GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化

根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.     

GaxIn1—xSb红外材料的MOCVD法生长特性研究

用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5相似文献   

高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究

利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生移动,表明电子辐照使GaN外延层发生了部分应变弛豫.利用电子背散射衍射(EBSD)对应变弛豫进行了表征.EBSD结果显示,剂量为5×1015/cm2的电子辐照相对于1×1015/cm2的电子辐照可诱导GaN外延层发生更为显著的应变弛豫.卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)实验结果表明,5×1015/cm2的电子辐照对GaN外延层引入更为严重的辐照损伤.上述实验结果表明,GaN外延层的应变弛豫与2 MeV的电子辐照引入的缺陷如弗伦克尔对有关.运用弹性原子链模型(EACM)对电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫机制进行了讨论.     

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上，以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜，得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840s。采用高分辨率DCXRD，扫描电子显微镜(SEM)分析。结果表明，以1040℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构，是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0．21，GaN峰强达7K。     

MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究

为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。     

氯化物SFT法制备InGaAsP处延层

日本学者用氯化物单平台温度层(SFT)法成功地气相外延制成了 InGaAsP 薄膜。此法具有较高的组份控制能力和重复性。文章列出了 InGaAsP 外延层的基本参数,生长动力学、光学和电学性质参数。指出,In-GaAsP 外延生长同其它Ⅲ—Ⅴ族合金一样,缓慢的动力学过程控制着外延生长速度。另外还制成了一个     

Ⅲ-Ⅴ族化合物的原子层外延

本文介绍了原子层外延(ALE)的基本原理、应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术及 ALE 的工艺特点与生长机理。指出了 ALE 是继 MBE、MOCVD 之后又一新的可控制到单原子层生长的外延技术,它将影响 GaAs 材料和器件的未来。     

低压OMVPE法GaAs外延层表面缺陷

日本研究人员用 SEM 与 TEM 详细研究了低压OMVPE 法 GaAs 外延层的表面缺陷。外延层生长以GaAs 为基底,方向(100)±0.5°,生长温度630～650℃,Ⅴ/Ⅲ约20～100,生长压力0.1～76Torr 文章用 SEM 与 TEM 详细观测了表面缺陷的形状和内部构造。研究发现,低压 OMVPE 法 GaAs 外延层表面分布着从表面凸起的椭圆锥形缺陷,与氯化物 VPE 法GaAs 外延层表面的小丘类似。而且,在每个缺陷中心附近存在一个位错。这一现象表明,具有旋转成分的位错终端的缧旋生长导致了椭圆锥形表面缺陷的形     

分子束外延(MBE)Ⅲ-Ⅴ族材料及其器件应用的进展

随着分子束外延(MBE)生长环境清洁度的改善和生长工艺技术的改进,MBE GaAs 的纯度、AlGaAs/GaAs 异质结界面质量和外延层的性能等都有明显提高。MBEⅢ-Ⅴ族三元、四元合金(如 InGaAs、InAlAs、InGaAlP、InGaAsP…等)的研究也取得了重要进展。目前MBE 不仅已能生长出性能完全可和 LPE、VPE 相比或甚至更优的Ⅲ-Ⅴ族材料的微波器件和激光器件、更为引人注目的是它在超晶格、量子阱和调制掺杂异质结二维电子气等方面的研究,制备出了越来越多的,用其它方法不能制备的,性能优异的新型器件。MBE 所取得的成就,充分表明它是发展下一代半导体微结构器件的关键技术。     

MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网…

用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外处层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量，Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外延层组成的主要因素。     

The effect of amount of possession of the trait of hostility on accuracy of perception of hostility in others.

Some theories of personality hold that an individual's perception of others is influenced by his own personality characteristics; more specifically, that a trait of low social value will be projected more into others, and that insight into the possession of these characteristics reduces this distortion. These 2 hypotheses were tested by having a group of college students rate each other (including themselves) on degree of friendliness or hostility. Agreement with group rating about self yielded the insight score. In general, the hypotheses were supported; the "friendly" Ss were most accurate in their perception of others, and insight was positively associated with accurate perception. From Psyc Abstracts 36:04:4HL16M. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)     

浅析《野草》的版画特征

鲁迅先生一生热爱美术作品,对版画中木刻兴趣尤甚.<野草>作为其"写心之作",亦呈现出一些与木刻版画一致的审美特征:一是具有木刻版画的色彩特征,多对比、多冷色,有阴郁的美感;二是具有木刻版画的力度特征,环境描写、人物刻画处处刀锋毕现,遒劲有力,有一种"力之美".     

焦炭热性能指标意义浅析

通过对焦炭在高炉内的历程及其变化规律的剖析,阐述焦炭热性能指标的意义,形象地把焦炭在高炉内的损耗分为三部分(M1,M2,M3)。指出M2对焦比及焦炭价格有一定的指导作用。     

铕的电化学还原过程中钛阴极失活原因之探讨

铕的电化学还原受多种因素影响，其中阴极极板最为重要。研究了采用钛阴极进行铕的电化学还原常遭遇极板失活问题；并对极板失活进行了探讨与分析，认为钛阴极吸氢以及质劣钛材料是妨碍铕的电化学还原的主要原因。提出了钛板脱氢的初步方案，以及尽可能选择质优钛板材料进行铕的电化学还原的建议。     

2008年中国电解金属锰发展态势浅析

对中国电解金属锰发展的市场态势、价格行情以及原材料供应情况作了初步分析,提出我国电解金属锰行业挑战与机遇并存,只要抓住机遇、迎接挑战、夯实基础、科技创新,电解金属锰行业前景将会更加光明。     

包钢薄板坯连铸工艺冷却管道施工技术

消化吸收德国西马克的公司的先进技术,总结制定管理的工艺标准,确保生产调试的正常进行     

电机轴电流分析与齿轮箱轴电流防范

介绍了轴电流产生的原因和解决方案。对马钢高速线材16#预精轧机案例进行了分析。实践证明,轴电流不仅影响电机轴承,更会造成轧机齿轮箱轴承损伤。     

显微维氏硬度测量不确定度评定

对显微维氏硬度测量不确定度进行评定，建立了不确定度计算的数学模型，确定了影响实验结果的各项因素，计算出了各因素的标准不确定度，得出结果的扩展不确定度，并给出最终测量结果的表达式。     

锂离子电池安全性研究现状

锂离子电池广泛用于小型电源驱动设备,但其安全性一直是人们关注的焦点。综述了锂离子电池安全性的研究现状及其进展,对短路试验、过充试验、穿钉试验以及热稳定性进行了总结。     

Ag标准储备溶液质量浓度的不确定度评定

文章系统地分析了以高纯金属银制备原子吸收光谱分析(AAS)所使用的标准储备溶液过程中的不确定度来源,建立了数学模型,对不确定度分量进行了分析和量化,求得Ag标准储备溶液质量浓度的标准不确定度和扩展不确定度分别为0．1mg/L和0．2mg/L。