激光在印制电路板制造中应用的新进展

概述了目前印制电路板制造中激光在成像和钻孔的主要应用;重点介绍了利用激光直接成像技术进行的精细线路制作,在激光钻孔工艺中采用激光诱发进行直接电镀以及在AlN陶瓷基板上进行激光辅助活化制作线路和孔;并提出了今后的发展方向。     

HDI板分层原因研究及解决方案

通过热应力实验、SEM、EDX、金相切片分析等方法对HDI板生产中易出现分层的各环节进行了探究,结果表明:半固化片储存时吸潮、塞孔后树脂未除净、棕化后清洗用的DI水pH值较低、压合时受力不均是HDI板制造中引起分层的主要原因,并给出了相应的改进措施,提高了产品合格率。     

均匀设计法在优化挠性双面板快压覆盖膜工艺参数中的应用

利用均匀设计法采用U13(1312)的均匀设计表研究了压合温度,预压时间,成型时间,压力4因素对挠性双面板覆盖膜结合力的影响。采用二次多项式逐步回归法处理数据,建立了覆盖膜结合力和4因素之间的回归模型。分析表明,在最佳工艺参数压合温度194℃,预压时间5 s,成型时间104 s,压力5.88 MPa下,可获得覆盖膜最大结合力为5.31 N/cm,经过实验证明,该方法获得的最优化工艺参数在实际生产中可获得良好的覆盖膜结合力。     

正交法制作50μm／50μm精细线路工艺参数的优化

在公司批量生产HDI板最小线宽／间距为75μm／75μm能力的基础上制作了线宽／间距为50μm／50μm的精细线路,试验用LDI曝光机曝光后再用正交试验法的L9（3^4）正交表安排了显影速度、蚀刻速度、显影压力、蚀刻压力四因素试验,选取线宽和蚀刻因子作为指标。通过对两个指标的综合分析,试验得到最佳工艺参数为：显影速度为4．0m／min,显影上压力为0．18MPa,下压力为0．15MPa,蚀刻速度为4．5m／min,蚀刻上压力为O．28MPa,下压力为0．25MPa。     

冷热冲击下BGA焊接失效的分析研究

采用冷热冲击的方法,以温度改变率为90℃/min,温度循环范围为–65~+125℃,高低温段停留时间为15 min的条件对无铅焊接的BGA焊接位置进行可靠性测试,用金相显微镜,SEM和EDS进行表征分析。结果表明,冷热冲击下BGA的失效点多集中于焊料与焊盘间。SnAgCu焊料与焊盘以及形成的IMC之间的热膨胀系数(CTE)不匹配,还有IMC被氧化是导致在冷热冲击下BGA焊接位置失效的主要原因。     

酸性CuCl2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。     

120Gbit/s甚短距离并行光模块的研制

基于12通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列和12通道PD探测器阵列,设计制作了120 Gbit/s甚短距离的12通道并行光发送模块和12通道并行光接收模块.基于电磁场、传输线理论的信号完整性设计,减小了通道间串扰;利用过孔模型分析和阻抗设计,解决信号反射问题;且通过减小金丝直连长度等手段增加了通道带宽.光模块单通道传输速率不小于10Gbit/s,12通道并行总传输速率高达120 Gbit/s.并行光模块具有高速率、高集成度以及低成本等特点,为短距离高速率并行光传输系统提供具竞争力的解决方案.     

印制板中间偏孔在压合过程的影响因素研究

通过印制电路板层压过程的研究,探讨了导致中间偏孔问题的影响因素。包括对压机平整度、压盘温度均匀性、开料烤板、牛皮纸类型和叠构方式以及基板材料等影响因素的对比测试,统计各可能影响因素下出现中间偏孔的不良率。结果表明,压机平整度差与温度不均匀性以及基板材料本身涨缩的不稳定性是导致中间偏孔不良率偏高的主要因素。     

龙门式电镀线生产75μm/75μm线镀铜均匀性探究

主要阐述我司通过对佳辉龙门式电镀线进行电镀均匀性的改善和研究,达到可以生产75μm/75μm线的工艺制作能力,以及使用龙门式电镀线制作75μm/75μm线镀铜均匀性控制要点、工艺能力维护等,为我司生产精细线路的产品提供一定的参考和制作依据。