酸性氯化铜液蚀刻化学及蚀刻液再生方法评述

为了清洁生产、生态环境和人们健康，研究和开发酸性氯化铜蚀刻液的再生方法及再生设备，已成为当前印制板制造行业污染防治工作的重点。为此，文章首次论述了印制板酸性氯化铜液蚀刻化学及蚀刻液的再生方法，讨论了各种方法的优缺点，进而指出了酸性蚀刻液再生的发展趋势。     

酸性CuCl2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。     

在PCB生产中碱性蚀刻机理及其故障分析

印制线路板的蚀刻是制造印制线路板最关键的工序之一,把其反应机理搞清楚,则在其它生产中常见的故障将迎 刃而解。本文着重对印制板碱性蚀刻液从其反应机理及反应速率方面进行剖析,以解决生产中常出现的问题。     

微带蚀刻工艺影响因素探讨

本文阐述了在微带精密蚀刻过程中影响蚀刻速率变化的诸多因素,探讨了酸性氯化铜蚀刻液工艺控制应该注意的问题和解决办法。     

激光直接成像技术（V）—化学镀Sn和直接覆铜板上的LDI

4 在化学镀锡上的LDI 这是指经制备的在制板铜箔上涂覆上一层厚度为0.8/μm的锡箔,接着通过UV激光蚀去不需要的锡镀(涂)层及其底下的铜箔厚度3～5μm所形成的图形,最后以锡层为抗蚀剂进行碱性蚀刻(如常规的碱性CuCl_2蚀刻液),便可得到所期望的精细导体图形。     

酸性蚀刻废液中铜的回收及废液再生新技术

为了生态环境和人们身体健康,研究和开发酸性蚀刻液再生利用方法及设备,实现清洁生产,已成为印制线路板行业污染防治工作的重点。文章介绍了一种酸性蚀刻液再生利用的新方法：采用膜电解技术,硫酸作为阳极液,蚀刻废液作为阴极液,将蚀刻废液中的铜离子沉积在阴极板上形成致密的铜板,铜离子浓度降低至1g／L,氢离子浓度上升至3．6m01／L,提铜后的蚀刻废液可当盐酸回用于酸性蚀刻液的配制中。实验结果表明：阴极液铜离子浓度为（15～5）g／L,电流密度为4．16A／dm^2为该电解工艺的最佳参数,能得到纯度高于99％的铜板,并达到80％以上的电流效率,而酸度对该电解工艺影响不大。     

酸性蚀刻液工艺报告

为配合国内PCB产业的飞速发展而开发的HCL／NaClO3再生型酸性蚀刻系统。随着PCB产量的提升、产品的精密度越来越高、安全生产日益重要、环保的要求越来越苛刻,传统的HCL／H2O2再生型酸性蚀刻系统逐渐不能满足PCB产业的需求和环保要求,我司的HCL／NaClO3的酸性蚀刻系统具有更安全、环保、低酸度、低成本、蚀刻速度快、侧蚀小等诸多优点。     

微电子封装中FeCl_3蚀刻液沉淀失效及再恢复

在微电子封装中,多处要使用FeCl3溶液进行蚀刻,如PCB布线,细间距引线框架等。在实际湿法蚀刻的研究中,发现使用高玻美度的FeCl3溶液蚀刻效果好。而高玻美度溶液的低温结晶现象比低玻美度(40癇e)要明显得多,对科学研究和生产带来较大的不利。本文分析研究了FeCl3蚀刻液失效产物和产生机制,提出了失效的温度因素、杂质离子因素、时间因素的影响过程和再恢复的方法。     

印制电路板埋入平面薄层电阻研究

近年来高速、高性能电子产品骤增,对应高密度的同时,还要对应高频、高速传输,因此,电路板的表面封装需要转换到埋置元件PCB上来。不受寄生元件或者噪音影响,而又能高速地传输大容量的信号的关键影响因素在于电阻。文章以Ohmega公司生产的NI—P薄层电阻材料作为研究对象,通过实验发现在整个制作过程中,酸性蚀刻、碱性蚀刻、棕化、硫酸铜缸蚀刻对电阻精度均有一定的影响,其中酸性蚀刻和碱性蚀刻在整个加工过程中影响最大。通过对以上加工过程中的参数进行控制研究,得到精度较高的电阻阻值,为印制电路板埋入电阻阻值的控制提供了参考。     

浅议印制电路板蚀刻废液实用再生技术

目前印制电路板蚀刻废液的再生及循环利用,已受到工业界的广泛关注。简要介绍、分析了两种蚀刻废液实用的再生技术。酸性蚀刻废液膜电解技术可同时实现酸性蚀刻废液再生和铜回收,节约大量的氧化剂和盐酸;碱性蚀刻废液萃取-电积技术再生的同时,也可以回收铜。蚀刻废液再生可实现资源最高效的循环利用,预计具有较广阔的应用前景。     

抗红外烟幕遮蔽剂CuCl2-NiCl2-GIC的研究

采用定量混合法,以微粉石墨为主体材料合成出2、3阶CuCl2-NiCl2-GIC,应用XRD技术对其层间结构进行表征,结果证实所得产物以混阶形式存在,其中2、3阶CuCl2-NiCl2-GIC的特征层间距为1．474nm和1．753nm。用扫描电镜观测样品的表观形貌,并进行选区成份分析。通过考核CuCl2—NiCl2—GIC的粒度分布、沉降速度及质量消光系数,证实该物质对工作在红外波段的军用电子器材具有良好的干扰功效。     

A Novel Nitric Acid Etchant and Its Application in Manufacturing Fine Lines for PCBs

We have developed a new etching solution for the printed circuit board industry. The primary oxidant of the solution is nitric acid, which reacts with copper coating on the substrate. The other components of the solution are sulfuric acid and additive, which are used to control etching reaction rate and solution's characteristics. The optimum parameters for the concentrations of nitric acid, sulfuric acid, additive, and the operating temperature were obtained through orthogonal experiment with stagnant etching method. The parameters were then verified by the spray etching experiment in the industrial production line. Then, there are a series of tests, carried out by metallographic slicing tester and scanning electron microscopy to evaluate the quality of copper conductive lines in stagnant and spray etching experiments. compared with conventional cupric chloride etchant, the testing results showed that the nitric acid etchant can manufacture fines lines with lower undercut, better wall sides, with higher etching rate, as well as being more friendly to the environment How the addition of ${hbox {H}} _{2} {hbox {SO}} _{4}$ influences etching rate and etching mechanism of nitric acid etchant is also discussed.      

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

乙酸的光谱学及其特性的研究

采用光栅光谱仪获得了波长为 2 5 4nm(Δλ1 /2 4nm)的紫外光激励乙酸溶液的紫外吸收光谱和不同浓度溶液的荧光光谱 ,并对其产生机理和谱线特性进行了研究。实验结果和理论分析表明 ,波长为 2 5 4nm的紫外光诱导乙酸分子发出的荧光是由乙酸分子上的荧光团 -C =O -产生的 ,其量子转换效率可达 5 0 %以上 ;乙酸溶液的荧光量子产额将随浓度发生明显的变化。研究乙酸的紫外光谱和荧光光谱及其特性可为其作为溶剂和催化剂时对其他有机大分子光谱特性的影响提供参考     

亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响

酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。     

From Mesostructured Wurtzite ZnS‐Nanowire/Amine Nanocomposites to ZnS Nanowires Exhibiting Quantum Size Effects: A Mild‐Solution Chemistry Approach

Mesostructured wurtzite ZnS‐nanowire‐bundle/amine nanocomposites displaying remarkable quantum size effects are synthesized by using a mild‐solution reaction using different amines, such as n‐butylamine, ethylamine, and tetraethylenepentamine, Zn(NO₃)₂·6 H₂O, and CS(NH₂)₂ or Na₂S·9 H₂O as the precursors at temperatures ranging from room temperature to 180 °C. A possible mechanism for the shape‐controlled growth of ZnS nanowires and nanocomposites is proposed. Increasing the reaction temperature or dispersing the composite in acetic acid or NaOH solution leads to the destruction of the periodic structure and the formation of individual wurtzite nanowires and their aggregates. The nanowire/amine composites and individual wurtzite nanowires both display obvious quantum size effects. Strong band‐edge emission is observed for the wurtzite ZnS nanowires after removal of the amine. The optical properties of these nanocomposites and nanowires are strongly related to the preparation conditions and can be finely tuned. This technique provides a unique approach for fabricating highly oriented wurtzite ZnS semiconductor nanowires, and can potentially be extended to other semiconducting systems.     

Bottom‐Up Synthesis of Biologically Active Multilayer Films Using Inkjet‐Printed Templates

As a non‐invasive, rapid prototyping technique, piezoelectric inkjet printing using the Dimatix Materials Printer (DMP) is incorporated to template 2D biologically active surfaces. In these studies, a bioinspired ink is synthesized and printed directly onto gold‐coated silicon nitride substrates and into polymer‐coated 96‐well plates. Once deposited on a surface, these patterns are reacted with varying concentrations of a model enzyme glucose oxidase in the presence of a silica precursor, monosilicic acid. The reaction mechanism and order of reactant products within and along the patterns are shown to directly affect the integrity and overall microstructure of the biologically active films. Using profilometry measurements and scanning electron microscopy, a biologically active platform is optimized without significantly compromising the activity of the enzyme. In fact, enzyme activity, constrained within a thin film, is reported for the first time over variable reaction parameters. When compared to the enzyme free in solution, the immobilized enzyme is 25.9% active, where nearly 100% of the activity is retained after repeated usage.     

Ge单晶片的酸性腐蚀特性分析

对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的腐蚀特性进行了研究,讨论了腐蚀速率与腐蚀液配比的关系,并对腐蚀速率的变化进行了分析.比较了腐蚀前后晶片几何参数的变化以及腐蚀去除量对晶片几何参数的影响.并对Ge单晶片在酸性腐蚀液中的反应原理进行分析,最终确定酸性腐蚀更适合Ge单晶片抛光前的腐蚀减薄工艺.     

适用于超宽带的检测与避让测试平台

文章首先介绍了超宽带技术的特点,分析了目前超宽带工作环境中的干扰问题,引出了缓和干扰的检测与避让机制;接着对欧洲和中国的检测与避让机制的技术要求进行了说明;然后提出了验证检测与避让机制时的面临难点和挑战并给出了解决方案;最后介绍了两种检测与避让测试平台的设计和实现。     

低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响

采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。