宽带脊波导魔T的设计

介绍了一种宽带脊波导魔T,该模型通过两根金属棒将魔T的H臂的上脊与E臂的双脊相连,采用阻抗变换的思想,通过切比雪夫阶梯阻抗枝节变换实现高低阻抗之间的过渡,并在ET接头和HT接头的交界处添加金属匹配块来改进接头的过渡匹配。文中分析了宽带脊波导魔T的设计原理,采用WRD650 脊波导设计,利用全三维仿真软件进行了仿真验证,在10 GHz ~18 GHz的频率范围内得到较好的性能指标。     

超宽带双脊魔T的研制

优化设计并研制了由渐变双脊波导、匹配块、销钉等构成的双脊波导魔T,在18GHz～40GHz范围内实现了功率等分,E、H臂隔离度低于-30 dB,驻波系数小于1.7,等分臂功率差值小于0.2 dB.该超宽带双脊波导魔T具有用于雷达、电子对抗系统、超宽带接收系统等的实用价值,可促进整机小型化发展、提高系统性能.     

用FIT方法设计的宽频带双脊圆喇叭天线

采用有限积分技术(FIT)设计了一种1GHz～6GHz的宽频带双脊圆喇叭天线.调整天线各部分的结构尺寸,使天线的驻波比达到最小值,计算了它的增益、方向图等天线参数,并将它们和广泛用于电磁兼容测试的宽频带双脊角锥喇叭天线的电参数进行了对照,结果表明该天线比双脊角锥喇叭天线在吸渡材料拱形法测试当中有更大的优越性.对制作出的天线的电参数实测,结果和计算结果基本吻合.     

6-18GHz超宽带功率放大器脊波导合成技术研究北大核心

介绍了一种6-18 GHz超宽带脊波导合成结构。该脊波导合成结构包括微带到脊波导的过渡结构、E面T型脊波导合成结构和H面T型脊波导合成结构。基于该脊波导合成结构,采用8只GaN MMIC功率芯片,设计了一款超宽带固态合成功率放大器,测试结果表明在6~18 GHz的频带内,固体合成功率放大器连续波输出功率达90 W以上,合成效率大于90%,功率附加效率大于15%。     

相控阵雷达中宽带波导和差网络的研究

介绍了一种由4个宽带波导魔T级联而成的X波段宽带和差网络.采用一种改善宽带波导魔T频率特性的新颖方法,在波导魔T的E面上级联变换段和H臂上增加电感膜片,得到40%带宽内优异电性能.并通过理论分析、三维电磁仿真构造了具有同样优异性能的宽带波导和差网络.最后,给出了波导魔T和波导和差网络的实测结果.     

脊位置变化对窄边双脊波导主模带宽的影响

提出用时域有限差分（FDTD）法分析窄边双脊波导主模的单模带宽。通过对宽边双脊波导带宽的分析及与相关文献报道结果的比较验证了FDTD方法分析波导带宽问题的有效性;用FDTD方法计算了脊位置、脊宽及脊高变化对窄边双脊波导主模带宽的影响,计算结果表明：与传统的双脊波导相比,窄边双脊波导减少了单模带宽,可用作脊带宽滤波器。     

非对称十字孔双脊波导定向耦合器的设计

借鉴波导定向耦合器的设计原理,采用双脊波导的形式（本文采用标准双脊波导WRD650型号）设计大功率宽频带定向耦合器。由于双脊波导相比于矩形波导,最低模式的截止频率更低,单模工作的频带更宽,特性阻抗更低,所以采用双脊波导的形式比矩形波导在带宽方面更有优势。波导耦合器耦合方式有很多种,最常用的有小孔耦合和缝隙耦合,本文采用非对称十字孔耦合的方式,并与等孔径分布和切比雪夫分布的圆孔耦合比较来确定非对称十字孔耦合方式,在耦合平坦度、方向性方面有更好的改进。利用电磁仿真软件进行仿真对比其结果,通过一些具体措施改善双脊波导定向耦合器的性能,使定向耦合器的各种设计指标达到要求。     

一种新型微带/槽线混合结构的宽带魔T

提出一种新型宽带平面魔T结构,该魔T基于传统的微带混合环的原理设计而成,为扩展工作频带,采用了微带-槽线混合结构,通过将槽线T接头功分器的反相输出特性与微带T接头功分器的同相输出特性相结合,从而实现两输出端口的宽带和/差输出。测量数据表明该魔T结构可实现超过25%的相对工作带宽(输入端口回波损耗低于-10dB),在工作频带(4.3~5.6GHz)内,其传输插损小于1dB,两对隔离端口的隔离度分别为-30dB和-20dB。     

一种新颖的脊波导功分器

针对通常波导传输的功率分配器中T形接头体积大的不足,基于脊波导和阶梯阻抗变换对导波系统中电磁波传播性能的影响,提出了一种新颖的脊波导H面T形分支结构,利用高频仿真软件HFSS进行仿真优化,结果显示该结构在全X波段内匹配。以此结构为基础,设计加工一个一分六的脊波导功分器,得到较好的实测结果。实际内部尺寸比普通波导功分器减小46%,回波损耗小于20 dB,单路信号波动在±0.35 dB内。这种脊波导H面T形分支结构简单,适合于实际的工程应用。     

6～18 GHz宽带波导合成器设计

开发了一种6~18 GHz宽带四路波导合成器,以标准双脊波导WRD500D36为基础,开发出了脊波导E面分支合成结构和脊波导阻抗变换结构。最终实现的四路波导合成器在带内驻波<2,插损<0.5 d B,合成效率>90%,并对该结构大功率合成的可行性进行了仿真预计。