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主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO2薄膜,通过改变非晶SiO2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命.实验发现在840℃下生长的非晶SiO2薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高约90%.此外,为优化SiO2/SiNx双层膜的减反射作用,采用Matlab程序计算SiO2/SiNx双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合.实验发现生长有SiO2钝化膜的SiO2/SiNx双层膜太阳电池相对单层SiNx膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mV,转换效率提高约9%. 相似文献
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应加强光伏发电培训工作我国还有1600万户约8000万人居住在无电地区;我国已经从石油输出国变为石油进口国;我国因大量燃煤,已成为仅次于美国的世界第二大CO2排放国.这些都预示着我国的太阳能光伏发电市场将十分巨大.世界银行的PVMTI计划,拟在200... 相似文献
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将碳基材料应用于太阳电池半导体器件的研究已经在国内外得到重视和开展。采用离子束溅射反应沉积技术,在p型绒面硅和p型硅基片上沉积出用于制备太阳电池的氮化碳薄膜(a-C:N)。ID/IG比率,ISi/IG比率是研究氮化碳薄膜微结构的重要拉曼参数,对这些参数随氮离子束能量的变化进行了研究。能量散射光谱(EDS)和透射电子显微镜(TEM)测试显示随氮离子束能量增大,薄膜中氮原子含量下降,团簇尺寸大幅下降,非晶网络中团簇分布也趋于均匀。用真空热蒸镀工艺在氮化碳/硅异质结的氮化碳薄膜表面镀上一层半透明的铝薄膜,测得AM1.5标准光照下的开路电压随氮离子束能量的增加而增大。 相似文献
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采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。 相似文献
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空间太阳电池发展现状及展望 总被引:2,自引:0,他引:2
电源系统是卫星的重要分系统之一 ,几乎所有的卫星均需配置一个合适而可靠的电源分系统。电源分系统在整个卫星系统中所占质量的比例是最高的[1] ,因此对电源系统的研究就非常重要。多数地球轨道卫星都采用太阳电池阵与蓄电池联合供电系统。空间的环境非常恶劣 ,温度起伏大 ,高能粒子多 ,使得工作在其中的太阳电池必须具备性能稳定和抗辐照等特性。文中对空间太阳电池系统的发展现状作了较为详细的介绍 ,比较分析了硅太阳电池与其它几种材料的空间太阳电池的发展现状和优缺点 ,得出了硅电池仍是目前空间应用的最佳选择的结论。还介绍了几种高效硅太阳电池及当前的发展水平 ,通过比较分析 ,提出了空间太阳电池的未来研究方向。 相似文献
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一、前言 关于太阳电池电性能的测试方法,1985年我国已制订国家标准(送审稿)。 为了推广这个标准,必须为太阳电池生产单位提供一种造价低廉、使用维修方便又能满足要求的普及型测试装置,本设计的目的旨在解决这个问题。 相似文献