溶胶—凝胶法制备WO3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料,采用溶胶－凝胶法制备了ＷＯ３非晶态电致变色薄膜,研究了ＷＯ３薄膜的结构,化学组成,电致变色性能,结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３薄膜具有良好的电致变色特性。     

WO_3薄膜的结构和电致变色性质的热处理效应

本文用溶胶—凝胶法在ITO导电玻璃上制备了WO3 薄膜 ,并在 1 5 0～5 0 0℃的空气环境中将薄膜进行了热处理 ,用SEM、XRD观察了薄膜的表面形貌 ,分析了薄膜的微观结构及热处理温度对薄膜的结构和电致色性质的影响 ,讨论了薄膜的致色机理。     

溶胶—凝胶法制备WO_3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料, 采用溶胶—凝胶法制备了ＷＯ３ 非晶态电致变色薄膜, 研究了ＷＯ３ 薄膜的结构、化学组成、电致变色性能, 结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３ 薄膜具有良好的电致变色特性     

SnO2超微粒非晶薄膜对n—Si光电效应的影响

用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜。Ｘ－光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ经超过化学计量比。ｎ－Ｓｉ和ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ的表面光电压谱显示,ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同,光电压响应所需光强也不同。将ＳｎＯ２薄膜沉积在ｎ－Ｓｉ上,可使其光电转换效率提高３个数量级以上,并且也能使ｎ－Ｓｉ光电流和光电压有所提高。     

硫酸氧钛－水－乙二醇系溶胶浸涂制备TiO_2薄膜

用ＴｉＯＳＯ４·ｎＨ２Ｏ为原料，制成ＴｉＯＳＯ４－Ｈ２Ｏ－乙二醇系溶胶，然后浸涂制备ＴｉＯ２薄膜．研究了此ＴｉＯ２薄膜的形成过程、晶相组成和微观结构．６００℃热处理得到的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿相，底层小颗粒与玻璃基板具有良好的附着．     

溶胶—凝胶法制备WO3—TiO2电致变色薄膜的研究

通过溶胶－凝胶方法制备出掺杂ＴｉＯ２的ＷＯ３电致变色薄膜,并利用电化学循环伏安装置,分光光度计、Ｘ－Ｒａ６衍射进行了相关的性能测试,指出了掺杂一定量的ＴｉＯ２可有效地稳定氧化钨溶胶,提高薄膜的循环使用寿命,同时也使薄膜的变色性能降低。     

（Pb,La）TiO3薄膜的显微结构和电学性能

采用溶胶－凝胶工艺旋涂法成功地在ＭｇＯ，ＳｒＴｉＯ，Ｓｉ单晶片，石英玻璃和镀Ｐｔ硅片衬底材料上制得了高取向或多晶具有钙钛矿结构的Ｐｂ１－ｘＬａｘＴｉ１－Ｘ／４Ｏ３（ＰＬＴ）铁电薄膜。讨论了Ｔｉ－ＯＩ，ＯⅠ－Ｔｉ－ＯⅡ和Ｐｂ（Ｌａ）－（ＴｉＯ）伸缩和弯曲振动铁电软模的红外吸收谱。实验表明：衬底材料对薄膜的显微结构有很大影响。     

PCVD-Ti(CNO)薄膜的性能及结构分析

研究了Ｔｉ（ＣＮ）薄膜内氧的作用,研究结果表明,Ｔｉ（ＣＮ）薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断面呈致密的纤维状组织。随着反应气体中空气或ＣＯ２气体流量的增加,Ｔｉ（ＣＮＯ）薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为４０ｍＬ·ｍｉｎ－１或ＣＯ２的流量为１５ｍＬ·ｍｉｎ－１时（分别约占气体总量的１５％和６％）,薄膜的硬度达到最大值。     

SnCl_4结晶水对SnO_2成膜的光电性质影响

报道了用无水ＳｎＣｌ４和ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用热喷涂法制备ＳｎＯ２薄膜，在基片温度为５３０℃时，制得薄膜的Ｘ－射线，ＳＥＭ图及其光电性质．总结出含Ｈ２Ｏ的ＳｎＣｌ４制得的薄膜生长速度快，电阻率低，两者在结构上无明显差异。     

工艺参数对形成（Pb,La）TiO3溶胶和凝胶的影响

系统地研究了溶胶－凝胶技术制备Ｐｂ（１－ｘ）ＬａｘＴｉ（１－ｘ／４）Ｏ３的铁电陶瓷膜时催化剂、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律；用约外光谱研究了成胶机理；用该技术成功地在（１００）Ｓｉ单晶衬底上制备出了均匀、无裂纹且具有钙铁矿结构的ＰＬＴ晶态薄膜。     

聚苯胺电致变色薄膜的制备与应用

聚苯胺(PAn)薄膜的重要性能之一是电致变色,在信息显示器、电致变色玻璃(智能窗,Smart Window)、电色信息存储器、无眩反光镜、军事伪装等领域具有巨大的潜在的应用价值,同时具有原料易得、化学稳定性高等一系列优势,已成为目前学术界的研究热点.分析了聚苯胺的结构、掺杂和性能特点,讨论了聚苯胺薄膜的电致变色机理,综述了聚苯胺电致变色薄膜的制备方法、性能和应用领域,提出了今后的研究方向和市场化途径.     

透明微晶玻璃的研究

在Ｌｉ２Ｏ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元玻璃系统中，加入晶核剂ＴｉＯ２、ＺｒＯ２，通过热处理，制备出了主晶相为β－石英固溶体的透明微晶玻璃。用Ｘ射线衍射、ＳＥＭ对样品进行了分析。测定了玻璃热膨胀系数，并和原始玻璃作了对比，讨论了热处理制度、结构与性能之间的关系。     

透明微晶玻璃的研究

在Ｌｉ２Ｏ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元玻璃系统中，加入晶核剂ＴｉＯ２、ＺｒＯ２，通过热处理，制备出了主晶相为β－石英固溶体的透明微晶玻璃。用Ｘ射线衍射、ＳＥＭ对样品进行了分析。测定了玻璃热膨胀系数，并和原始玻璃作了对比，讨论了热处理制度、结构与性能之间的关系。     

溶胶—凝胶工艺参数对PLT10薄膜显微结构的影响

研究了溶胶－凝胶工艺中溶胶陈化时间，热处理工艺条件和衬底材料对ＰＬＴ１０（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１Ｔｉ０．９７５Ｏ３的简称）薄膜显微结构的影响。结果表明，在（１００）Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＬＴ１０薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜；在（１００）ＳｒＴｉＯ３衬底上制备的ＰＬＴ１０薄膜为（００１）择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜，（００１）择优取向度高达０．９５。溶胶陈化时间愈长，薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高，ＰＬＴ１０薄膜钙钛矿结构发展越充分，薄膜晶粒尺寸越大。     

溶胶——凝胶法制备SiO2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃在底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热－失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制的晶态，非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

锗—二氧化硅复合薄膜的光电特性

采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ｇｅ－ＳｉＯ２复合薄膜,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、Ｘ射线衍射、ＵＶ／ＶＩＳ／ＮＩＲ透射和反射谱、变温电导测试等手段对薄膜的光、电特性进行了研究。实验结果表明,用热处理的方法可以在薄膜中形成Ｇｅ纳米颗粒,Ｇｅ纳米颗粒的平均尺度约５．０ｎｍ时,薄膜的光学带宽约１．４２ｅｖ,电导激活能的最小值约为０．４３ｅｖ。     

磁控溅射参数对钛薄膜结构及阳极氧化的影响

采用直流磁控溅射的方法在导电玻璃(FTO)上制备柱状晶结构的钛薄膜,研究了磁控溅射电流和基底温度对溅射钛薄膜微观结构的影响,分析了柱状晶结构对后续阳极氧化TiO2纳米管结构的影响.利用场发射扫描电镜观察样品的形貌,X射线衍射(XRD)分析样品的晶型结构.结果表明,随着磁控溅射电流的增大,钛薄膜的晶粒尺寸增加,致密度先增大后减小,溅射电流过大过小都会降低薄膜的致密度;在300～450℃的温度区间,随基底温度的升高,钛薄膜的晶粒尺寸增加,致密度增加,柱状晶结构更均匀.将磁控溅射获得的钛薄膜进行阳极氧化处理,结果发现:排列致密的柱状晶钛薄膜有利于生长TiO2纳米管.     

ITO衬底上PZT膜的性能研究

用Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ 锆钛酸铅（ＰＺＴ） 溶胶, 在ＣＶＤ 法沉积生成的掺锡氧化铟（ＩＴＯ） ／ 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（ＲＴＡ） 处理后, 用Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 测试了膜的结晶取向, 用ＲＴ６６Ａ 测试了膜的电学性能。结果表明, Ｓｏｌ－ Ｇｅｌ ＰＺＴ膜在ＣＶＤ 法生长的ＩＴＯ 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Ｐｔ 衬底上略高, 结晶取向以＜ １１０ ＞ 为主取向。ＩＴＯ 衬底上厚度为０－６４ μｍ 的ＰＺＴ 膜的漏电约为５ ×１０ － ７ Ａ／ｍ ｍ２ , 比Ｐｔ 衬底上高不到一个数量级。８ Ｖ 时膜的有效介电常数Ｋｅｆ 约１ ３８０ , 剩余极化强度Ｐｒ＝ １３ μＣ／ｃｍ２ , 与Ｐｔ 衬底上无明显差别。ＣＶＤＩＴＯ／ 玻璃衬底可取代昂贵的Ｐｔ 衬底作铁电薄膜的性能研究。     

WO3薄膜热处理效应下的电致变色特性研究

本文采用溶胶－凝胶法制备了WO3膜,分析了热处理温度对WO3薄膜结构的影响,探讨了热处理温度下WTO3膜的电致变色特性。     

YBaCuO超导靶材制备工艺的研究

根据超导体相ＹＢａＣｕ３Ｏ７－Ｙ的晶体结构与含氧量、温度的关系，正确制订了ＹＢａＣｕＯ超导靶材的烧结工艺－预烧温度、烧结温及冷却速度，从而为用直流磁控溅射法研制高Ｔｃ、大临界电流密度Ｊｃ的超导薄膜提供了前提。