核技术》1994,17(2):74-77
用载能氮离子束轰击纯铁镀钛膜样品,成功地形成了金黄色氮化钛薄膜。结果表明:注入剂量为0.5×10^17 N^+/cm^2的混合样品表面颜色与纯金类似;氮离子束混合样品表面显微硬度及耐磨性都远优于纯铁基体,且随离子剂量的增加,混合样品的表面硬度和耐磨性也提高。  相似文献   

17.
Cu离子和Al离子注入M2钢表面改性研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
王超  刘正民 《核技术》2001,24(4):295-299
报道了M2型高速工具钢在Cu,Al离子注入后表面硬度及抗磨损性的变化。对注入样品进行了显微硬度及抗磨损性的测量和XRD与RBS分析,观察了表面强化与离子注入条件之间的关系。结果显示,注入样品与未注入样品相比,表面硬度及抗磨损性均有显著提高。分析结果表明,Cu,Al离子注入后样品中产生了不同的相,它们对表面强化所起的作用不同。  相似文献   

18.
用兰州重离子研究装置(HIRFL)首次进行了47MeV/u的C^6^+离子辐照CaVSn:YIG的实验。通过穆斯堡尔效应和正电子寿命测量对47MeV/u的C^6^+离子在CaVSn:YIG中的辐照效应进行了初步研究。发现辐照导致内磁场方向趋于各向同性分布,由穆斯堡尔谱未观察到非晶化现象。缺陷的数量随C^6^+离子在样品中电子能量损失的增加而增加。  相似文献   

19.
施伟  吴松茂 《核技术》1998,21(6):321-324
用增长率方法首次测量6-30keVB^+、C^+、N^+、O^+与H2碰撞的单了截面,给出的B^+和C^+和6-30keV能区截面随离子能量的趋势与已有的100-2500keV能区截面的变化趋势衔接很好。根据截面随入射离子能量和核电荷数的变化,对碰撞机理作了分析,B^+、N^+、O^+与H2碰撞的单电子剥离截面的变化规律由分子轨道模型得到很好的解释。  相似文献   

20.
75mGyX射线全身照射激活小鼠免疫细胞转录因子CREB,NF— …   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用凝胶电泳迁移率变化分析和寡核苷酸竞争抑制方法检测小剂量X射一对小鼠免疫细胞基因转录水平调控的影响。75mGyX射线全身照射小鼠后4h,脾细胞核蛋白提取物的转录因子CREB及NF-kB与其基因启动部位增强子控制序列的结合活性,分别增强了7倍及5倍。胸腺细胞核蛋白提取物CREB、NF-KB及AP1的结合活性分别增强6倍,4.3倍及2倍。而SP1、GRE有OCT1无明显变化。竞争抑制试验证实CREB  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号