新铌酸盐A5NdSn3Nb7O30的合成与介电特性

通过固相反应法在AO-Nd2O3-SnO2-Nb2O5(A=Ba,Sr)体系中合成了填满型钨青铜结构新铌酸盐A5NdSn3Nb7O30。分别采用X射线衍射分析和扫描电镜进行了结构分析,并进行了介电性能测试。结果表明,它们室温时都为四方钨青铜结构顺电相。A5NdSn3Nb7O30(A=Ba,Sr)陶瓷体具有高的室温相对介电常数,1 MHz时分别为182与144;低的介电损耗,分别为1.8×10-3和6.2×10-4;其介电常数温度系数(τε)分别为-1 071×10-6K-1和-507×10-6K-1。     

钽酸盐Ba5LaZnTa9O30的结构及其介电特性

在BaO-ZnO-Ta2O5体系中通过掺La3+合成了钽酸盐Ba5LaZnTa9O30采用粉晶X射线衍射(XRD)对其结构进行了分析,并测试了其陶瓷体的介电特性.结果表明,Ba5LaZnTa9O30在室温下属于填满型四方钨青铜结构顺电相,晶胞参数为a=1.259 09(4)nm,c=0.396 22(2)nm,α=β=y=90°;频率为1 MHz时Ba5LaZnTa9O30陶瓷的室温相对介电常数为89;而且介电损耗仅为0.006 7.     

新铌酸盐Ba3Nd2Ti2Nb2O15的结构与微波介电特性

采用高温固相反应合成了A5B4O15型五层类钙钛矿结构新铌酸盐Ba3Nd2Ti2Nb2O15. Ba3Nd2Ti2Nb2O15晶体为三方晶系,空间群P3-ml(164),晶胞参数a=5.653 2(1) (A),c=11.611 7 (2) (A),V=321.377 (6)(A)3, Z=1.Ba3Nd2Ti2Nb2O15陶瓷在微波频段具有较高的室温介电常数40.1, 具有较高的Qf值19606GHz,接近于零的谐振频率温度系数 12×10-6K-1,因此,Ba3Nd2Ti2Nb2O15极有可能成为一种新型的介质微波陶瓷材料.     

Dy_2O_3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1250℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究。结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中。BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48。     

Dy2O3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%～2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48.     

Co2O3优化BaTiO3陶瓷介电性能机理的研究

通过传统的球磨工艺,以Co2O3为受主杂质和La2O3、Nb2O5、Bi2(SiO3)3为施主杂质,对BaTiO3系陶瓷进行掺杂。实验表明:Co2O3对BaTiO3陶瓷介电性能的影响跟La2O3、Nb2O5、Bi2(SiO3)3理论上产生的电荷n与Co2O3理论上产生的电荷p的比例有关:当n∶p>1时,介电常数-温度曲线趋于平缓,BaTiO3陶瓷呈现强铁电弥散性;介电损耗-温度曲线趋于平滑,随n∶p的减小,介电损耗总体减小;介电损耗-频率曲线呈现松弛极化损耗特性。当n∶p≤1时,BaTiO3陶瓷呈现较大的居里峰值,呈普通铁电体的性质;介电损耗-温度曲线出现较大的峰值;介电损耗-频率曲线表现为电导损耗特征。BaTiO3陶瓷晶粒的"核-壳结构"模型能较好解释这一现象。     

Li-Ti共掺对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)2O7陶瓷介电性能的影响

采用固相反应法制备(Bi1.975Li0.025)(Zn1/3Nh2/3-x/2Tix/2)2O7,陶瓷,研究了当Li 的替代量一定时,不同量的Ti4 替代Nb5 对BLXNT系介质材料介电性能的影响.研究结果表明:在取代的范围内仍然保持单斜焦绿石相;1MHz介电常数的温度系数由225.35×10-6/℃逐渐增加到416.48×10-6/℃;在-30℃≤T≤130℃,观察到BLZNT样品出现介电损耗弛豫现象,随着掺杂含量的增加,介电损耗弛豫峰向高温移动.     

低温烧结Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷

采用溶胶-凝胶法制备了Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷粉体,并烧结成瓷。探讨了玻璃介质对BST陶瓷密度、烧结温度和介电性能的影响,利用扫描电子显微镜(SEM)、自动元件分析仪测试了BST陶瓷的显微结构和介电性能。研究结果表明,添加Dy-B-Si-O系玻璃介质降低了陶瓷烧结温度,提高了陶瓷致密度;随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中Dy2O3组分含量的增加,介电常数增大;介电损耗先增大后减小,介电损耗最小值约为0.01,可满足在电压可调电容器上的使用要求。     

钴钇掺杂（Ba,Sr）TiO_3基介电陶瓷的制备与性能研究

采用二次固相反应法制备Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷,研究了掺杂钴、钇离子对钛酸锶钡介电性能的影响。结果表明,陶瓷样品Y3＋、Co3＋的最佳掺杂浓度分别为0.04mol%和0.05mol%,最佳烧结温度为1340℃,样品的相对介电常数为4200,介电损耗（tanδ）为0.005。样品的结构为四方晶系,P4mm空间群。获得了高介电常数、低损耗的Ba0.7Sr0.3TiO3介电陶瓷。     

Sr2Bi2O5高掺杂BaTiO3负温度系数热敏陶瓷的相组成与热稳定性能

研究了以100BaTiO3 xSr2B i2O5(10≤x≤70)为基本原料烧结的热敏陶瓷样品的组成、微观结构、Sr2B i2O5掺杂量对其电阻的影响及老化性能。结果表明:在10≤x≤70的范围内,Sr2B i2O5掺杂BaTiO3陶瓷样品由BaTiO3和Ba0.77Sr0.23TiO3及Sr0.74B i1.26O2.63组成;Sr2B i2O5掺杂的BaTiO3基陶瓷晶粒组织细小均匀,具有典型的NTC特征。BaTiO3基NTC热敏陶瓷在25~250℃范围内的电阻-温度具良好的线性关系,且稳定性好,其室温电阻随着掺杂量的增加而减小。     

一种实用的A/D-D/A转换卡

本文介绍在微型计算机上开发的一种模拟输入输出功能卡(即通称的A/D—D A接口卡)。将它直接插入主机的I/O扩展槽口中,就可以在机器上实现控制,数据采集,信号处理等功能。该接口卡可与IBM—PC,Apple一Ⅱ微机以及TP801联用。本文首先以IBM—PC机为主要机型介绍接口卡的硬、软件原理设计和使用,然后再介绍其它机型的联接,扩展,使用情况。     

一种由正轴测图配绘体视图对的作图方法

给已有的轴测图配绘另一个轴测图,便成为一种简易体视图——裸眼体视图。本文介绍了在单一画面和复合画面上给正轴测图配绘体视图的作图方法。     

一种兼有A/D和D/A的转换电路

介绍由一块D／A芯片,以及由运算放大器和比较器各一组组成的D／A转换电路和A／D转换电路,并通过具体编程实例对其加以说明和应用。     

关于多项式的一个恒等式

对两个字母的多项式xn yn 给出了一个很完美、精致的恒等式 ,并用数学归纳法给出了证明。还附带指出了对应的多项式序列的一个非常简洁的递推关系式     

一类有限群的一个结论

设p,q是两个互不相同的素数,G是一个p^2q阶群,通过对群G的Sylow子群个数的分类,讨论了群G中子群的个数问题以及群G中元素的阶.     

关于一个Brauer定理的注记

研究一个被广泛引用的Brauer定理,指出该定理是错误的;讨论了特征值估计理论中常涉及的卵形Di,j={z∈C:|z-aii‖z-ajj|≤ RiRj,i≠j},其中A=(aij)∈Cn,n,得到了关于Dij和矩阵特征值的有关结论,从理论上说明了Brauer定理错误的原因。     

负反馈放大器增益的拆环计算

基于理想方块图，应用拆环法导出了电压并联负反馈放大器的源增益、增益的计算式，全面描述了影响源增益、增益的电路参数。     

映射畴数的一个定理

本文讨论了映射 f∶X→Y 的畴数 catf 和它的定义域空间 x 的畴数的关系。一般情况下 catf≤catX。我们证明在一定条件下,catf≤catX。     

ZM2800振动磨机的可靠性研究——运动参数测定及动载荷分析

对振动磨机动态载荷的测定分析是对其进行可靠性分析的首要任务。用数据采集器对磨机的运动参数进行了在线测量,给出加速度曲线和加速度幅值谱图,据此计算出运转过程中的动态载荷均值和变异系数。分析认为,磨机振动箱体的质心不与转轴重合和参振体质量在轴向分布不均,分别为箱体两侧和沿轴向各位置在横向平面内加速度差异的原因。     

对称符号模式 A2,A3,A4 的惯量

用矩阵特征多项式、特征值的定义及枚举法讨论非对角元为正的二阶、三阶和四阶符号模式的惯量,并得到相应的结论.