海力士66nm DRAM研发几近完成进度超越三星

据韩国媒体Korea Times报道，存储器大厂海力士（Hynix）在66nm工艺技术的DRAM研发进度已近于完成阶段，进度超过其对手全球最大存储器厂三星电子（Samsung Electronics），目前2家公司都有采用80nm工艺技术研制DRAM，而三星电子积极开发70nm工艺技术，海力士则是转往与65nm接近的66nm工艺技术开发。     

全球DRAM排名出炉 英飞凌跻身市场第二

据iSuppli发布的数据，英飞凌在2006年第一季度获得了11．6亿美元的DRAM销售额，与去年同期的7．78以美元相比增长49％。由此，英飞凌DRAM市场份额从12．6％上升至17．5％，击败其美国的竞争对手美光（Micron）以及来自韩国的海力士半导体（Hynix Semiconductor）而跻身排名第二位。     

海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM,工作频宽为7Gbps,32位I／O信道,数据处理速率每秒28GB／s,电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造,体积小,功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。     

可替代65nm以上混载DRAM的高密度内存

瑞萨科技日前开发出一款面向65nm工艺以上SoC（系统级芯片）混载用途的高密度内存“TTRAM（twin transistor RAM）”。旨在取代传统的SoC混载DRAM。TTRAM由2个在SOI（Silicon On Insulator）底板上形成内存单元的MOS晶体管构成。由于无需使用传统DRAM必备的电容器，所以采用65nm以上工艺仍可能继续增大密度。     

海力士研发出40纳米级存储器芯片

南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM”（DDR3动态随机存取存储器）芯片采用的技术能让互联线相距仅40纳米,细微度是目前产品的1／5。     

HyniX发布首款54nm制程的2GB移动DRAM

日前,韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制,成功实现了2GB的容量密度。     

海力士中国大陆第2座存储器封测工厂落成

海力士在中国大陆的第2座存储器封测工厂已落成。这座厂房名为Hitech半导体封装测试公司,位于江苏无锡,是与无锡太极实业合资的企业,由海力士持有45%股权,太极实业拥有剩余股权,月产能相当于1亿颗1亿位（GB）DRAM,可望为海力士省下可观的生产和运送成本。     

购买内存时应注意的问题

内存在计算机中地位是很重要的，如果内存质量不好，将直接影响计算机的性能、甚至造成机器不能正常使用。目前市场上主流内存的价格一般在30O－800元不等，并且是“鱼龙混杂”，在这里有必要介绍一些购买内存时应注意的问题。型号冒充：一般是指用普通DRAM冒充EDO－RAM或用168线的EDO－RAM冒充168线的SDRAM。普通DRAM与EDORAM都是72线的，形态上并无太大的差别，只是产品型号不一样，故而不易分辨。我们可以通过两种方法加以判别。第一，普通DRAM产品号最后两位数字一般为“00”，而EDO－RAM产品号最后两位一般是“03、04…     

计算机随机存储器

随机存储器（RAM）也叫主内存,俗称内存（Memory）,其广意指计算机中的各种内存,而RAM只是其中的一种。RAM的具体组件称为内存条,它的技术、性能及容量等随着CPU的更新而不断升级与提高,以适应更快更好的CPU运行的需要。RAM一般分为两类：动态RAM（DRAM）及静态RAM（SRAM）,由于SRAM的读写速度远快于DRAM,所以PC中SRAM大都作为高速缓存（Cache）使用,DRAM则作为普通的内存和显示内存使用。RAM的特点是可以随时存取数据,但是一旦断电,保存在其中的数据就会全都丢失。衡量DRAM性能的重要指标是RAM芯片的存…     

海力士开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存

全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2 GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技     

存储器IC分类的纠结

说起存储器IC的分类,大家马上想起可以分为RAM和ROM两大类。RAM是Random Access Memory的缩写,翻译过来就是随机存取存储器,随机存取可以理解为能够高速读写。常见的RAM又可以分成SRAM（Static RAM：静态RAM）和DRAM（dynamicRAM：动态RAM）。     

海力士研发出40纳米级记忆体芯片

海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体芯片。这种崭新的“DDR3 DRAM”（DDR3动态随机存取记忆体堪片采用的技术,能让内部线路相距仅40纳米,细微度是目前产品的1／5。     

周期时间为50ns的静态列式256k CMOS动态RAM

日立制作所成功地研制了具有高速存取功能的静态列式256k CMOS动态RAM,从1985年4月起推出试制原样;这种存贮器以静态列方式工作,如果对某一单元进行存取,那么对于含有该存贮单元的行里的其他单元来说可以像高速静态RAM那样进行取数;普通类型的256k DRAM的取数时间为100ns,而这种静态列式的256k DRAM快达50ns;为了达到高速,芯片上的外围电路使用了CMOS静态电路;这种256k DRAM适合用作清晰度很高的CRT图象存储器或高速计算机中的主存贮器。     

非易失性RMA将取代SRAM和NOR闪存

FRAM（铁电存储器）、MRAM（磁阻存储器）和PRAM（相变存储器）等非易失性RAM相继上市，它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非易失性（见图1）。这类存储器产品的写入时间很短，     

内存条的结构与应用研究

采用大容量的存储器扩大单片机数据空间，常用的器件有：RAM、FLASH RAM、NVRAM以及DRAM。其中，DRAM具有容量特点大、价格低的优点。介绍了内存条的刷新原理和工作时序，详细讨论了89C51单片机与内存条接口设计的方法。最后采用ispLSI1032进行了集成处理，简单可靠，可使单片机系统拥有大容量的数据存储空间。     

海力士大陆第2座内存封测制造厂落成

韩联社(Yonhap)报导,海力士(Hynix Semiconductor)在大陆的第2座内存制造厂已落成。这座厂房名为Hitech半导体封装测试公司,位于江苏无锡,是与大陆无锡太极实业合资的企业,由海力士持有45%股权,太极实业拥有剩余股权,月产能相当于1亿颗1亿位(GB)DRAM,可望为海力士省下可观的生产和运送成本。此外,海力士收购Hynix—Numonyx半导体公司90%股权的交易案,也正等着大陆官方批准。     

适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术

据《电子材料》1995年第4期报道，目前，三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础，采用0．4PmCMOS工艺试制了1．2V工作的16MDRAM，在电源电压为1．2V的低电压下实现了存取时间（tRAC）为49ns的高速工作。本开发课题的主要内容如下：（1）即使是在低电压下，也可实现高速读出工作（可能的Charge－TransferredWellSe－nsing方法），在电源电压Vcc＝1．2V下，实现5ns（19）的高速化是可能的（估计了16MDRAM的模拟值）在本读出方法中，在读出开始的同时，由于可以作到使…     

共用字线DRAM单元

本文将报道一种FET DRAM电路的发展——共用字线(SWL)DRAM单元。这种单元的组装密度在相同的光刻程序中超过常规1-DRAM单元(见图1和图2)。虽然图SWL RAM单元面积才是7个L~2,其L为平均器件尺寸,它为位线和读出放大器提供间距大于6个L。这是可能的,因为沿着     

DRAM技术的发展动态

概述动态读写存储器DRAM（DmnamicRandomAccessMemory）是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位，由于电容电荷会泄漏，为了保持信息不丢失，DRAM需要不断周期性地对其刷新。这种结构的存储单元所需要的MOS管较少，因此DRAM的集成度高、功耗小，同时每位的价格最低。DRAM一般用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个一是高集成度、大容量、低成本；二是高速度、专用化。1996年市场上以4位和16位DRAM芯片为主，1997年以16M位为主，1998年64M位开始大量上市，同年市场占有率达到52％，16MDRAM的市场占有率为45％。今…     

双口RAM在RTU交流采样单元中的应用

介绍了双口RAM在多CPU数据采集处理系统中的应用。提出了基于双端RAM的数据采集通信单元在配电馈线自动化领域中的应用，并利用详实资料（流程图，硬件图）描述了硬件设计及软件构成，进行了调试和分析，证明了在数据采集处理系统中采用RRAM可以有效地提高RTU单元的处理速度，节约传输时间。