电容器

02058943V、干法级超大容量电容器研究[刊]/刘志祥//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—413～417(C)0205895铁磁谐振及其消除措施[刊]/谢辉//广播与电视技术.—2001,28(11).—154～156(L)     

半导体与微电子技术

0206005具有负有效质量的半导体载流子速度-电扬持性[刊]/曹俊诚//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—331～334(C)     

化合物半导体

0003573气相沉积法分子筛封装 SnO_2纳米半导体材料的研究[刊]/张义华//功能材料.—1999,30(6).—651～652,662(C)0003574SnO_2/Fe_2O_3纳米复合粉的制备与表征[刊]/潘登余//功能材料与器件学报.—1999.5(4).—323～326(C)0003575正交实验方法研究 PECVD 碳化硅薄膜的防水汽扩散性质[刊]/姜利军//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—318～322(C)0003576     

元素半导体

0003568ITO 作填料的涂层光谱特性研究[刊]/於定华//功能材料.—1999,30(6).—660～662(C)0003569乙烯对 CVD 法制备硅薄膜性能的影响[刊]/张溪文//功能材料.—1999,30(6).—649～650(C)0003570修正 Tersoff 势在熔态硅分子动力学模拟中的应用[刊]/周正有//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—273～280(C)     

环境、环境影响与控制

0114682缺氧-好氧系统预处理微污染河水的特性研究[刊]/胡龙兴//上海大学学报(自然科学版).—2001,7(2).—179～182(C)0114683硫铁矿烧渣制备聚合硫酸铁铝混凝剂及应用研究[刊]/印慧琴//上海大学学报(自然科学版).—2001,7(2).—175～178(C)     

金属与导电材料

0314040高强合金与钛合金的电偶腐蚀行为[刊]/刘建华//北京航空航天大学学报.—2003,29(2).—124～127(L)0314041钢球侵彻钛合金靶板弹道极限速度[刊]/王海福//北京理工大学学报.—2003,23(2).—162～164(L)0314042理想绝缘金属基板前处理工艺的研究[刊]/朱继满//功能材料与器件学报.—2003.9(1).—95～99(C)     

频带压缩、数据压缩、数据平滑

0115098以 CS-ACELP 算法为核心的数字语音记录设备(刊]/王炼栋//上海大学学报(自然科学版).—2001,7(2).—113～118(C)0115099包头压缩技术在 VoIP 中的应用[刊]/汪亚光//上海大学学报(自然科学版).—2001,7(1).—18～22(C)针对低速 PPP 链路上的 VoIP 应用所存在的问     

热处理与表面处理工艺

0118533Ni-Cu-P 合金化学镀层制备及组织结构的研究[刊]/于会生//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—191～194(E)0118534nc-Si/a-SiO_x:H 复合薄膜的结构及光吸收特性[刊]/郭震宁//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—179～182(E)     

电源技术

0212586阀控式铅酸蓄电池及其容量测试诊治设备[刊]/苏卫东//电信技术.—2002,(1).—72～73(L)0212587柠檬酸络合无焰燃烧法制备尖晶石型 LiMn_2O_4[刊]/杜柯//功能材料与器件学报.—2002,8(1).—31～34(C)采用柠檬酸络合无焰燃烧法制备锂离子电池正极     

材料制备工艺

0206055淀积在硅片上起杂质吸除用的多晶硅的研究[刊]/闵靖//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—401～404(C)在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽。在多晶硅层完全去除后在硅讨底中诱生出高密度的氧化层错起吸除中心作用。多晶硅能促进硅片内的     

掺杂、扩散、离子注入工艺

0212831等离子体浸没式离子注入圆形薄片均匀性研究[刊]/江炳尧//功能材料与器件学报.—2002,8(1).—69～72(C)     

材料制备工艺

0208180高纯元素合成碘化汞及其单晶的生长[刊]/刘建华//上海大学学报(自然科学版).—2001,7(6).—504～508(C)     

电子工艺

0206051外加磁场对磁控溅射过程及薄膜物性的影响[刊]/朱炎//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—384～388(C)通过在放电空间中引入垂直基片方向有梯度的磁场,使得利用普通的平面磁控溅射技术可以方便地制备磁性薄膜。与此同时,磁性薄膜的许多物理性能发生了变化。这种变化还出现于非磁性靶的情况中。本     

远动技术及其应用

0219166无线比例遥控系统[刊]/李勇//计算机测量与控制.—2002,10(4).—258～259,266(L) 0219167遥感图像的特征提取与选择研究(刊]/骆玉霞//信息记录材料.—2002,3(2).—22～26(C)0219168实验遥测系统的设计与实现[刊]/林小江//装备指挥技术学院学报.—2002,13(2).—63～67(C)     

金属与导电材料

2001764碱式硫酸镁晶须的研制[刊]/董殿权//功能材料.—1999,30(5).—559～560(C)2001765TbFeCo 合金的组织与磁性能[刊]/张喜燕//功能材料.—1999,30(5)./555～556(C)2001766Cu-Zn-Al 合金中的层错能否捕获正电子[刊]/王景成//功能材料.—1999,30(5).—551～552(C)2001767氧化钛薄膜电致变色性质研究[刊]/王忠春//功能材料.—1999,30(5).—533～534(C)     

光学材料、光学玻璃

0622663基于异佛尔酮红色发光材料的电化学性质与发光性能[刊,中]/付慧英//功能材料与器件学报．—2006,12 (3)．—237-240(G) 0622664非晶SiO_x：C薄膜的发光特性研究[刊．中]/李群//功能材料与器件学报．—2006,12(3)．—192-196(G) 0622665 C60聚氨酯胺薄膜的非线性光学特性的研究[刊,中]/赵德林//光电子技术与信息．—2006,19(3)．—28-33 (E) 0622666无机电致发光的新进展及机理分析[刊,中]/张福俊//光电子技术与信息．—2006,19(3)．—1-4(E) 0622667 4-四氢喹啉酮的合成及发光性能[刊,中]/王明亮//发光学报．—2006,27(3)．—378-382(E)     

频带压缩、数据压缩、数据平滑

0208470变换编码中直流偏移的快速处理[刊]/刘荣科//电路与系统学报.—2001,6(4).—100～102(C)0208471基于联合准则的码书设计算法[刊]/郭东亮//电路与系统学报.—2001.6(4).—42～44(C)     

晶体与微声材料

2001786三元化合物材料 Cs_xCu_(1-x)1晶体薄膜的制备及其结构研究[刊]/孙家林//功能材料.—1999,30(5).—524～525(C)2001787类金刚石薄膜的微结构及其电学性质的研究[刊]/陈大伟//功能材料.—1999,30(5).—492～494(C)2001788RbTiOAsO_4晶体的电学性能[刊]/尹鑫//压电与声光.—1999,21(5).—385～386,424(L)2001789     

晶体管、MOS 器件

0206014InGaP/GaAs HBT 费米统计律下的效值模拟计算[刊]/彭鹏//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—379～383(C)用费米分布函数对 HBT 结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对 InGaP/GaAs HBT 进行了数值模拟计算和分析。参7     

自动化技术与远动技术

0120030压电驱动合成喷的设计及分析[刊]/罗小兵//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—116～120(E)