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通过X射线实验测出Fe-Mn-Si-N-C形状记忆合金中的层错几率,并讨论了N、C元素的添加对层错几率和层错能的影响。通过电子衍射斑点位移的方法测得Fe-29.9Mn-6.0Si形状记忆合金局部区域的层错几率,发现比X射线衍射测得的层错几率大两个数量级,分析差异来自于电子衍射测量的是局部的高密度层错区域。 相似文献
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根据层错能的热力学模型,计算了三种 Fe-Mn-Si 合金的内禀层错能。计算结果表明,随着 Si 含量增加 Fe-Mn-Si 合金的层错能降低。在此基础上讨论了 Si 含量对 Fe-Mn-Si 合金形状记忆效应的影响。 相似文献
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本文用石英弹簧热重分析法测定了Fe20Mo合金在不同温度的1kPa硫蒸汽中的硫化动力学曲线,计算了硫化速度常数,用扫描电镜观察分析了硫化产物层的结构。结果表明,加入Mo使合金的硫化速度比纯铁的降低了一个数量级,合金硫化遵从初期线性加后期抛物线的规律。温度升高使硫化加快且FeS晶体生长趋于完善。硫化产物主要分两层,外层为FeS,内层为富Mo的复杂硫化物且包含未完全硫化的FeMo金属间化合物相。应用热力学理论和以上结果探讨了合金的硫化机理 相似文献
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双相奥氏体堆焊合金综合性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对几种新研制的堆焊材料Fc-Cr-Mo-C,Fe-Cr-Mn-C,Fe-Cr-Mn-Ni-C系列双相奥氏体合金的堆焊金属抗裂性,加工硬化性和抗磨性进行了对比试验研究,采用光镜,SEM,TEM及X射线衍射分析等手段观察了分析了合金的硬化机理及其磨损特性,研究认为,这类合金加工硬化机理主要是近表层组织的形变高位错密度和应变时效碳化物析出相结合的结果;调节合金中的碳等合金元素可适应不同工况条件的使用要求。 相似文献
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针对Fe-Mn阻尼合金减振机理不很明了的问题,运用Shockley不全位错运动理论,分析了4种阻尼源界面(ε/ε界面、ε中的层错界面、γ中的层错界面、体界面)如何运动进而产生高阻尼。实验结果表明:Fe-Mn合金阻尼性能随应变振幅的变化关系符合Shockley不全位错的脱钉理论模型,并且当合金的杂质含量偏高时,杂质原子作为弱钉扎点会阻碍Shockley不全位错的运动,造成合金阻尼性能下降。 相似文献
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本文简要介绍了铁锰合金的组织与性能,并就各种合金元素对铁锰合金的组织和性能的影响作了详细讨论。初步探讨了品粒尺寸、马氏体相变及夹杂物等对性能的影响。显示了低温下晶界在铁素体钢和奥氏体钢中的不同力学行为,£马氏体的形成机理及合金元素对奥氏体堆垛层错能和变形机制的影响。 相似文献
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在考虑了类金属原子外壳层s,p电子向过渡金属原子d空位的迁移后,提出了一种估算金属含量Ni基非晶合金总有效传导电子数的方法。应用在推广的液态金属Ziman理论中,重新考察了高类金属含量对Ni基非晶态合金室温电阻率ρ0和室温以上温区电阻率温度系数CT的影响。 相似文献
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合金元素对铁锰硅系形状记忆合金导错能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
根据规则固熔体的热力学模型,分别计算铁锰硅、铁锰硅铬、铁锰硅铬镍形状记忆合金的层错能,研究硅、锰、铬、镍、合金元素对铁基形状记忆合金层错能的影响。结果表明,锰、铬、镍元素均提高铁锰硅系合金层错能,而硅则降低合金的层错能,其中每1%(原子分数)元素变化对合金层错能的影响比例,硅:锰:铬:镍为:-0.27:1:1:1::1.7。为了获得较较佳的形状记忆效应,加入铬、镍元素的同时,降低锰含量以使合金具有 相似文献
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使用置换原子计算层错能的热力学模型计算了Ni-Al-Re(Ru)合金的层错能,研究了合金元素和温度对层错能的影响.结果表明:随着温度的提高,Ni-Al-Re(Ru)合金的层错能增加.Ni-6?-4%Re合金的层错能随着温度的提高线性增加.Ni-6%Al-4%Ru合金的层错能,在温度低于500℃时随着温度的提高呈抛物线规律增加,高于500℃时随着温度的提高呈线性规律增加.Al原子可明显降低Ni-6%Al-4%Re(Ru)合金的层错能.随着Al含量的提高,原子偏聚自由能(ΔGγ→εs)降低,使Al原子自发偏聚,并促进γ'有序相的形成和数量的增加,是合金层错能降低的主要原因.而Ru原子降低合金的偏聚自由能,可提高γ'有序相的稳定性.随着温度的升高,原子偏聚引起的自由能(ΔGγ→εs)增加可抑制原子偏聚;当温度高于500℃时,含Ru合金有比Ni-Al-Re合金高的原子偏聚自由能(ΔGγ→εs),故元素Ru能抑制原子的偏聚和TCP相的析出. 相似文献
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急冷铜合金中几种晶体缺陷的观察与讨论 总被引:3,自引:0,他引:3
用TEM考察了急冷Cu-Cr-0.05Zr合金中的晶体缺陷,结果表明,该合金中除了存在与高浓度空位有关的空位盘与蜷线位错这外,还存在与堆垛层错有关的层错四面体,扩展位错与孪晶,其中,空位盘与孪晶是在急冷结晶过程中产生的缺陷,蜷线位错,层错四面体与扩展位错是在是效过程中产生的缺陷,它们分别是该合金急冷哟化与时效强化的重要因素。 相似文献
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SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度,Ge含量度其深度分布,Si过渡层和SiO2层厚度,并有较好的测量精度。 相似文献
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采用扫描电镜观察了钢板表面铝-硅镀层的微观组织,利用热模拟机研究了铝-硅镀层在不同加热温度和保温时间下镀层中合金层厚度的变化规律,利用辉光光谱仪测定了铁元素向合金层中的扩散规律。结果表明:热处理前镀层合金层组织由Fe2Al5二元金属间化合物和Fe2SiAl7三元金属间化合物组成,热处理后镀层合金层组织由Fe2SiAl2,Fe2Si2Al5等金属间化合物组成,镀层表面生成致密的Al2O3膜;硅元素在合金层与镀层的交界处富集,抑制了铁元素由钢基体向镀层表面的扩散,可以有效阻止合金层厚度的进一步增加;随着加热温度升高、保温时间延长,铁元素溶出量增多,镀层表面铁质量分数达到45%~55%,导致合金层的厚度逐渐增大。 相似文献
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对于面心立方结构的纳米金属,晶粒尺寸对孪生厚度(孪生核)的影响虽已有研究,但仍有待深入。本论文以Cu-30%Zn合金为模型材料,通过高压扭转变形技术、等径角挤压连同轧制技术变形得到晶粒尺寸在5~500nm的样品。透射电子显微镜观察发现:变形孪晶的片层厚度随晶粒尺寸的减小而减小,当晶粒尺寸小于20nm以后,孪晶厚度为(111)晶面间距(层错);另外,层错存在于各个不同尺寸范围的晶粒内,表明层错不受晶粒尺寸影响。研究结果表明在低层错能超细晶材料中,孪生变形是通过从晶界连续发射不全位错(层错)形成的。 相似文献
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《新材料产业》2006,(11):12-12
提高金属表面耐磨耐蚀的双辉渗金属技术是由太原理工大学和北京科技大学联合研制开发的基于提高合金表面耐磨耐蚀的一种新型的表面改型技术。该技术于1985年获得美国专利,而后技术发明人又对该项技术进行了系统的研究和进一步完善。双层辉光渗金属技术是等离子表面冶金新技术,其基本原理是利用低真空条件下的气体辉光放电所产生的等离子体,使普通材料表面形成具有特殊物理化学性质的合金层,合金层中合金元素含量可以在百分之几到百分之九十以上的范围内变化,合金层厚度可以达到数百微米,如在普通钢表面形成高速钢、不锈钢和镍基超合金等。由于双层辉光渗金属技术是低温等离子技术与传统渗金属技术的有机结合,渗层是依靠扩散方法形成的,合金元素在表面与基体之间成梯度分布,渗层与基体之间是靠形成合金结合起来的,因此结合非常牢固,渗层不易脱落,这是金属涂镀技术所不及的突出优点。由此,该项技术开创了表面冶金新领域,具有广阔的市场应用前景。本项目属于国家“863”计划。 相似文献