双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性

双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲线坚挺 ,反向漏电流最低为 0 .48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与 X射线的照射量呈线性关系 .该探测器在 2 4 1Am( Eα=5.48Me V) α粒子辐照下 ,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为 45%和 7% .在由 90 Sr( Eβ=2 .2 7Me V)发出的 β粒子辐照下 ,探测器有最小的电离粒子谱 .该探测器对光照也有明显的响应     

GaAs粒子探测器的能谱特性

阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线能量分辨率约为 30 %。该探测器对 90 Sr2 .2 7Me V的β粒子有最小的电离粒子谱。探测器在累积照射量为 1 3 k Gy的光子 1 3 7Cs(662 ke V)辐照下 ,辐照前后的电荷收集率无明显变化。诸多实验结果表明 ,该探测器具有较强的抗辐射能力     

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm.     

双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器的电特性研究

研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子探测器。     

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm.     

多晶碘化汞探测器的制备及性能

碘化汞(HgI2)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率.制备了多晶HgI2探测器,结果显示所得器件在室温下对5.9 keV的55Fe X射线和5.5 MeV的241Amα粒子具有较好的能量分辨率,分别为0.24 keV和0.72 MeV(未使用准直器).     

电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响

采用能量为1 MeV的电子对几种不同结构的A1GaN/GaN HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014 cm-2的辐照.实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化.辐照后来钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低.几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小.分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生.此外实验结果也说明SiN钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段.     

n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应

研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大.辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加.同时,对辐照后的GaN肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理,退火后,器件的电流-电压特性有所改善.     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的α粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜,X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的FV测试结果表明暗电流在10-8～10-7A之间,α粒子(241Am 5.5MeV)辐照下电流为10-5～10-4A.     

不同结构nMOS管的总剂量辐射效应北大核心CSCD

X射线直接成像的CMOS图像传感器由于工作在X射线辐射下,其内部器件会因为辐射效应引起性能恶化,因此需要对器件进行抗辐射加固并研究辐射对器件参数的影响。辐射导致的氧化物陷阱电荷及界面陷阱电荷受到栅氧厚度、偏置电压大小、辐射总剂量以及剂量率等多种因素影响。设计了n型场效应晶体管辐射加固结构版图,用0.5μm CMOS工艺流片,并进行了30 kGy(Si)的总剂量辐照效应实验。实验结果显示,所设计的n型场效应晶体管在辐射之后漏电流有所增加、跨导减小、阈值电压向负向漂移;辐射加固晶体管在漏电流性能上较未加固晶体管更好,在跨导改变和阈值电压漂移上未能表现出其更优的性能。