无碰撞磁场重联中的不同电子特征:不同质量比下的PIC模拟

采用二维三分量的全粒子模拟方法研究了不同离子电子质量比(mi/me)下的无碰撞磁场重联中的电子特征.研究结果显示:质量比(mi/me)几乎对重联率没有影响,但是对扩散区的电子行为却影响很大.随着质量比的增大,沿着分离线的电子出流区变窄,从而电子的出流速度增大.在较大的质量比事例中出现了平行于磁场的电场,这些电场对电子的加速和加热有着重要的影响.     

强电场和磁场中电子运动轨道的混沌现象分析——半经典闭合轨道理论

电场和磁场在原子物理的发展中占有非常重要的地位.当电子在较弱的电场和磁场中运动时,其运动轨迹比较清晰.但是,当电场和磁场很强时,电子的运动轨道开始分岔,运动出现混沌.利用半经典闭合轨道理论,对电子在强电场和磁场中的运动轨道的混沌现象进行了分析,该理论具有物理图象清晰、应用范围广的优点.同时,应用该理论还可以对原子谱的混沌现象进行分析.     

磁场位形对微波ECR等离子体电子参数的影响

测量了两种磁场位形中微波ECR等离子体的电子参数,研究了磁场位形对电子参数空间分布的影响,结果表明:发散场中电子温度在轴心和腔体边缘较大,在过渡的中间区域较小,而磁镜场中电子温度随径向半径R的增大单调减小;电子密度在两种磁场位形中随径向和轴向距离的增大均呈单调下降的趋势,磁镜场中的下降幅度大于发散场;在共振面附近,发散场中气压对电子温度的影响比在磁镜场中大,而气压对电子密度的影响在两种磁场位形中基本相似.     

强电场和磁场中电子运动轨道的混沌现象分析——半经典闭合轨道理论

电场和磁场在原子物理的发展中占有非常重要的地位。当电子在较弱的电场和磁场中运动时，其运动轨迹比较清晰。但是，当电场和磁场很强时，电子的运动轨道开始分岔，运动出现混沌。利用半经典闭合轨道理论，对电子在强电场和磁场中的运动轨道的混沌现象进行了分析，该理论具有物理图象清晰、应用范围广的优点。同时，应用该理论还可以对原子谱的混沌现象进行分析。     

磁场作用下抛物量子阱线中激子的束缚能

采用差分的方法在准一维有效势模型下对抛物型量子阱线中激子性质受到磁场的影响进行了计算,分析了磁场对量子阱线中激子的束缚能以及电子和空穴之间的平均距离作用.结果表明:外加磁场会增加量子阱线中激子的束缚能,并且磁场对束缚能的作用会受到量子约束势的影响,在量子约束势较弱时磁场的影响较大,量子约束势较强时磁场的影响较小;外加磁场会减小电子和空穴间的平均距离.     

电性源短偏移距瞬变电磁场扩散规律三维数值模拟

电性源短偏移距瞬变电磁法(SOTEM)采用近源探测形式,极大地提高了信号强度,目前对电性源短偏移距瞬变电磁响应特征的研究主要基于一维模型,且主要讨论电场E_x分量和磁场H_z分量的响应特征和探测能力,不利于复杂目标体的精细探查。基于以上问题,采用三维时域有限差分法,对电性源短偏移距瞬变电磁场在地层中的扩散规律进行了模拟,并研究了三维异常体对电性源短偏移距瞬变电磁场扩散的影响。结果表明:电场E_x分量的正极值区域主要集中在发射源附近,并随着时间的推移逐渐向下扩散; 电场E_y分量正极值区域和负极值区域分别位于发射源两端,并随着时间的推移逐渐向下、向外扩散; 电场E_z分量在地层分界面产生跃变; 磁场H_x分量正极值区域和负极值区域分别位于发射源两端,并随着时间的推移逐渐向下、向外扩散; 磁场H_y分量上部为负值区域,下部为正值区域,说明H_y分量也会受到返回电流影响; 磁场H_z分量极值区域主要位于发射源下方,并随着时间的推移逐渐向下移动; 对于三维异常体,电场E_x分量和磁场H_y分量的灵敏区域位于异常体上方,而电场E_y分量和磁场H_x分量的灵敏区域位于异常体外部,且分布在异常体四周,磁场H_z分量的灵敏区域位于异常体两侧(靠近发射源和远离发射源位置),说明电性源短偏移距瞬变电磁场的5个分量对三维异常体的灵敏区域不同,不同的分量应选择不同的区域进行观测。     

电磁波在等离子体层中衰减的数值分析

采用分层介质方法处理非均匀等离子体层,研究了电磁波射向覆盖磁化等离子体层的金属平板时电磁波的衰减特性。着重讨论Epstein密度分布的等离子体层,分析了等离子体电子密度、电子碰撞频率、外加磁场和入射角度等因素对电磁波衰减的影响,得出在一定等离子体密度和电子碰撞频率下,等离子体对电磁波的吸收特性。     

半导体激光器在磁场和电场中的光电特性的实验研究

本文研究了电场和磁场对半导体激光器光电特性的影响.研究结果表明,在磁场较强的情况下,对器件的输出光功率、微分量子效率、光发散角特性有影响,而电场对器件的工作特性无影响。     

Boost变流器传导电磁干扰的近场耦合模型

为了准确地分析功率变流器的无源元件相互之间的近场电磁耦合对变流器的电磁干扰的影响,以典型的Boost PFC变流器为实例,对包括磁场耦合和电场耦合的近场耦合效应进行研究和建模.基于阻抗 频率特性测量,建立Boost电感和电容的等效电路模型.在此基础上,采用场仿真的方法,通过Ansoft HFSS软件仿真获得的Z参数与Y参数,提取出各互感参数和寄生电容参数来反映磁场耦合和电场耦合,分别建立相应的磁场耦合与电场耦合模型,进而得到完整的近场耦合模型.通过对比仿真与实验测量的电压增益,验证了该模型的正确性和实用性.研究结果表明,磁场耦合比电场耦合对差模传导噪声的影响大.     

一种求解涡旋电场的方法

变化磁场激发的电场称为涡旋电场.一般用麦克斯韦方程的方法来求解涡旋电场比较复杂,而且难于建立物理模型,容易转到纯数学化.本文类比静电场的叠加原理,阐述了一种用磁场元激发的电场叠加来求解涡旋电场.此方法简便、形像、突出了物理思想和物理模型,有利于教学和学生的接收.