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n型GaAs上的欧姆接触 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了欧姆接触的原理及测试方法,着重概述了近几年来在n型GaAs上制备欧姆接触所做的研究工作,介绍了改善欧姆接触特性的途径和方法。 相似文献
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介绍了欧姆接触中运用能带工程的原理,评述了近年来GaAs欧姆接触中能带工程应用的研究状况。具体分析了用薄的窄能隙材料做帽层降低势叁高度和基于In金属化系统的欧姆接触两方面的应用。 相似文献
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GaAs MESFET欧姆接触可靠性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了n型GaAs上欧姆接触的制备及其可靠性,以及基于欧姆接触退经的GaAsMESPET的失效分析,结果表明,n型GaAs上欧姆接触的制备已日趋成熟,接触电阻有所减小,表面形貌及热稳定性方面都得到了很大程度的提高,接触材料也日趋丰富GaAsMESFET的失效分析方法也有明显改进。 相似文献
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对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础. 文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测得NiCr/4H-SiC的最佳特征接触电阻率达到1.24e-5Ω·cm2,能够很好地满足SiC MESFET器件的需要. 相似文献
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对Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触进行了三种不同的应力试验:(1)高温存储(HTS),(2)常温大电流(HC)。(3)高温适当电流。试验结果表明,三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大,最后导致欧姆接触失效,AES分析表明,试验后的样品发生了Ni,Au和GaAs的互扩散。 相似文献
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本文对Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触进行了三种不同的应力试验:(1)高温存储(HTS),(2)常温大电流(HC),(3)高温适当电流。试验结果表明,三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大,最后导致欧姆接触失效。AES分析表明,试验后的样品发生了Ni,Au和GaAs的互扩散。 相似文献
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欧姆接触的好坏,对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻,有利于降低阈值电流,提高量子效率和延长寿命。为此,在进行了大量的实验后,找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件,获得了小于0.06Ω的最低电阻。 相似文献
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蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):81-84
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡层下面的Ti扩散穿过接触层并消耗接触层的GaAs,在欧姆接触层下形成Ti-Ga-As/GaAs接触。接触电阻Rc迅速增加,由原始的几欧增大到几百欧。在320℃热处理时,系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。 相似文献
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研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程. 通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了1E-7Ω·cm2的欧姆接触率,并在此基础上对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论. 通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaN HEMT器件. 栅宽40μm的器件跨导达到250mS/mm, fT达到70GHz; 栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5V),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB. 相似文献
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具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 . 相似文献
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王明选 《电子材料与电子技术》1998,25(3):25-30
本文通过对测微量具产生示值误差的原因进行分析和探讨,提出修正测微量具示值误差的方法,提高精密量具准确度,满足加工机械设备和备件的精度要求,达到满足生产和要求和延长测微量使用寿命的目的。 相似文献
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伍伟雄 《电子产品可靠性与环境试验》1999,(3):45-47
本文通过对气候环境设备试验的设定值,指示值,试验设备箱内实际环境参数(温度、湿度等)值不一致的探讨,提出气候环境试验设备应该明确规定示值误差这项重要技术性能指标,在检定中增加示值误差的测量,并给出示值误差的计算方法。 相似文献
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GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。 相似文献