宽带高功率耦合器的小型化设计分析

宽带高功率耦合器是宽带高功率放大器中的重要部件。为了实现宽带高功率放大器中耦合器的小型化设计,提出了耦合器设计的小型化方案。用电路和电磁场仿真技术解决了宽带高功率耦合设计中的几个关键技术问题,即耦合线耦合器设计、幅度均衡器设计和元器件的敏感性分析等问题,最后实际制作了一个仿真设计的样件,测试技术指标与仿真吻合,说明了这种设计方案的有效性。     

动态偏置射频宽带功放设计

射频宽带功率放大器是目前功率放大器的主要发展趋势。为了提高射频宽带功率放大器的增益平坦度与效率,采用推挽结构LDmos晶体管,使用ADS软件对动态偏置电路和匹配电路进行仿真设计。详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法。实现了多倍频程带宽、确保带内增益平坦、提高功率附加效率。仿真结果表明该功率放大器对于100MHz~400MHz的信号,在整个输入功率变化范围内,功率附加效率（PAE）与传统的功放相比提高了5~15%左右。     

射频宽带功率放大器设计

针对软件无线电台的特点与要求,研制了一款射频宽带功率放大器。首先,判别功率管的稳定性,基于S参数的设计方法,对功放的输入输出匹配电路进行设计和仿真优化。最终使该款功率放大器测试结果达到设计要求。     

X波段30W固态功率放大模块的设计

微波功率放大器的应用范围广,在雷达、导航、通信、卫星地面收发站、电子对抗仪器设备中不可或缺。介绍一个X波段固态功率放大器模块的设计过程,通过ADS射频仿真软件根据S参数对微波固态功放模块的偏置隔直电路以及匹配电路进行设计优化,功率放大器经过级联、功率分配合成,达到设计的指标要求。     

2～6 GHz宽带功率放大器模块设计

实现了一款GaN超倍频功率放大器。基于CREE公司型号为CGHV60040D裸芯片,通过对芯片外围键合线和微带线进行建模及电磁场仿真,利用最佳负载阻抗匹配的原理,并借助仿真软件设计优化了宽带匹配网络,最终完成了一款工作在2~6GHz的单管宽带功率放大器。对所设计的宽带功放模块进行脉冲测试,在1.8~5.5GHz的宽频带范围内,增益为10~13dB,输出功率43dBm以上,功率附加效率(PAE)达到40%以上。     

北斗射频功率放大器的设计与实现

深入研究了北斗射频功率放大器效率低的问题,基于射频功率放大器的基本理论,提出了射频功率放大器的基本架构,设计了三级功率放大器,采用线性功率放大器设计方案和功率回退设计方法,较好地实现了线性度和效率参数。在仿真环境下对功率放大器进行了仿真研究,验证了设计的有效性和合理性。     

一种宽带微波放大器偏置电路的设计

本文利用微波平面结构谐振模式情况下场等效的方法,对单扇形微带传输线电路进行了分析,并在此基础上介绍了一种宽带直流偏置电路的分析和设计方法.此种形式的偏置电路应用于一种C波段的微波放大器上,仿真和实验结果证明了这种宽带直流偏置电路是有效的.     

一种实用的调频宽带功率放大器

本文介绍了一种在调频通信中实用的宽带线性功率放大器.给出了由摩托罗拉公司MRF148组成的一款60W推挽式调频宽带线性功率放大器的具体电路,并对电路的设计和PCB设计及散热问题进行了详细分析.     

L波段微波功率合成技术研究

无人机机载功率放大器的性能一直是限制无人机技术发展的主要因素,为此提出了将功率合成技术应用于无人机数据系统的方法解决上述问题。利用微带线技术结合系统性的电路调试方法,辅以Advanced Design System仿真软件优化设计,同时采用实频技术法进行宽带功放设计,成功研制了频段在1.3 GHz~1.7 GHz的功率放大器,单路功率放大器采用级联的技术输出功率为8 W,两路合成后,实测总输出功率为15.67 W,合成效率达97%,性能稳定,达到实用水平。     

宽带GaN功率放大器的建模与预失真

对正交频分复用传输系统中宽带GaN功率放大器的建模与预失真线性化方法进行研究。应用一个带有记忆的多项式模型来建模GaN功率放大器及其逆特性,并通过递推最小二乘法(RLS)辨识模型参数,然后利用预失真间接结构实现了GaN功率放大器的预失真器。最后,仿真验证预失真方法的有效性,结果表明记忆多项式模型可以对GaN功率放大器进行建模并实现线性化。     

宽带直流放大器的增益控制设计与研究

首先进行了方案论证与比较,分析各种方案的优点缺点,最后选择亚德诺半导体公司生产的低噪声增益可控集成运算放大器AD603和电流反馈型宽带运算放大器AD811等器件设计宽带直流放大器。输入级采用两级AD603级联,输出级设计通频带0~10MHz的带宽,通过单片机可以对放大器增益进行控制。该放大器具有频带宽、功率高、增益可调、带宽可选择等特点。此外,对提高直流放大器的各种性能指标提出了多种具体措施,在要求较高的系统中具有较强的实用性。     

A systematic design of 1.5–9 GHz high power–high efficiency two‐stage GaAs PHEMT power amplifier

In this article, a systematic design approach for a Class‐A operated wideband power amplifier is presented. The power amplifier structure comprises of two transistors in the cascaded single stage traveling wave amplifier topology. A power amplifier was designed by using the systematic approach and fabricated with 0.25 μm GaAs PHEMT MMIC process. The amplifier has an area of 3.4 × 1.4 mm². Measurement results show that almost flat gain performance is obtained around 15 dB over 1.5–9 GHz operating bandwidth. In most of the band, with the help of a wideband load‐pull matching technique, the amplifier delivers P_o,sat and P_o,1dB of around 30 dBm and 28 dBm where the corresponding power added efficiencies are >50% and >36%, respectively. It is shown that the proposed design approach has the advantage of simple and systematic design flow and it helps to realize step‐by‐step design for the designers. © 2014 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 24:615–622, 2014.     

一种带宽直流放大器的设计

设计了一种由前置放大电路、可预置增益放大电路、低通滤波电路、后级放大电路、直流稳压电路及单片机控制电路组成的带宽直流放大器.其中增益放大电路由两级可变增益宽带放大器AD603组成,增益的预置由单片机实现,滤波器采用二阶巴特沃思滤波器,而后级放大电路可将输出电压有效值放大到10 V.整个设计实现了最大电压增益AV≥60 dB,并且增益连续可调,其制作成本低、电源效率高.     

高速偏转放大器

高速偏转放大器是一个宽带大功率放大器,主要用于高速图形显示器中的磁偏转系统.本 放大器引入一种特殊的直馈,以有效地拉宽频带并保证放大器的稳定性能.偏转线圈采用多 股并绕的非分段无骨架形式,同时采用共轭补偿,以改善图形显示质量.     

基于AD8318的峰值功率分析仪设计

介绍了宽带射频信号功率对数检测集成电路AD8318的工作原理及主要性能,提出利用其快速响应能力构建多通道峰值功率分析仪的方法。     

采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压下,LNA的直流功耗约为9.45 mW,电路的最大增益约为23 dB,3 dB频带范围为0.1 GHz¹.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB1.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB⁵ dB;在1 V供电电压下,电路依然能够保持较高的性能。     

射频功率放大器模块的设计与实现

提出了功率放大器设计中的两个关键问题，结合GSM直放站功率放大器模块的工程实例，详细分析了该功率放大器模块的设计过程．最后给出该模块样机的实测结果，进一步验证了设计方法的有效性。     

A wafer-level package of wideband microwave transmission system based on BCB/metal structure embedded in Si substrate

In this paper, a wafer-level package for a microwave transmission system has been implemented and tested. Three monolithic microwave integrated circuits packaged in one microwave system are first proposed. The packaged system consists of an up-converter, a drive amplifier and a power amplifier. All the modules are embedded in the cavities pre-etched in a low-resistivity silicon substrate. Benzocyclobutene layers are coated on the components and silicon substrate, serving as interlayer dielectrics. Gold bumps are used as electric interconnections between different layers. Gold micro-strip lines are employed as transmission lines. The electrical properties of the packaging structure are investigated. The design procedure is proposed and the simulation regarding transmission line has been done. The thermal property of the packaged system is simulated and detailed discussion is presented. The measured transmission characteristics of the packaged system shows that the modules can work at very wide band, at the range of 6–18 GHz (X/Ku band) and its gain agrees well with the theoretical results.