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基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,测试了SiGe HBT在不同偏置下的S参数及I-V特性曲线,利用半解析方法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数和寄生参数的拟合优化。给出了关于HBT大信号和小信号等效电路模型,对比实测参数进行验证,建立模型在测试频率范围内拟合结果和测试结果吻合良好。 相似文献
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提出了一种适用于Si基器件的焊盘寄生参数的提取方法,并将此方法提取的焊盘寄生参数结果与用近似法提取的焊盘寄生参数结果的精度作了比较。比较结果表明,文中提出的线性拟合法精度较高。焊盘寄生参数提取并剥离后,对AMS 0.35μm BiCMOS工艺加工的SiGe HBT的小信号等效电路进行参数提取,其中,外部电阻用基极"过驱动电流"法提取,本征参数用分析法提取,将参数提取结果代入模型进行仿真,仿真得到的S参数在整个测试频率范围内均与测试结果吻合良好。 相似文献
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本文分析了单口和双口毫米波频段肖特基二极管的测试方法并设计了相应的测试版图,计算了截止频率随寄生电阻和零偏本征电容的变化曲线,给出了小信号和大信号等效电路模型。利用两个实际肖特基二极管测试实例对器件的小信号模型参数进行了提取,实验结果表明,在导通和截止的S参数吻合较好。 相似文献
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基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD).对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计.通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数.综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度.结果表明,在0.1~10GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性. 相似文献
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准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义。由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1~8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率。该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取。 相似文献