Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

Cu/Mo共掺K0.5Bi0.5TiO3陶瓷材料的PTC特性

采用以聚乙烯醇为聚合剂的湿化学方法合成制备了K0.5Bi0.5(Ti1–2xCuxMox)O3(x=0.01,0.06)陶瓷材料。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻–温度测试和交流阻抗谱分析对材料的微观组织和热敏特性进行了表征。结果表明:Cu/Mo共掺的K0.5Bi0.5TiO3陶瓷具有钙钛矿结构,并呈现明显的PTC效应;K0.5Bi0.5(Ti0.88Cu0.06Mo0.06)O3陶瓷的居里点为155℃,室温电阻为1 454,升阻比为2.62个数量级。材料的PTC效应主要来源于晶界电阻效应,遵循Heywang模型。     

Cu/Mo共掺K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷材料的PTC特性

采用以聚乙烯醇为聚合剂的湿化学方法合成制备了K0.5Bi0.5(Ti1–2xCuxMox)O3(x=0.01,0.06)陶瓷材料。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电阻–温度测试和交流阻抗谱分析对材料的微观组织和热敏特性进行了表征。结果表明:Cu/Mo共掺的K0.5Bi0.5TiO3陶瓷具有钙钛矿结构,并呈现明显的PTC效应;K0.5Bi0.5(Ti0.88Cu0.06Mo0.06)O3陶瓷的居里点为155℃,室温电阻为1 454,升阻比为2.62个数量级。材料的PTC效应主要来源于晶界电阻效应,遵循Heywang模型。     

高居里点PTC热敏陶瓷加热器热结构的研究

<正> 目前,国内对PTC热敏陶瓷材料的研制已取得较大进展,“居里点从几十度至三百度以上的PTC发热陶瓷已从实验阶段进入批量生产阶段。高居里点PTC热敏陶瓷的主要优点是:电热启动能大,既能迅速发     

BBSM烧结助剂对低温烧结PTCR陶瓷性能的影响

为了提高低温烧结BaTiO3基热敏陶瓷的PTC效应,提出在BaO-B2O3-SiO2烧结助剂中加入MnO(以Mn(NO3)2形式加入)的方法,研究了BaO-B2O3-SiO2-MnO(BBSM)烧结助剂对Y3+掺杂BaTiO3基热敏陶瓷的低温烧结和PTC特性的影响。结果表明:含有x[Mn(NO3)2]为0.06%的BBSM烧结助剂的样品,在1050℃保温3h下烧结后,其室温电阻率为306Ω·cm,升阻比为4.23×103。     

新型NTC（金属—PTC陶瓷）复合材料的导电机制

报道了用传统固态烧结工艺制备的金属 PTC陶瓷复合材料的NTC现象 ,研究结果表明这种NTC现象是由于镜像力作用导致金属半导体肖特基势垒高度减低所致。     

一种新型发热材料——介绍PTC元件

近几年,在国外一些家用电器和电子设备中,采用了一种新型半导体陶瓷作为发热元件和过荷过热保护装置.这种材料是以钛酸盐(钛、钡、锶、铅)为基本成份,掺以微量的稀土元素如镧(La)、钐(Sm)、铌(Nb)、钇(Y)和锑(Sb)等,用陶瓷工艺合成.它具有特异的温度-电阻特性,即当材料在某一温度(居里点)时,其电阻率剧增10~4以上.这种跃变是因材料本身具有特殊的导电结构所致.这一现象称为正温度系数特性(PTC特性).钛酸钡陶瓷具有PTC特性,早在五十年代就已发现,但其实用化,普及化,还是近几年的事情.     

PTC起动器中国进行时

正温度系数热敏效应PTC(Positive Temperature Coefficient)于1950年由Walter Heywang在多晶半导体钛酸钡掺杂稀土元素的陶瓷材料的实验中被发现,1964年G.H.Jonker进一步完善了这一重要陶瓷材料的特性理论。于上世纪70年代开始,基于这一效应的PTC热敏电阻产品得到了...     

BaSnO3热敏电阻器电学性能的研究

介绍了以BaCO3和SnO2粉料为主原料,SiO2、Bi2O3和Sb2O3为助烧剂,Ta2O5为施主掺杂改性剂,Na与Mn无机盐为受主掺杂改性剂,采用传统固相反应法制备BaSnO3的半导体陶瓷的方法。经测试与分析可知,该半导体陶瓷的相对密度高达理论密度的97%。通过对样品电学性能的初步研究,发现该样品具有NTC效应。     

高温NTC热敏电阻材料的研究进展

高温NTC热敏电阻材料可制备用于汽车电子、军工、航天等领域超宽温区测温的热敏元件。概述了高温NTC热敏电阻材料的研究,主要集中在具有钙钛矿结构的材料体系以及材料的掺杂改性研究上。基于钙钛矿结构热敏材料NTC效应机理的解释大多集中在氧空位迁移模型、电子跃迁模型和渗流理论等方面,提出应用于高温宽温区测温的具有高电阻率低热敏常数特性的NTC热敏材料是高温NTC材料的发展方向。     

高温PTC陶瓷中铅对T_C移动效果的实验

在制备高温ＰＴＣ陶瓷时，以加入ＰｂＴｉＯ３的形式引进Ｐｂ成分达到提高ＴＣ的目的取得了很好的效果，移动效率最高达６．５℃／１０－２（ｍｏｌ）。分析了加入Ｐｂ－ＴｉＯ３与加入ＰｂＯ或Ｐｂ３Ｏ４效果不同的原因     

SrxPb1—xTiO3基陶瓷材料热敏特性研究

以Sr     

高温PTC陶瓷研究进展

概述了高温ＰＴＣ陶瓷近几年来的研究进展，着重介绍了（Ｂａ、Ｐｂ）ＴｉＯ３高温ＰＴＣ陶瓷体系中Ｐｂ对居里点移动的影响，以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展，简要论述了ＰＴＣＲ的唯象分析理论，展望了高温ＰＴＣ陶瓷的研究前景。     

Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电陶瓷烧结工艺及性能研究

采用固态反应方法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷靶材。利用TG-DTA分析了PbO、ZrO2和TiO2粉末混合物的分解、化合反应,通过XRD研究了烧结工艺对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷的晶相结构的影响。研究表明,采用870℃预烧、1 200℃终烧、分别保温2 h和4 h的烧结工艺,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 铁电陶瓷纯度高 ,致密性好、晶粒均匀,且具有良好的介电与铁电性能。     

钙钛矿型铌锌酸铅陶瓷材料合成及其性能

用Ｘ射线衍射和差热分析研究了铌锌酸铅Ｐｂ〔（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３〕Ｏ３陶瓷材料普通合成法和两种铌铁矿先驱体合成法的合成机理。研究表明，该材料的合成过程中，首先生成焦绿石相然后在较高温度生成钙钛矿相，先驱体法可以明显抑制焦绿石相的生成并使其反应温度向高温推迟，从而可以明显提高钙钛矿的产率。而简单先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＮ＋ＭＮ）比复合先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＭＮ）具有更好的合成效果。采用简单先驱体法通过合适的合成工艺可以制得钙钛矿含量大于９５％的Ｐｂ〔（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３〕Ｏ３陶瓷材料，其介电温谱具有明显的弥散性，为无序铁电陶瓷材料。研究发现，差热分析作为判断焦绿石和钙钛矿反应温度的重要依据，可以用于铌锌酸铅系陶瓷材料钙钛矿的合成研究。     

制备工艺对PMN铁电陶瓷性能的影响

从材料组成、结构和性能的关系出发,系统地研究了探讨了制备工艺对弛豫型铁电陶瓷性能的影响,以及烧结后退火工艺对样性能的影响。研究PbTiO3组分2种不同的加入方式((1-x)(PbO 1/3MgNb2O6) x(PbO TiO2)和(1-x)(PbO 1/3MgNb2O6) x(PbTiO3))对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3固溶体陶瓷介电性能的影响规律。与用前一种方法制得的试样相比,用后一种方法得到的陶瓷试样的介电常数峰得到进一步展宽,并且呈现双峰。介电性能的这种变化表明微区化学组成的均匀程度对材料的宏观介电性能会产生显著影响。     

低温烧结高居里点PTC陶瓷的研究

综述了近年来高居里点ＰＴＣ陶瓷研究和ＰＴＣ低温烧结研究的进展。着重讨论了（Ｂａ,Ｐｂ）ＴｉＯ３ 系高居里点ＰＴＣ陶瓷中Ｐｂ 的影响以及改善其性能的研究,并对ＰＴＣ低温烧结作用机制及其途径进行了论述。     

MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用

研究了ＭｇＯ加入到含铅ＰＴＣＲ陶瓷中的作用。用碱土金属Ｍｇ２＋对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３掺杂，在１２４０～１３００℃空气中烧结，获得工艺性能良好，烧结温度较低，电性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷材料。试验结果表明：ＭｇＯ的加入降低了含铅ＰＴＣＲ陶瓷的烧结温度，抑制了ＰｂＯ的挥发。     

Ba过量对(Ba0.8Pb0.2)TiO3系陶瓷PTC性能的影响

借SEM、XRD、R-t,αR及Vb等测试手段,研究了Ba过量对(Ba0.8Pb0.2)TiO3系陶瓷的微结构及PTC性能的影响。结果表明,当Ba过量5.0%(摩尔分数)时,能使晶粒细化,致密度良好,PTC性能得到显著改善:升阻比为4.2,αR为28.9%/℃,Vb≥520 V.mm–1。而Ba过量大于或小于5.0%都会对性能产生恶化作用。通过XRD发现,Ba过量形成的第二相Ba2TiO4及钡空位浓度的减小,是引起变化的重要因素。