油水混输管道的综合清洗技术

油田油水混输管道的结垢成分复杂，应用化学和物理方法进行综合清洗，能够取得很好的清洗效果，经济效益可观，应用前号十分看好。     

多功能清洗平台

化学清洗是工业清洗中的重要手段，成套清洗装置是必要的装备。本文详细介绍了多功能清洗平台这种清洗装置，它可以方便地完成多种设备的清洗工作。     

牛奶加工过程中的清洗(二)

五．牛奶厂的清洗。目前，牛奶厂采用的清洗方式主要是CIP清洗(Cleaning in place)，原地清洗或称定置清洗，即在基本不拆卸或挪动机械装置和管线的情况下对生产过程中能与牛奶发生接触的设备表面进行的清洗。其冲刷、清洗、灭菌的整个过程全部实现了自动化因此大大降低了劳动强度。而有一些不     

激光清洗技术及其应用

激光清洗技术是近几年国外出现的一种新型表面清洗技术。与传统的清洗技术相比,它具有清洗速度快、不会损伤被清洗工件、对环境无污染、可以实现在线清洗等特点,尤其适于清洗有机物污垢,因而被认为是很有发展前途的新型清洗技术。本文重点介绍了这种清洗技术的机理、特点、清洗装置和清洗方法,以及其应用情况与发展前景。     

金属表面的激光清洗技术及应用

激光清洗是近年来发展迅速的一种新型清洗技术.在一些特定领域,激光清洗与传统清洗工艺相比具有更好的清洗质量和更高的清洗效率.本文阐述并分析了激光清洗金属表面的物理过程,介绍了激光清洗技术在清洁小孔、去除膜层、清除放射性污染层和文物保护等方面的应用.     

等离子清洗洗技术(一)

文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用     

等离子清洗技术(二)

文章对等离子清洗技术做了全面介绍,不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置,而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项,指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用     

气压式管道清洗法

在电子工业领域中,曝光显影是生产过程中的重要工序,显影废液的处理与再生对生产成本的控制及环境保护都是相当重要的环节。由于各类显影废液中含有多种化学成分,经常在传送过程中附着在管壁上,并造成流量下降乃至管道堵塞。根据具体使用情况,介绍了由上海松下等离子显示器有限公司新近推出的一套气压式管道清洗系统,该系统丰富了工业领域的管道清洗方法,尤其适用于清洗电子工业领域的显影液废液的处理及排放管道。     

液晶显示器电极图形制作中的ITO基板清洗技术

由于LCD产品的薄、轻、省电等特征，在各个领域都受到广泛使用，随着人们对高显示信息、高显示质量和显示全彩化的要求，在一定视域内，要求彩色STN液晶显示器具有更多更密的象素，势必要求显示电极图形的制作越来越精密。本文将通过对CSTN—LCD电极图形制作流程和部分实用物理清洗方法的介绍，说明电极图形制作中ITO基板清洗的重要性。     

基于SolidWorks的新型酸蒸逆流超净清洗装置设计

针对人工清洗试管存在清洗效果低下、工作程序繁琐复杂、清洗工作劳动量大的问题,采用SolidWorks设计了一种新型酸蒸逆流超净清洗装置。其中,清洗装置的控制程序能满足大部分清洗要求,所有参数如时间、温度和试剂用量等都能得到精确的控制;配给系统中设有配给泵,可对酸性溶液和中和剂进行全自动配给,而且溶液含量精确;所有蠕动泵均设有流量精确控制,确保正确的洗涤用量。该装置可以批量清洗试管,清洗效率高、效果好,极大地解放了生产力,并且安全环保,不会增加环境负担。同时,能够延长试管的使用使命,使试管光洁如新,便于精确测量,降低误差。     

新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究

集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附．在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1％,颗粒去除率可达95%以上。     

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。     

硅片清洗原理与方法综述

对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述 ,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 ,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。     

干冰微粒喷射清洗技术

简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方法。从CO2的物理特性出发,论述了CO2流经喷枪后形成干冰微粒的机理,并简要分析了干冰微粒喷射技术对颗粒污染物和有机污染物的清洗机理。在此基础上,介绍了自主研发的一台基于干冰微粒喷射技术的半导体清洗设备,对该设备的结构和各部分的作用作了简要介绍,论述了使用该设备对硅片进行清洗的工艺流程。通过对比实验发现,采用压强为8 MPa、纯度为5N的CO2作为气源,喷嘴前压强设置为11 MPa,使用该设备可以达到很好的清洗效果。     

锑化铟焦平面器件背面减薄后的表面处理方法研究

经传统的背面减薄工艺处理后,锑化铟焦平面器件的表面上经常会有细微划道;采用传统的表面清洗方式时也容易对器件表面造成划道,导致工艺重复性差。因此,当器件经过背面减薄后,利用腐蚀液去除划道,并采用基于石油醚和无水乙醇的非接触式清洗方法,有效降低了器件表面产生划道的几率,同时避免了由于表面腐蚀速率不均匀导致测试时部分区域电平较高、在测试图像上出现亮斑等情况;另外还提高了工艺的重复性,使锑化铟器件的红外成像均匀且没有划道,从而提高了该器件的成品率。     

用CO2激光清洗控制电缆多芯插头霉菌

本文研究了如何运用CO_2激光清洗控制电缆多芯插头霉菌,分析了清洗机理,设计了实验装置,对影响激光清洗效果和实际应用的关键因素进行了重点讨论。分析和实验结果表明,在激光参数选择合适的情况下可实现对霉菌的完全清洗而不会对插头基体造成损伤,激光清洗技术能够安全有效地清除控制电缆多芯插头上生长的霉菌。激光清洗霉菌的机理有:一、激光产生的高温导致霉菌的瞬间汽化和燃烧;二、基体表面在激光辐照射下温度发生急剧变化而产生热膨胀变形导致的加速度及插头座芯孔狭小空间内空气急剧膨胀导致的内外气体之间的巨大压差,将霉菌从插头上除去。     

Megasonic cleaning: A new cleaning and drying system for use in semiconductor processing

A compact system for cleaning wafers in all stages of device manufacture has been developed which uses high frequency (0.8 to 1 MHZ) ultrasonic energy (hence, the term “Megasonic”) and a standard chemical solution which is not heated. The patented process effectively removes particles down to approximately 0.3 ym diameter simultaneously from the front and back surfaces, thin organic films, and many ionic impurities. After a brief water rinse, the wafers are dried in a hot air stream. The total cycle time is approximately 15 minutes, and at least 100 wafers can be cleaned in quartz or plastic carriers at the same time and without the need for loading or unloading. Megasonic cleaning has been applied to silicon wafers, ceramics, and photomasks, and has been used for photo- Paper presented at 20th Annual Electronic Materials Conference, University of California at Santa Barbara, CA, June 30, 1978.     

储油罐清理机器人移动方式的分析研究

石油化工是我国的支柱产业,油品储存需要大量的储油罐,每3~5年就需要清理一次.国内石化企业通常采用人工方式清理储油罐,存在安全性差、施工周期长、效率低、污染环境等问题,利用机器人进行清理可提高清理的效果和效益,具有高的可靠性和安全性.根据实际调研本文从储油罐清理机器人的整体设计角度出发,对其移动方式进行了分析,对其行走装置结构进行了设计研究.     

晶片CMP后表面纳米颗粒的去除研究

对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理。由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会和晶片表面构成化学键,形成难以处理的化学吸附。对清洗过程中颗粒的去除有严重的影响,提出利用电化学清洗,结合表面活性剂和兆声波清洗的方法去除晶片表面的纳米颗粒。经金相显微镜观察和原子力显微镜检测,晶片表面纳米颗粒能得到很好地去除,效果明显优于单纯的兆声波清洗方法。