微波二极管变频器的频域分析

本文采用频域延拓交调波平衡法（ＦＤＣＩＢＭ）分析微波二极管变频器，讨论了本振（ＬＯ）和中频（ＩＦ）（或ＬＯ和射频（ＲＦ））输入均为大信号时的变频器分析，推导了上，下变频器统一的频域交调波平衡方程，并给出了一个微波巴伦二极管上变频器的分析和测量结果。     

用介质谐振器滤波的双栅场效应管上变频器

微波上变频器是雷达、通讯等电子设备不可缺少的部件,其电路种类繁多、较为复杂。工作于厘米波段的上变频器,目前多采用微波集成电路,用氧化铝陶瓷做为电路基片,用半导体二极管或双极晶体管的非线性进行变频,用微带网络进行匹配,用微带滤波器进行滤波,有的还采用平衡型电路,进一步提高隔离度。这些电路结构复杂,研制周期较长,成本较高。有少数文献报道了用双栅场效应管制成的上变频器,但只介绍了性能和电原理图,没有介绍电路细节,效率     

低相噪光子式微波接收机的研制

首次对微波接收机的相噪进行了理论建模,并提 出了一种基于光子技术的新型微波接收机,该接收机采用微波光子 链路来代替电缆,使用光电振荡器代替电子振荡器来作为本振源,并基于上述理论模型分析 了该种接收机较传统电子式接收 机在相噪指标上的优越性。让10 GHz载波信号分别通过电、光两种接 收机,对比输出信号的相噪情况,实验结果表明:通 过传统电子接收机接收后,载波信号相噪在1kHz频偏增加了30 dB; 而对于本文所提新型光子式接收机,载波信号相噪在 1kHz频偏仅增加10 dB,说明了该种新型接收机在集成了微波光子链 路与光电振荡器两种新型光子技术后,相噪指标得到了显著提高。     

双芯片GaAs单片集成Ku波段锁相环微波合成器

为了获得一种体积小、重量很轻的微波合成器,已研制了两种新型多功能单片GaAs MMIC和LSI。MMIC(单片微波集成电路)包括压控振荡器、双输出缓冲放大器、平衡一不平衡变换器和动态/静态预定标器。为了把这些功能集成在一个单片上,利用一种单面MMIC结构,就使每个电路的尺寸大大减小。LSI(大规模集成电路)包括双模预定标器、可编程计数器和相位/频率比较器。通过将这两个单片并入到一个结构上,一种Ku波段微波合成器便成功地制造在一个11×23mm~2的平面封装内。     

微波鉴相器的模拟研究

直接在微波频段上论述了肖特基势垒二极管单平衡、双平衡鉴相器的鉴相原理,给出了这两种鉴相器的近似理论鉴相特性解析式,然后模拟了它们的鉴相特性曲线和功率分配耦合器端口特性,模拟的结果与理论得到结论是一致的,最后对二极管单平衡、双平衡微波鉴相器进行了简要的总结.与传统的基于频率变换法的微波鉴相器相比,二极管单平衡、双平衡微波鉴相器的结构简单,整个结构可制成平面集成电路,与GaAs衬底的MMIC工艺兼容.     

S波段微波上变频器的设计

本文简要叙述了上变频器的工作原理,并详细介绍了一种采用3dB混合环电路的S波段微波上变频器的具体设计过程。     

卫星电视技术讲座 第四讲 卫星电视下变频器(高频头)的工作原理

1　卫星电视下变频器 (高频头 )的作用卫星电视低噪声下变频器又称为高频头 (也称卫星电视的室外单元 ) ,它是由微波低噪声放大器 ,微波混频器 ,第一本振和第一中频前置放大器组成 ,其框图如图 1所示。图 1　高频头的原理框图一般的卫星电视接收系统主要包括 :(1)天线 ;(2 )馈源 ;(3)低噪声下变频器 ,也称为高频头 (是由低噪声放大器与下变频器集成的组件 ) ,用ＬＮＢ表示 ;(4 )电缆线 ;(5)端子接头 ;(6 )卫星接收机 ;(7)电视接收机。卫星电视接收系统框图如图2所示。由于卫星电视接收系统中的地面天线接收到的卫星下行微波信号经过约 4 0 0…     

S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器设计

结合混合微波集成电路(HMIC)工艺和砷化镓单片微波集成电路(MMIC)工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器.采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性.由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数.限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率.利用微波仿真软件,设计制作了兰格(Lange)电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路.最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7～3.5 GHz内增益27 ～ 28 dB,噪声系数小于1.3 dB,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15％的脉冲功率冲击.     

ADI集成LO缓冲器的超宽带混频器

近日,ADI推出双平衡混频器LTC5553,该器件在3GHz至20GHz范围内提供高带宽匹配能力,可用作上变频器或下变频器.LTC5553在14GHz时提供出色的23.9dBm IIP3线性度,在17GHz时线性度为21.5dBm.该器件集成了一个仅需要0dBm输入驱动的LO缓冲器,因此,实际上不再需要外部大功率LO放大器电路.此外,LTC5553芯片上集成了宽带平衡-不平衡转换器.所有端口在各自规定的频率范围内都以单端、50Ω匹配模式运行.该混频器具有出色的端口至端口隔离度,在17GHz时LO至RF泄漏为-32dBm,因此,降低了外部滤波要求.所有这些特点都使得能够大限度减少外部组件、简化设计,并提供尺寸非常小的解决方案.     

半模基片集成波导(HMSIW)三分贝功率分配器

基片集成波导(SIW)具有损耗低、性能好、易于集成等优点,作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路.但是对于微波低频段,基片集成波导器件的尺寸偏大.最近,一种新的导波结构--半模基片集成波导(HMSIW)被提出.与基片集成波导相比,半模基片集成波导保留了基片集成波导的优点,同时在尺寸上缩小近一半,损耗也更低.本文提出了两种结合半模基片集成波导与基片集成波导技术的三分贝功率分配器,仿真结果与实验结果一致.     

High isolation sub-harmonic up-converter using substrate integrated waveguide

A low cost high isolation sub-harmonic microwave up-converter is designed using a substrate integrated waveguide (SIW). By employing the cutoff mode concept of SIW, the up-converter has effectively suppressed the output components of local oscillator (LO) frequency and image frequency. Experimental results show an additional 50 dB isolation is achieved with the SIW.     

C波段宽带上变频器的集成化设计

介绍了一种C波段宽带上变频器的集成化设计。利用垂直过渡的形式提高了模块的集成度。用HFSS对垂直过渡进行了仿真,结果表明在整个C波段内,输入、输出驻波小于1.07。上变频器采用上、下分腔结构,上腔主要包含混频、滤波、放大功能,下腔主要包含功分、放大功能,上、下腔采用垂直过渡进行微波信号的级联。给出了上变频器的测试结果,带内平坦度小于1 dB,杂波抑制大于60 dB,测试结果验证了设计方法的正确性和可行性。该上变频模块已经用于雷达系统中。     

Ka Band Broadband Fourth Harmonic Image Rejection Mixer

This paper presents the design and implementation of Ka band broadband hybrid integrated image rejection mixer with a fourth harmonic mixer as unit mixer. Detailed design and analysis have been carried out. The mixer was fabricated by hybrid microwave integrated circuit (HMIC) process based on the thin film ceramic substrate which can reduce the cost compared to monolithic microwave integrated circuit (MMIC). The measured results showed conversion loss less than 11.2 dB and image rejection ratio (IRR) more than 20 dB in 4 GHz RF bandwidth. It can also play the role of up-converter from the test data.     

Frequency conversion with gain through sideband locking of an IMPATT diode oscillation

An up-converter with gain and stabilized frequency can be realized through the sideband locking of an IMPATT oscillator. An up-converter with a gain of 13.3 dB (microwave to microwave) and an output power of 13.3 dBm over the bandwidth 30 MHz is realized and operated at 10.18 GHz.     

A Novel K-Band Balanced FET Up-Converter

The performance of the K-band balanced FET up-converter is described. A novel circuit configuration effective in enhancing conversion gain in the FET up-converter is proposed. An analysis using a simplified circuit model shows the effect of LO feedback in the balanced circuit. A conversion gain of 0.9 dB was experimentally obtained at 20 GHz. Maximum output power was 15.9 dBm.     

K波段单平衡上变频器的设计

文中介绍了一种应用于宽带无线接入系统发射机的K波段单平衡上变频器的设计方法,并给出了仿真结果和电路版图。电路选用Alpha公司的砷化镓肖特基势垒二极管,采用易于实现的环形电桥结构。通过在环形电桥的一个端口附加45。相移实现了上边带单平衡混频,变频损耗小于6dB,三阶交调系数为39dB,输入1dB压缩点为10dBm。整个电路具有低成本、低变频损耗的特点。     

60-GHz monolithic down- and up-converters utilizing asource-injection concept

This paper deals with the design considerations, fabrication process, and performance of coplanar waveguide (CPW) heterojunction FET (HJFET) down- and up-converter monolithic microwave integrated circuits (MMIC's) for V-band wireless system applications. To realize a mixer featuring a simple structure with inherently isolated ports, and yet permitting independent port matching and low local oscillator (LO) power operation, a “source-injection” concept is utilized by treating the HJFET as a three-port device in which the LO signal is injected through the source terminal, the RF (or IF) signal through the gate terminal, and the IF (or RF) signal is extracted from the drain terminal. The down-converter chip incorporates an image-rejection filter and a source-injection mixer. The up-converter chip incorporates a source-injection mixer and an output RF filter. With an LO power and frequency of 7 dBm and 60.4 GHz, both converters can operate at any IF frequency within 0.5-2 GHz, with a corresponding conversion gain within -7 to -12 dB, primarily dominated by the related filter's insertion loss. Chip size is 3.3 mm×2 mm for the down-converter, and 3.5 mm×1.8 mm for the up-converter     

Ku波段上变频组件的设计

介绍了Ku波段上变频组件的设计与制作,整个组件由低相噪振荡器、滤波器、功分器、功率放大器、PIN开关、上变频器等部分组成。文章分别对一些主要部件进行了简要的理论分析,并给出微波电路的结构形式,最后给出样品的测试结果。     

一体化Ka波段上变频组件

设计了一款集本振倍频链（有源二倍频器、带通滤波器、增益放大器）、上变频器和射频增益放大器等功能部件的集成Ka波段上变频组件,在方案设计的基础上完成了分部件电路的仿真计算,实现了集成一体化设计,并给出了加工版图,计算结果较好地满足了设计要求：变频增益≥10dB,增益平坦度≤±1dB,P-1dH≥5dBm,三阶交调30dBc,两端口驻波比≤2。电路采用混合集成电路实现,制作在R／T5880基板上,整个电路尺寸为52mm×47mm。