双-(反-4′-烷基环己烷羧酸)-2,3-二氯-1,4-苯二酯类液晶的合成

合成了双—（反—４—烷基环己烷羧酸）—２，３—二氯—１，４—苯二酯，烷基分别为ｎ－Ｃ６Ｈ１３、ｎ－Ｃ７Ｈ１５、ｎ－Ｃ８Ｈ１７。测定了这些化合物的液晶相变温度，并通过磁场法测定了介电各向异性，Δε均为负值。     

La—Ca—Mn—O薄膜的巨磁效应

报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量Ｃａ的调制Ｍｎ＾４＋的含量变化导致磁性结构转变，用双交换模型解释了该象现，对实验给出满意的解释。     

4-(trans-4-n-烷基环己基甲氧基)-4'-氰基联苯的合成

以ｔｒａｎｓ－４－ｎ－烷基环已基甲醇和４－溴－４’－羟基联苯为原料合成了一组４－（ｔｒａｎｓ－４－ｎ－烷基环已基甲氧基）－４’－氰基联苯类液晶化合物,用ＩＲ、ＭＳ、元素分析确证了化学结构。研究发现铜盐对ｔｒａｎｓ－４－ｎ－烷基环已基甲醇的溴代反应有催化作用;在相转移催化剂的作用下进行醚化获得较高收率;氰代反应以Ｎ－甲基－２吡咯烷酮溶剂效果较好。ＤＳＣ测试结果表明该类液晶化合物具有较高的清亮点。     

SiC器件—物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ     

sol-gel法制备微波介质陶瓷材料

以Ｚｒ（ＮＯ３）４·５Ｈ２Ｏ、Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料,用溶胶－凝胶法制备了Ｚｒ－Ｔｉ－Ｓｎ系微波介质超微粉料。实验表明：温度、湿度、溶液浓度、ｐＨ值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Ｑ值的微波介质陶瓷微粉。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

高温显示液晶的合成

以４－ｎ－戊基三联苯为原料,与草酰氯在无水三氯化铝催化下反应得到烷基三联苯酰氯,经过氨解,脱水反应制得４－ｎ－戊基－４′－氰基三联苯。研究了反应条件,反应总收率由文献的３０．６％提高到５１．９％。用红外、质谱和元素分析确证了化学结构;经ＤＳＣ测试,其液晶相温度范围为１３１．０～２３９．５℃。     

化学沉淀法制备SnO2纳米级粉体

用液相沉淀法，在分析纯的ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ水溶液中滴加分析纯ＮＨ３含量２５％￣２８％的ＮＨ４ＯＨ水溶液，得到粒度为几个纳米至二十几个内米的ＳｎＯ２超细粉末；系统研究了ＳｎＣｌ４的浓度、滴加ＮＨ４ＯＨ水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律，并探讨了影响机理。     

VC—4的相邻级联,虚级联及其互通

级联是ＳＤＨ的重要特性之一，但原来在Ｇ．７０７中对ＶＣ－４级联的规定不很具体，特别对虚级联尚未规定，因此实现级联有一定难度。对ＶＣ－４相邻级联和眯级联的方法作了具体介绍，并给出ＶＣ－４相邻级联和虚级互联通信的规范，使实现ＶＣ－４的级联有了依据。     

Co—Mn—Ni—Mg—Fe—O系材料的高温热稳定性

采用Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｍｇ－Ｏ系和Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｆｅ－Ｏ系这两种热处理电学特性相反的热敏材料进行复合得到Ｃｏ－Ｍｎ－Ｎｉ－Ｍｇ－Ｆｅ－Ｏ五元系材料，经热处理后电阻值的变化得到互补，使热敏电阻经高温热处理后稳定性有了很大的提高。     

nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中具有无序排布且粒长大小不一的Ｓｉ微晶粒子，由于微晶粒子中能级的量     

射频反应溅射GexC1—x薄膜的特性

通过在Ａｒ＋Ｃｈ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ１－ｘｄ薄膜。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线衍射，光度计及硬度测定等研究了沉积薄膜的成分，结构和性能。结果表明，薄膜中的Ｇｅ／Ｃ原子比随气体流量比ＣＨ４／（Ａｒ＋ＣＨ４）的增加而下降。     

SnO2薄膜的溶胶—凝胶制备及气敏性能的研究

采用非醇盐溶胶－凝胶工艺制得纳米微晶ＳｎＯ２多孔薄膜，该法易于实现ＳｎＯ２与多种添加剂的均匀掺杂。通过调整薄膜的微观结构使薄膜对Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＯ在最佳工作温度的灵敏度比调整前分别提高了３倍和１４倍。     

a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

直流等离子体CVD法制备c—BN膜

本文研究了直流等离子体ＣＶＤ法制备Ｃ－ＢＮ薄膜。在衬底温度８５０℃和放电电流密度４Ａ／ｃｍ＾２条件下，ｃ－ＢＮ膜生长速率可达１０μｍ／ｈ反应气体是Ｂ２Ｈ６＋ＮＨ３＋Ｈ２，并且工作压强为１３－２６ｋＰａ。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

参加ITU—TSG13研究组1997年2月会议总结报告（下）

２－４ＳＤＨ和光传输网２－４－２虚级联ＡＴＭ能提供带宽利用的灵活性，但目前的ＡＴＭ系统还不能实现在故障情况下对ＶＰ（虚通道）或ＶＣ（虚通路）的快速恢复。ＳＤＨ系统虽能提供对ＭＳ（复用段）或ＶＣＰａｔｈ（虚容器通道）的快速恢复，但对映射速率介于ＶＣ１２（ＶＣ１１）、ＶＣ２、ＶＣ３和ＶＣ４中间的业务信号缺乏带宽利用的有效性和灵活性，特别在接入网中，这个问题尤为突出。解决的办法对ＡＴＭ而言是开发自动保护倒换能力，对ＳＤＨ系统而言是提供级联能力，而且后者的技术解决也有利于支持ＡＴＭ反向复用器（ＩＭＡ）的…     

SnO_2∶Fe_2O_3混合薄膜的制备及其在丙酮蒸汽中的反射光谱

以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ，ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ及无水乙醇为主要原料，采用溶胶凝胶法制备了ＳｎＯ２∶Ｆｅ２Ｏ３混合薄膜，测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。     

Si上Si1—x—yGexCy三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯（Ｃ２Ｈ４）作为Ｃ源在Ｓｉ（１００）衬底上生长Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金薄膜的实验结果,经喇曼（Ｒａｍａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式Ｃ含量的Ｓｉ１－ｘ－ｙＧｅｘＣｙ合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的ＳｉＨ４／Ｃ２Ｈ４流量比有助于提高代位式Ｃ含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中化学反应动力