大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据

本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。     

高中压开关技术（8）真空灭弧室（下）

3真空灭弧室触头结构3.1真空灭弧室设计 触头结构的设计和电极材料的选择是真空灭弧室设计的关键。早期进行研究使用的是圆盘状触头,电极为简单的圆柱形,又称平板对接式电极。在开断电流小于10kA时,真空电弧为扩散型电弧。当开断电流达到一定数值后（随电极材料而异）,电弧则呈收缩状并在电极边缘表面出现滞留的阳极斑点,     

触头结构对真空灭弧室开断能力影响的试验研究

<正> 真空断路器的灭弧室外形结构,几乎已典型化,而灭弧室中触头的几何形状及触头材料,则相差很大。近几年来,由于触头几何形状设计改变,开断电流有了较大的突破,在实验室中开断能力已达到200kA以上。为了研究触头结构对真空灭弧室的开断能力的影响,我们对几种不同触头结构的真空灭弧室的开断能力,进行了试验研     

真空断路器开断过程中灭弧室内动态真空度的分析

本文分析代断路器开断过程中灭弧室内动态真空度的变化规律。根据燃弧时灭弧室内的放气、吸气物理过程,导出了电弧电流、触头电弧侵蚀率、触头材料含气量、灭弧室有效容积之间的关系,给出了触头材料含气量的判据,为真空灭弧室设计和触头材料选择提供一个方面的依据。     

真空灭弧室开断大电流后的绝缘劣化

通过实验研究了三种不同触头材料的真空灭弧室在作大电流开断操作后冲击耐压水平的下降情况后发现,随着开断电流的增大,弧后冲击耐压水平逐渐降低.当开断电流接近真空灭弧室的极限开断电流时,冲击绝缘水平有较大幅度的下降;采用工频电压作用下的高压火花老炼处理,可以使尚未达到电寿命极限的真空灭弧室的冲击耐压水平基本得到恢复.     

相似理论在真空灭弧室研究和设计中的应用

本文应用相似理论得出,真空灭弧室中电弧运动速度与电流强度成线性关系的相似准则,和极限开断电流与触头直径、开距间的经验公式。认为用小电流模型来研究大电流真空灭弧室是可行的。     

城网建设与高压开关

触头材料是真空灭弧室技术进步的另一个方面。触头材料最初用的典型材料为铜铋(CuBi)合金。此材料开断能力差,且截流值高。据资料介绍,采用铜铋触头材料的真空断路器的截流水平一般为10～12A。现触头材料一般用铜铬(CuCr)触头材料,它不仅开断电流大,而且截流水平低,一般为3(实验室值)～5A(厂家保证值),而我国CuCr50触头的平均截流值仅2～2.5A,最大截流值3.2A。日本已研究出低过电压触头材料,可将截流值降至1/10。同时研究熄弧能力更强的触头材料如铜钽(CuTa)等。     

铜铬铁真空触头材料荣获国家发明三等奖

<正> 冶金部钢铁研究总院和西安高压电器研究所共同研制的真空断路器用钢铬铁真空触头材料荣获1993年度国家发明三等奖.此材料与国外类似材料铜铬50合金比较,开断电流能力相当,而耐电压强度提高50%～60%,且截流值降低、抗熔焊好、抗电磨损好,是我国自己创制的大容量真空断路器用的真空触头材料,已大量用于10kV、31.5kA级的真空断路器灭弧室中.并且,由于它的高耐电压强度,亦已应用于35kV、20hA和25KA级真空断路器灭弧室,还可进一步用于开发55kV级以上的高电压真空断路器灭弧室.因此,此材料的研制成功具有巨大的经济效益和社会效益.此材料的研制成功是钢铁研究总院和西安高压电器研究所密切配合的结果,材料的制取工作主要由钢铁研究总院完成,材料的电性能研究和应用工艺开发则是在西     

日本近期对低过电压大开断电流真空触头材料的研究与开发

评述了日本近期对开发低过电压、大开断电流真空触头材料所做的工作。     

真空灭弧室纵向和横向磁场触头及其优化应用

真空灭弧室于 1 96 0年实现专业化生产。1 96 9年西门子着手中压 (1～ 2 6 k V )真空灭弧室的开发和生产。 2 0世纪 70年代中期 ,日本开发出世界上首个高压真空灭弧室样品。从 1 984年起 ,西门子将真空技术拓展到低压 (小于 1 k V)领域。真空灭弧室主要用于配电和工业用断路器以及电机控制的接触器上。真空灭弧室主要由真空密封外壳和安置在壳内的一对触头构成。为了其中一个触头能进行关合和开断动作 ,灭弧室还使用了不锈钢波纹管。在开断电流时 ,两个触头间产生电弧。在下一个电流过零时 ,金属蒸气的减少和等离子体的重组导致电弧在几个 …     

真空断路器的状态检测、诊断与处理

真空断路器是一种用真空作为灭弧介质和绝缘介质的断路器。由于它具有开断可靠性高、可频繁操作、寿命长、体积小、结构简单和维护工作量少等优点,所以在中压领域得到广泛应用。但使用中可能会出现一些不正常的运行状态。灭弧室方面有：真空度下降;触头接触面经多次开断电流后逐渐被电弧烧蚀,触头厚度减薄;接触电阻增大等。操动机构方面有：合闸弹跳时间过长;机构的“跳跃”现象;机构的“拒动”现象等。[第一段]     

真空断路器的应用现状与开发前景

真空开关(真空断路器、真空接触器和真空负荷开关等)以高真空作为灭弧和绝缘介质,触头与灭弧系统简单,具有使用寿命长,检修间隔时间长,易于维护,适合频繁操作,体积小、质量轻等优点,已在中低压领域有了广泛的应用。真空断路器使用安全,防火防爆,司靠性高,随着制造技术以及理论研究水平的不断提高,已经朝着高电压、大容量的方向发展。为了研制更高电压等级的真空断路器,国内外众多研究机构和学者已经开始在多个方面做了广泛的探讨和研究,包括寻找新的触头材料、开发新的灭弧技术、采用新的绝缘措泰,以及使用新的制造工艺等等。国内外主要真空断路器产品国产真空断路器我国真空断路器早期以引进为主,目前我国生产的真空断路器的序号以“ZN”或者“ZW”开头,分别表示室内和室外。例如ZN12型即表示最高工作电压为12kV,额定开断电流为12.5-31．5A,额定开断电流为31.5-50kA的一系列真空断路器。而ZN12A与ZN12则表示安装方式的不同,ZN12A型为悬挂式配固定柜,而ZN12型作为断路器手推车配手车柜。早期国内真空断路器生产以广州南洋电器厂、西安高压开关厂等为主,生产的也都是国外型号的复制品。目前国内真空断路器得到了广泛应用,20世纪90年代以来全国各地真空开关厂家也如雨后春笋般蓬勃发展,当前多数真空灭弧室制造公司在立足于开发新产品的同时,正在进行老产品的整顿、质量提高和改进。额定电流得到了提高,已达到4000A,开断电流可达到63kA,并能利用真灭弧室的潜在能力,在真空电弧电流过零前约300-4001xs的范围内进行触头的高速瞬时分离,可以增高开断电流约一个数量等级。原为40kA开断能力的真空灭弧室,采用这一措施后,开断船力可提高到50kA左     

基于ANSYS的中压真空灭弧室内部磁场的仿真分析

针对某种12 kV/3150 A/40 kA真空灭弧室中电弧出现收缩现象导致触头表面局部严重烧蚀的问题,笔者应用ANSYS软件对灭弧室内部的稳态磁场和瞬态磁场进行仿真研究,阐述了灭弧室中触头的结构与形状对灭弧室内部磁场分布的影响,用电弧特性试验比较分析了不同开断电流下真空电弧的形态,验证了应用ANSYS软件对灭弧室内部磁场进行仿真研究的准确性.     

现代真空灭弧室——真空断路器可靠的关键

真空断路器结构极为紧凑、免维修、寿命长、对环境无污染。ＡＢＢＣａｌｏｒＥｍａｇＳｃｈａｌｔａｎｌａｇｅｎＡＧ生产的真空断路器雇农主中压领域。其中的重要元件－－真空灭弧室采用最现代的工艺及优质材料。灭弧室开断电流至６３ｋＡ,额定电压至５２ｋＶ。     

用于252kV高电压真空灭弧室的触头材料

真空灭弧室一般采用CuCr材料.介绍目前真空灭弧室的触头材料采用添加第三种元素的技术,经特殊冶炼,从而很大程度地提高了触头的耐压性能,并具有大的开断能力和高熔点低截流的优点.     

关于高电压等级真空灭弧室研究与开发

总结分析了高电压等级真空灭弧室研究开发的关键问题 (包括真空灭弧室绝缘设计、触头结构和触头间隙纵向磁场、触头材料、真空灭弧室与操动机构配合等 ) ,可为此类灭弧室和断路器研究开发提供参考     

真空断路器的几个特殊技术问题

本文介绍有关真空断路器的几个特殊技术问题,如触头材料的选用、真空开断后触头的电磨损、真空断路器的非自持击穿NSDD现象、真空间隙的绝缘耐受能力、截流过电压和真空灭弧室的有效真空寿命。     

低压真空电弧分断性能的研究

低压真空电弧由于开距小，真空金属过零后的金属蒸汽扩散主要以触头吸收为主，其开断性能与高压真空电弧有很大差异，对于低压真空断路器，需要对触头材料和开距进行细致考虑方能发挥真空灭弧室开断电流的优势，同时有效地减少截流值。     

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量２０Ｗｔ％的Ｃｕ－ＣＷ基真空接触器用触头材料残存气体的来源，存在状态进行了分析和推测，提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Ｃｕ－ＷＣ触材料（ＣＷ－２型）。６ｋＶ等级的真空灭弧室改用ＣＷ－２型触头后，其短路分断电流由２５００－３２００Ａ提高到５０００Ａ以上。     

一种新型高压真空灭弧室触头及其特性

高压真空开关的核心部件之一是真空灭弧室,由于其触头开距较大,因此多采用纵向磁场触头,希望触头间隙有较强且较均匀的纵向磁场,这样可降低电弧电流密度,降低电弧能量,从而提高开断性能。该文提出了一种适合应用于高电压等级真空灭弧室的新型纵向磁场触头结构,该触头结构结构简单,便于加工,而且结构强度更好。利用有限元方法对这种新型的真空灭弧室磁向磁场触头间隙的磁场分布特性进行了计算与分析, 结果表明其磁场特性优于现有传统纵磁触头结构。利用这种新型触头结构制做了真空灭弧室样机,在单频LC振荡回路上进行了性能测试,结果表明在触头开距为40和60 mm时其同样具有良好的开断短路电流的性能。