三漏CMOS磁敏开关的设计

介绍了一种新型的磁敏开关.它的磁敏感部分由2个互补的三漏MOS晶体管组成,将恒流源、放大器、施密特触发器和输出驱动管等电路集成在同一块芯片上.该磁敏开关具有稳定性能好、灵敏度高、功耗低、抗干扰等优点,单端输出灵敏度可达4V/T.由于采用了现有的硅栅CMOS工艺,实现起来更加容易.     

钯栅厚度对气敏MOS晶体管灵敏度的影响

本文介绍了一种Pd栅MOS结构的半导体气敏器件。在叙述Pd栅MOS晶体管气敏机理的基础上,着重讨论了钯栅厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明,Pd栅MOS晶体管的灵敏度随着钯栅厚度的增加而降低。在工作温度不太高的条件下,灵敏度随钯栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外,文中还扼要地阐述了钯栅M0S晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于MOS结构的半导体气敏传感器的研制具有重要的意义。     

“磁传感器及其应用技术”讲座：第七讲 磁敏晶体管传感器（一）

磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现于60年代末期,磁敏三极管出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵敏度高(比霍尔器件约高百倍左右)、使用简单等优点,故作为磁传感器可用来检测磁场、电流、位移、液位、加速度、角度等参数,也可以用其构成无刷直流电机和各种非接触开关等。一、磁敏二极管磁敏二极管简称MD,目前可分为磁性整流器(CMD)和磁敏二极管(XMD)等。由于CMD的灵敏度     

2ACM型磁敏二极管——介绍一种新型磁电转换器件

一、磁敏二极管简介磁敏二极管是继霍尔元件和磁敏电阻之后发展起来的一种新型磁电转换元件。由于它有体积小、磁灵敏度高等优点,可广泛应用于磁场的检测、自动磁力探伤、工业自动化装置和电子技术以及国防工业的应用领域中。目前使用的半导体磁电转换元件只有霍尔元件及磁敏电阻。霍尔元体是根据霍尔效应原理制成的,这种元件的特点是它的输出     

InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

蓝宝石上生长的薄膜硅晶体管

发现了一种在单晶蓝宝石上利用高温分解 SiH_4来淀积硅薄膜的方法。薄膜的电子衍射和劳埃反射检验都示出了单晶花样。硅薄膜的霍尔迁移率在空穴密度10~(17)/厘米~3时为135厘米~2/伏特·秒。制成了电流5毫安时具有1000微姆欧跨导值的绝缘栅场效应晶体管,其尺寸为:源到漏的间距为10微米,作用区宽度为120微米。这跨导值可与在块状硅上制成的同样元件相比较,因此这种晶体管是极有希望的薄膜硅器件。     

单结晶体管磁敏特性的实验研究

由临界偏置下单结晶体管(UJT)组成的自激振荡器置于一交变磁场中时,如果两者的频率接近,则振荡器输出脉冲的幅度将急剧增加.实验结果说明,UJT这种磁敏特性远优于其它硅磁敏器件.本文讨论了UJT临界自振荡条件,以及在临界状态时磁敏机理.     

霍尔开关集成电路在顺序控制器中的应用

<正> 霍尔开关集成电路(简称霍尔电路)是南京半导体器件总厂生产的一种新型的集成化磁敏器件,它是根据半导体硅材料的霍尔效应制成的.作为磁电转换器件的霍尔电路由霍尔元件、差分放大器、施密特触发器和输出器四部分组成,共原理方框图和输出特性曲线如图1所示.霍尔电路主要应用于无触点开关、位置传感、旋转传感和自动检测等方面.     

基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μm CMOS工艺实现.该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T.     

基于ZnFe2O4纳米材料的低温型H2S气敏元件的设计与实现

以无机盐为原料,液相合成了ZnFe2O4纳米粉体,通过XRD,TEM等手段对粉体的晶体结构、形貌等进行表征并研制了厚膜型气敏元件.结果表明:产物为尖晶石结构,粒径尺寸分布为10 nm~30 nm,平均粒径约为14 nm.在40℃~400℃的温度范围内,采用静态配气法测定元件的气敏性能,发现ZnFe2O4气敏元件在150℃的工作温度下对体积比浓度为1×10-3 (V/V0)、1×10-4(V/V0)的H2S气体的灵敏度分别高达244.34和83.31;在此工作温度下对1×10-4(V/V0)的H2S气体响应时间2 s,恢复时间为5 s.在40℃对1×10-3(V/V0)的H2S气体的灵敏度达到111.00.     

采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究

给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性,对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高,最大可达227%/T,具有负温度系数且温度系数较小。同时,给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。     

InSb磁敏电阻器的开发

<正> InSb磁敏电阻器是利用半导体磁阻效应制成的一种磁敏元件。因为这种元件的基本结构是一种两端型结构,所以在各种应用中,特别是在电路布局中就比四端型霍尔元件有许多优越性。     

固态传感器及其应用——第三讲 磁敏传感器及其应用

<正> (一)概述磁敏传感器是一种磁电转换传感器,它的基本原理霍尔效应和磁阻效应早在十九世纪就被发现。目前除了半导体霍尔元件、磁阻元件以及磁敏二极管已商品化外,还有铁磁体金属薄膜磁阻元件和不要电源的韦冈德元件。关于磁敏元件用的材料除S_l、G_e、Ⅲ-Ⅴ族化合     

基于ISFET 的克咳敏传感器的研究

本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .0～ 7.5 ;响应灵敏度为 5 9.5mV/Pc.用该传感器测定克咳敏片剂的含量 ,结果和药典方法相一致 .     

三维磁敏传感器的设计及误差分析

采用三维磁敏传感器有助于降低磁场测量系统的复杂性和提高磁场测量速度.介绍了基于霍尔元件的三维磁敏传感器的设计方法,分析了霍尔元件的粘贴角度偏差、传感器的体积对测量精度的影响,并对传感器的总体误差进行了估算,其分析结果对三维集成磁敏传感器的设计具有指导意义.     

新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作

随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求,力敏传感器再次成为研究的热点.压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选.研究表明,在应力作用下,MC6晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化,具有类似压敏电阻的力敏效应.基于MC6晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器.该器件在与传统的压阻式力敏传感器相比,一方面继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,另一方面大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高.     

一种新的速度保护装置

<正> 我所研制的JKY皮带运输机集控系统采用了一种新型速度保护装置。该装置用磁敏器件做成速度传感器,并用P—MOS集成电路组成信号处理电路对速度信号进行鉴别和处理,达到保护运输机的目的。下面简单介绍这种保护装置的电气原理。     

Pt掺杂ZnFe2O4纳米颗粒的制备及气敏性能研究

本文通过液相法合成了Pt掺杂ZnFe2o4纳米颗粒,利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、Ｘ射线光电子能谱(XPS)等手段对材料结构、形貌等进行表征,并将其制成厚膜型气敏元件,探讨烧结温度、掺杂量及工作温度对其气敏性能的影响。结果表明:Pt掺杂未改变ZnFe2o4的尖晶石结构,600℃烧结,2%ZnFe2o4掺杂ZnFe2o4气敏元件在 150℃的工作温度下对1X10-4(V/V0)的H2S气体灵敏度达144.11,在此工作温度下对1X10-6(V/V0) ~ 1X10-3(V/V0)H2S气体均有较好的响应－恢复特性。     

新型霍尔硅集成传感器

本文概述了硅霍尔传感器的进展,介绍了采用微电子技术的制造工艺和高精度矢量磁探头的研制,以及已被验证的采用磁断续器增强检测灵敏度的新结构器件,并以角位移传感器和电流传感器为例介绍了其最新应用。     

硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究

本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10~(-2)T~(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10~(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。