圆片级老化的新技术

莫托洛拉公司 ,东京电子等三家公司发表了可进行圆片级老化的先进新技术。靠着此技术而使最先进的半导体制作工艺中的测试工序简略化及复合化 ,其成本控制约为 15 % ,制作周期缩短约 2 5 %。此项新老化测试是采用“东京电子”的圆片探针技术 ,对作在圆片上的各芯片在进行 12 5～ 15 0℃之间温控的同时 ,可加电负荷。最初 ,此技术用于高性能器件中采用“凸焊点”方式用接触技术半导体制品 ,最终却几乎适于所有的半导体。此项新技术是 :将做好电路图形的圆片放置在高平坦度的热卡盘上 ,然后使数千引脚的接触用探头与圆片对位。实际的接触是借…     

摩托罗拉半导体产品部推出测试新技术

摩托罗拉半导体产品部,Tokyo Electron Limited(TEL)及W.L.Gore and Accociates,Inc近期宣布推出一项崭新的技术,将可在集成电路产品还在晶圆型态时进行老化(burn-In)测试。 通过产品测试过程的简化及整合,这项技术可节省高达15％的整体生产成本,而生产时间则可节省达25％,三家公司并预言该技术将能够大幅缩减产品开发的时间     

圆片级封装时代已经到来

所谓圆片级封装,是指封装和测试是在未分离的圆片上进行的,并且能在世界范围内被投入生产,主要是建立在薄膜凸点和再分布技术的基础上。采用这些技术的低引线数的硅器件和无源射频集成元件在今天的手持式电信产品中正在兴起。要使这项极具希望的技术获得很好的应用,圆片级老化和测试是必需的。     

5层CMOS与光电二极管进行3维封装

据《NIKKEI MICRODEVICES》2007年第6期报道,美国Ziptronix公司和美国Raytheon Vision Systems(RVS)公司合作研发了5层CMOS器件和光电二极管进行3维叠层的封装技术。Ziptronix公司将其称为DBI(Direct Bond In-terconnect)。DBI技术无论是芯片与圆片,还是圆片与圆片在室温下都可     

用于输送半导体圆片的空气膜系统(上)

在自动化制造工厂中,必须把已制成了半导体电路的薄而脆的圆片,以最大限度地不与固体物质接触而输送到各个加工工序,以致使损伤,污染及其随之引起的生产成品率的下降减到最小限度。目前在IBM公司和其它公司承担了这项任务,他们用以空气膜的润滑作用为基础的系统作为一种用来悬浮和移动圆片的手段。然而,由于运动所固有的不稳定性和特殊控制的需要,某些硬接触一般与实现规定的圆片运动有关。用在本文中所叙述的空气膜系统,大大减少了硬接触控制的不足。这种系统是根据一种表面轮廓,此轮廓与两种流体力学现象结合产生一种承载的空气膜,这种空气膜维持和操纵圆片运动。用空气膜操纵,连同专门的控制装置技术实现了圆片的输送和置位。     

服务于IC产业的MEMS探卡

圆片级芯片测试在IC制造工艺中已经成为不可或缺的一部分,发挥着重要的作用,而测试探卡在圆片级芯片测试过程中起着关键的信号通路的作用。分析指出由于芯片管脚密度的不断增加以及在高频电路中应用的需要,传统的组装式探卡将不能适应未来的测试要求;和传统探卡的组装方法相比,MEMS技术显然更适应当今的IC技术。综述了针对MEMS探卡不同的应用前景所提出的多种技术方案,特别介绍了传感技术国家重点实验室为满足IC圆片级测试的要求,针对管脚线排布型待测器件的新型过孔互连式悬臂梁芯片和针对管脚面排布型待测器件的Ni探针阵列结构的设计和制造。     

一种石墨烯热电器件的圆片级制备工艺

石墨烯器件的规模制备是石墨烯材料从实验室研究走向市场应用的关键技术。基于大面积化学气相淀积(CVD)石墨烯,结合微加工技术,对石墨烯圆片级制备工艺进行了初步研究。优化了光学光刻和反应离子刻蚀(RIE)等工艺参数,设计了一套适用于4英寸(1英寸=2.54 cm)硅衬底圆片级制备石墨烯器件的完整工艺流程,可以减少光刻次数,降低工艺成本。测试结果表明,单个圆片的器件成品率可达90.6%,圆片内器件具有较好的均一性,制备的石墨烯热电单元阵列在冷热端温差为5.2℃时,输出电压可达3.52 mV,高于已报道的同类石墨烯器件。     

圆片级组装、测试一体化的后道工艺

<正> 为了在半导体后道制造工艺中有效地应用摩尔比例缩小定律,必须要有一体化的圆片级封装工艺,并且,它可以以圆片的形式进行测试、老化和其它操作。到目前为止,已有多种圆片级封装技术的报导,但几乎都没有涉及到圆片级的测试和老化问题。一种新的技术可以使圆片级 CSP(芯片尺寸封装)、圆片级测试和最终组装一体化。其核心技术是直接在圆片上制作微弹簧接触器。这类接触器已被25个以上半导体厂家和测试工厂广泛用于高平行度探针卡上。圆片上的接触器,在老化和测试中被用作柔性弹性接触接口,在组装中被用作一级互连——焊接或插接芯片到衬底上。     

东京电子有限公司（TEL）推出用于电容式MEMS器件的晶圆级MEMS测试仪

2008年东京电子有限公司（TEL）在日本半导体博览会上推出一款新型TEMEON系列产品——晶圆级MEMS测试仪TEMEON—C,用于电容式MEMS器件的测试。2006年,TEL推出针对压阻式MEMS传感器晶圆级测试仪TEMEON-M,目前已经开始批量生产。针对于目前更为复杂的电容式MEMS器件,TEL推出的TEMEON—C可以实现加速度计和陀螺仪等器件的晶圆级电容测量且精确度较高。     

集Si、GaAs和InP优点于一身的三维圆片工艺

美国半导体厂商Xanoptix公司开发了一个把Si和GaAs或InP三维堆叠制造复合半导体的圆片级工艺。该公司的这项混合集成电路技术将带来把丰富多样的硅芯片设计和高速材料或光半导体的高级能力结合在一起的器件。该技术采用高密度互连阵列实现芯片的三维堆叠,同时还可以大大提高器件功能和密度并降低成本。通过采用一系列独特的集成和后处理工序确保堆叠材料良好附着,该公司现在能把数千只普通硅器件(如无线电收发器、网络处理器和DRAM等)同激光器、检测器和晶体管组合在一起。新芯片制造方法还提供了比目前的工艺高几个数量级的芯片间I/O…     

超薄型圆片级芯片尺寸封装技术

ShellCase公司的圆片级封装技术工艺,采用商用半导体圆片加工设备,把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露,并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上,并进行回流焊,圆片分离形成封装器件成品。WL-CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装(CSP),其测量厚度为300μm-700μm,这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。     

FALCON采用LINUX

汽车电子用芯片对测试的特殊要求。自动测试设备在验证和生产阶段为集成电路的功能和质量提供了保证．由于非常严格的质量需求，在汽车工业中使用的器件要求使用性能很高的测试设备进行测试，比如科利登的Falcon。汽车用器件(包括圆片和封装好的器件)必须在不同的温度，不同的压力环境下进行测试。     

科利登推出Sapphire-D10系统

科利登系统公司日前宣布，推出Sapphire系列的新成员Sapphire-D10．该系统是一款创新，高产能，多功能的圆片和封装测试解决方案，特别为微控制器，无线基带，显示驱动以及消费类混合信号器件的低成本测试解决方案而设计。优化的Sapphire-D10同时还能进行200Mbps的圆片测试，提供很高的并行能力。     

球形半导体技术

介绍了球形半导体技术的产生、发展、现状以及前景,分析了这项新技术与传统平面集成电路技术的区别,简要讨论了它在MEMS、医学这两个方向上的应用实例。球形半导体技术的核心思想是在直径1mm的单晶硅小球上制作集成电路和其他器件。这项新技术中包括单晶硅球制作、无接触工艺、球形光刻、3DVLSI设计和VLSI堆积五项关键技术。     

基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术

针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率的测试。采用MEMS体硅工艺和共晶圆片键合技术实现了微谐振器的圆片级真空封装,利用微谐振器阻尼特性建立了谐振器品质因数与真空度的对应关系,通过设计的激励电路实现了微谐振器品质因数的在片测试,对不同键合腔体真空度下封装的MEMS微谐振器进行测试,测试结果显示该微谐振器在高真空度0.1～8 Pa范围内品质因数与真空度有很好的对应关系。     

PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术

近年来,砷化镓器件的发展极为迅速。其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提高GaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸。通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。     

针压敏感芯片圆片测试探索

圆片测试中存在大电流的测试项目,比如基准电压的测试,它会受接触电阻的影响,接触电阻太大会抬高测试回路中模拟地的零点,导致测试的基准电压比真实值偏大。类似于以上描述对于在圆片测试过程中受针压大小影响较大的芯片即为针压敏感芯片;此类芯片在测试过程中一般都需要将探针针压加大或者在测试过程中不断地清针和磨针来减小接触电阻,从而减小测试误差。不断地清针和磨针将会给探针造成不可挽回的损耗,缩短探针的使用寿命。为解决以上问题,介绍了一种解决针压影响测试电压的方法。     

一种真空度可调的圆片级封装技术

提出了一种MEMS器件的圆片级封装技术。通过金硅键合和DRIE通孔制备等关键工艺技术,可以实现真空度从102 Pa到2个大气压可调的圆片级封装。作为工艺验证,成功实现了圆片级真空封装MEMS陀螺仪的样品制备。对封装后的陀螺仪样品进行了剪切力和品质因数Q值测试,剪切力测试结果证明封装样品键合强度达到5 kg以上,圆片级真空封装后陀螺的品质因数Q值约为75 000,对该陀螺的品质因数进行了历时1年的跟踪测试,在此期间品质因数Q的最大变化量小于7‰,品质因数测试结果表明封装具有较好的真空特性。     

芯片将面临技术变革

德国西门子公司和美国摩托罗拉公司于1998年1月12日在波恩宣布，它们合资开发了一种生产计算机芯片的新技术，这种新技术将采用直径300mm的硅晶片取代目前世界上普遍采用的200mm硅晶片来生产计算机芯片。该项新技术可以使每张硅片上加工出的芯片数量比传统方式多2．5倍，单位生产成本可降低30％左右。预计可在2000年前采用新技术进行批量生产。这项新工艺似乎很简单，但在技术上提出了极高的要求：首先，制造300mm硅片本身非常难，这么大的硅片必须毫无疵点，而且要绝对平坦。另外，新工艺需要有相应的芯片电路印刷机。这种机器类似照相机，…     

一种国内最新型的硅雪崩光电探测器

1984年11月6日至8日由西南技术物理所研制的一种具有达通型结构的硅雪崩光电探测器SPD-032及该器件带前放的混合组件SPD-052通过国家级鉴定,它填补了我国光电器件的这项空白,荣获了国家进步发明一等奖。本文仅对这种探测器件的性能作一些介绍。文中还对该器件与美国RCA公司生产的C30817及英国Centronic公司生产的产品在相同测试系统,相同测试条件下作的各对比测试结果作详尽的介绍。