半导体器件可靠性试验的计算机控制

介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程，详细探讨了系统控制原理和软件设计思想，给出了主要程序框图及测试实例，说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。     

GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究

本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊     

n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究

对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大，ＨＴＳ试验中φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ。分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明，其主要的失效模式为烧毁，同时，ＳＥＭ观察中也有电徙动及断栅现象发生。ＡＥＳ分析表明，应力试验后的样品，其肖特基势垒接触界面出现模糊，有明显的互扩散和反应发生。     

重掺杂P型Si1-xGex层中少数载流子浓度的低温特性

考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加。在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质浓度的上升而上升。     

具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 .     

微波功率器件金属化布线回流加固结构

在回流动力学理论和实验研究的基础上,将回流加固结构应用于实际微波功率器件.结合器件具体结构和制备工艺,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析,结合实际工艺优化设计了回流加固结构,制备了六种结构样管,电热应力试验结果表明:采用一个缝隙、缝隙宽度为3μm的结构回流加固效果最好,抗热电徙动能力最强.利用回流效应可有效降低微波管中的纵向(Al-Si界面)电迁徙失效,提高器件可靠性.     

微电子器件多失效机理可靠性寿命外推模型

提出了一种新的微电子器件快速评价方法,具有快速、准确、成本低、能观察分析参数退化的全过程,能有效地分析器件的失效机理。它与常规方法不同,可对单样品求出不同失效阶段的失效激活能和寿命,根据其参数退化的温度范围可外推出单样品工作条件下的寿命。通过一定数量的对比试验,该方法与常规方法有可比性。     

GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

提出了一种快速评价GaAs FET可靠性寿命的新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.     

利用回流效应的新型金属化系统研究

本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性，ＳＥＭ分析对此也提供了有力的证据．     

Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究

本文对电迁徒参数电流密度因子ｎ及ｎ值的精确测量技术进行了深入研究。首镒提出了电流密度因子动态电流斜坡测试法。该方法与传统的ＭＴＦ法不同，利用专门设计的实验系统和实验样品，精确控制实验金属条湿，消除了高电流密度条件下焦耳热的影响，提高了ｎ值的测量精度与速度．