p／i界面的缓变层对大面积（2790cm^2）a—Si：H太阳电池性能影响的研究

报道了在大面积（２７９０ｃｍ２）ｐ－ｉ－ｎ型ａ－Ｓｉ∶Ｈ异质结太阳电池ｐ／ｉ界面之间引入缓变层（ＣＧＬ∶Ｃ，ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ）对电池性能影响的研究结果。实验发现，带有ＣＧＬ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高，带有ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的提高主要来源于填充因子ＦＦ的增加。提出了带有缓变层ａ－Ｓｉ∶Ｈ电池的能带模型，据此分析了ｐ／ｉ结附近载流子的复合动力学过程，从理论上解释了实验中所发现的现象。     

400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。     

大面积集成型a－SiC：H／a－Si：H叠层太阳电池的研制

报道了大面积（２７９０ｃｍ２）集成型ａ－ＳｉＣ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ叠层太阳电池的研制及稳定性实验结果，讨论了限制该电池效率的一些因素。实验电池的性能参数：Ｖｏｃ＝４０．８Ｖ，ＩＳＣ＝５３０．４０ｍＡ，ＦＦ＝４９．４％，有效面积（２２８０ｃｍ２）光电转换效率ＥＦ＝４．６９％（ＡＭ１．５，１００ｍＷｃｍ－２，２５℃）。制备出光电子学性能优良的ａ－ＳｉＣ：Ｈ薄膜及解决电池内部ｎ／Ｐ结的接触问题是提高该电池性能的关键。     

AlxGa1-xAs三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂－柠檬酸,电共沉积ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ三元化合物,用能谱分析仪进行成分分析,获得化学计量比接近Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ的三元化合物半导体材料。     

碳酸钠回收装置的冷量合理利用

碳酸钠回收装置的冷量合理利用张正萍江苏索普化工股份有限公司碳酸钠回收装置用于以尿素法（尿素Ｃｌ２ＮａＯＨ）生产水合肼，再用肼尿法（水合肼尿素Ｈ２ＳＯ４Ｃｌ２）生产ＡＤＣ发泡剂（偶氮二甲酰胺，化学分子式：Ｃ２Ｈ２Ｎ４Ｏ２）的过程中一些厂家为节...     

AlxGa1—xAs／GaAs太阳电池减反射膜的研究

以太阳电池的短路电流积分表达式为依据，应用减反射膜的光学原理，对具有阳极氧化、ＳｉＯ和ＳｉＯ２三种减反射膜的ＡｌｘＧａ１－２Ａｓ／ＧａＡｓ太阳电池分别进行了反射光谱、短路电流、开路电压的实验测试。研究表明，阳极氧化膜、ＳｉＯ膜具有良好的减反射性能，而ＳｉＯ２膜的减反射性能较差。     

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。     

带有缓变层的大面积集成型a—Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ＾２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ，Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无缓变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

带有缓变层的大面积集成型a－Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无级变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

储热材料AlNH4（SO4）2.12H2O的过冷性实验研究

对储热材料ＡｌＮＨ４（ＳＯ４）２．１２Ｈ２Ｏ添加成核剂ＣａＦ２及Ｃ时在不同冷却条件下进行了过冷性实验研究。     

电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上，以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料，从简单盐水溶液中，按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。     

电化学沉积GaAs薄膜的实验和理论分析

通过物理和化学的理论分析及实验研究，阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2导电玻璃氏材料上沉积原子化学计量比接近1：1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素，从而获得最佳的沉积工艺条件。该研究方法有助于用电化学方法沉积化合物半导体薄膜材料及薄膜性能改善，为规模化生产的工艺条件设计和薄膜的应用提供了理论根据。     

GaAs薄膜电沉积的机理与工艺研究

报道了电共沉积制备ＧａＡｓ薄膜的原理与工艺。通过优化工艺参数，在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的ＧａＡｓ薄膜。     

热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

该文介绍以Si和SnO2／glass两种材料为衬底，采用热壁外延方法，制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌，x射线衍射(xRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构，初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料。     

InGaP/GaAs双结太阳电池的研制

报导了自行研制的InGaP/GaAs双结太阳电池，电池的转换效率在21％-24％之间(1AM0，28℃)，填充因子在79％-82％之间。文中对其材料结构设计、器件工艺制作以及性能测量表征等方面的问题进行了讨论。     

QE测量在GaInP/GaAs叠层电池研究中的应用

该文介绍量子效率测量(QE测量)的原理以及此项技术在太阳电池研究中的应用.重点介绍QE测量在GaInP/GaAs叠层电池研究中的应用.给出了作者在美国Toledo大学进行的GaInP/GaAs叠层电池的QE测量的部分结果,并把这些结果与非晶硅(a-Si)三结叠层电池的QE测量结果进行了比较,对GaInP/GaAs叠层电池研究中的问题进行了分析,提出了改进的意见.     

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法,电沉积制备出ＧａＡｓ薄膜。扫描电镜和Ｘ射线衍射仪测试结果表明,薄膜成分更接近化学计量比１：１,各次试验数值分散性小,厚薄均匀。     

在HNO_3/HF混合液中反应副产物对腐蚀特性的影响

在多晶硅制绒中,通过调整HNO_3、HF和水或醋酸的比例可以很好地控制制绒的过程并得到理想的绒面。但是在腐蚀过程中随着HNO_3、HF和硅的消耗会产生大量的副产品(如H_2SiF_6,HNO_2、N_2O_3等),该文通过在反应腐蚀液中预溶解一些硅的方法研究了反应副产品对制绒特性的影响。发现随着预溶硅的增加,在富HNO_3溶液中反应速度出现了先上升后下降的趋势,而在富HF的溶液中反应速度出现了线性下降。最后,针对反应副产物亚硝酸对制绒特性的影响进行了分析。     

Electron irradiation and thermal annealing effect on GaAs solar cells

This paper describes the effect of electron irradiation and thermal annealing on LPE AlGaAs/GaAs heterojunction solar cells with various p/n junction depths. The electron irradiation experiments were performed with energy of 3 MeV, fluences ranging from 1×10¹⁴ to 5×10¹⁵ e/cm². The results obtained demonstrate that the irradiation-induced degradation of performances of the cells is mainly in the short circuit current and could be mostly recovered by annealing at 260°C for 30 min. Four electron traps, E_c−0.24 eV, E_c−0.41 eV, E_c−0.51 eV, E_c−0.59 eV, were found by DLTS analysis, only two shallow levels of which could be removed by the annealing.     

Modelization of epitaxial GaAs X-ray detectors

X-ray detectors are fabricated with non-intentionally doped thick epitaxial GaAs layers grown by a chemical technique. They are p⁺/i/n⁺ structures in which the highly doped p- and n-type layers are made by ion implantation on both faces of the i epilayers. In order to understand the behaviour of charge collection, we modelize the capacitance–voltage characteristics of such structures, which are then compared with experimental data.